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一种适用黑组件的晶硅太阳能电池正膜膜层结构及其制备方法 CN202210663188.2 - 本发明公开了一种适用黑组件的晶硅太阳能电池正膜膜层结构及其制备方法，该正膜膜层结构包括由下至上依次设置的氧化层、高折射率氮化硅膜层、低折射率氮化硅膜层、超低折射率氮化硅膜层和氧化硅膜层，高折射率氮化硅膜层、低折射率氮化硅膜层、超低折射率氮化硅膜层、氧化硅膜层的折射率依次递减。制备方法包括采用PECVD沉积方法在底层氧化层上先后制备高折射率氮化硅膜层、低折射率氮化硅膜层、超低折射率氮化硅膜层和氧化硅膜层。本发明的晶硅太阳能电池正膜膜层结构可改善片内和片间膜层均匀性，最大程度降低正面反射率，使组件外观效果呈现黑色，有效解决黑色电池片边缘发蓝和片间颜色差异问题。 实质审查
一种适用于晶硅太阳能电池复杂制造产线的污染排查及监控方法 CN202210641425.5 - 本发明公开了一种适用于晶硅太阳能电池复杂制造产线的污染排查及监控方法，该排查方法包括将硅片送入到污染嫌疑工序中进行处理并获得硅片的监控少子寿命数据，进而获得监控少子寿命相对偏差，通过查询污染情况分档数据表获得嫌疑工序对应的污染情况。监控方法包括将硅片送入到各个工序中进行处理并获得硅片的监控少子寿命数据，进而获得监控少子寿命相对偏差，查询污染情况分档数据表获得各个工序对应的污染情况。本发明污染排查及监控方法，以硅片少子寿命作为监控项，可以快速排查、锁定和监控产线污染工序和机台，在污染出现时可以快速锁定产线污染工序和机台，有利于减少污染问题所带来的效率和良品率损失，从而能够有效避免重大经济损失。 实质审查
一种适用于N型硅片的磷扩散吸杂及清洗方法 CN202210640407.5 2024-04-30 本发明公开了一种适用于N型硅片的磷扩散吸杂及清洗方法，包括对N型硅片进行前清洗、双面磷扩散吸杂、链式去单面PSG、后清洗（槽式单侧绒面优化）、槽式去单面PSG、双绒面尺寸调控和塔尖圆滑处理。本发明方法，不仅能够较好地改善N型硅片质量，又能有效控制在处理过程中硅片的减薄量，有利于HJT电池硅片薄片化控制和推广，同时还能提升和调控单面表面活性磷浓度，通过形成的高低结作用，改善载流子传输，有利于提高电池效率，而且还能实现硅片两面绒面金字塔尺寸差异，满足特殊需求。本发明适用于N型硅片的磷扩散吸杂及清洗方法具有操作简单、能耗低、硅片减薄量小、吸杂效果好等优点，使用价值高，应用前景好。 专利权的授权
一种光伏接线盒与汇流条的连接结构及连接方法 CN202210086343.9 - 本发明公开了一种光伏接线盒与汇流条的连接结构，光伏接线盒包括焊接端子，所述焊接端子上设有受热后可自动折弯为预设形状的导流板，所述导流板设于汇流条相对的两侧，所述导流板设有折弯部，所述折弯部受热自动折弯后将汇流条压紧在焊接端子上形成物理固定，所述汇流条的底面与焊接端子之间设有下焊料，汇流条的侧面与导流板之间设有侧焊料，汇流条的顶面与折弯部之间设有上焊料，焊料在受热后熔化，汇流条上下左右面和接线盒焊接端子钎焊为整体。本发明进一步公开了一种光伏接线盒与汇流条的连接方法。本发明具有连接可靠，作业程序简单、自动化程度高等优点。 实质审查
一种制备碳碳复合材料的设备 CN202111638853.4 - 本发明公开了制备碳碳复合材料的设备，包括上炉体、下炉体、安装平台和下炉体升降系统，上炉体设于安装平台上，下炉体升降系统设于安装平台的下方，下炉体设于下炉体升降系统上，上炉体内设有上隔热笼，上炉体内顶壁设有铜电极和石墨电极，石墨电极伸入上隔热笼内，上隔热笼内设有环形加热器，环形加热器通过角连接器与石墨电极连接，下炉体内设有下隔热笼，下隔热笼的底部设有支撑台，上炉体与下炉体围成炉腔，上隔热笼与下隔热笼围成加热腔，环形加热器包括多个加热竖板，各加热竖板沿环形间隔布置，相邻两个加热竖板可拆卸的连接。本发明将加热器设置成环形且可拆卸的，更适用于C/C复合材料的生产，降低了加热器的制作难度，降低了成本。 实质审查
