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一种继电器用金属化陶瓷及其制备方法 CN202411485391.0 - 本发明涉及陶瓷金属化技术领域，具体为一种