一种电池片掰片设备及掰片方法 CN202111486955.9 2024-04-30 本发明公开了一种电池片掰片设备及掰片方法，所述设备包括底盘、限位组件、调整组件和掰片组件；所述底盘用于放置电池片；所述限位组件，位于所述底盘的一端；所述调整组件，用于调整电池片的位置以使其一端与限位组件相抵；所述掰片组件，包括滚轮、多列吸盘组件和驱动组件，所述滚轮安装于所述底盘的上方且其轴向方向与电池片的布置方向垂直；多列吸盘组件均匀分布在所述滚轮的圆周面上且每列吸盘沿滚轮的轴向方向布置；所述驱动组件与所述滚轮相连，用于驱动所述滚轮旋转并沿电池片的布置方向平移，以使滚轮上的各列吸盘组件依次吸附各电池片，而实现电池片的旋转掰片作业，并转移至下一工位。本发明具有掰片可靠稳定等优点。 专利权的授权
一种绕镀多晶硅的清洗工艺 CN202111407633.0 2024-04-30 本发明公开了一种绕镀多晶硅的清洗工艺，包括以下步骤：获取存在绕镀多晶硅的硅片，采用氢氟酸溶液对硅片正面和边缘进行清洗，控制水膜流量为5mL/片～40mL/片，使得正面BSG层的减薄量为20nm～60nm，BSG层的保留厚度在40nm以上；在硅片正背面BSG层和PSG层的保护下去除硅片正面和边缘绕镀多晶硅，去除硅片正面BSG层和背面PSG层。本发明清洗工艺，既能够有效解决因多晶硅绕镀而导致的电池转换效率和良品率低的问题，又能释放LPCVD机台产能，使用价值高，应用前景好，对于降低TOPCon电池的生产成本，提升TOPCon电池的产能，提高TOPCon电池的转换效率和良品率均具有重要意义。 专利权的授权
双面晶硅光伏透光窗户、制造方法及窗帘系统 CN202111396190.X - 本发明公开了一种双面晶硅光伏透光窗户、制造方法及窗帘系统，此双面晶硅光伏透光窗户包括第一透光层、电池片层和第二透光层，所述电池片层夹设于所述第一透光层与第二透光层之间，所述电池片层包括多个电池片串，各所述电池片串包括多个电池片，各所述电池片间隔布置并通过连接件连接，各所述电池片串之间间隔布置且通过汇流条相互连接，所述电池片为晶硅双面电池片。本发明具有结构简单、透光性好、发电效率高且成本低等优点。 专利申请的驳回
一种光伏屋面系统 CN202111277286.4 - 本发明公开一种光伏屋面系统，包括由光伏瓦搭接的阵列，所述光伏瓦包括的光伏承托瓦、及光伏板和/或配用板，所述光伏承托瓦包括支承板，所述支承板上设有呈垂直或倾斜状向上布置的首卡接部和尾卡接部，所述首卡接部设置于所述支承板上的一侧边缘，所述尾卡接部设置于所述支承板上另一侧边缘内侧附近位置；所述首卡接部和尾卡接部用来卡接固定光伏板和/或配用板；所述首卡接部的外侧设有搭钩组件，位于尾卡接部一侧的所述支承板上边缘设有搭接台组件，通过搭接台组件和搭钩组件的配合完成侧面相邻光伏承托瓦的搭接。本发明具有结构简单、安装方便、整体效果更好等优点。 专利申请的驳回
光伏电池组件缺陷检测方法、系统及光伏电池组件生产线 CN202111043149.4 2024-10-22 本发明公开了一种光伏电池组件缺陷检测方法、系统及光伏电池组件生产线，包括将光伏电池组件EL图像分割成光伏电池片图像；利用标签工具在存在缺陷的图像上进行缺陷类型和缺陷位置的标注；构建样本集；构建目标识别模型，采用所述样本集对目标识别模型进行训练、验证和测试；利用训练好的目标识别模型进行光伏电池组件的缺陷检测，得到每个光伏电池片的缺陷标签信息；在光伏电池片图像上进行缺陷识别，能够识别出内部缺陷和微小缺陷，并且能识别出缺陷位置；在利用目标识别模型识别前先进行模型训练，采用人工智能法进行缺陷识别，识别效率高，识别精度高，能够识别出多种缺陷。 授权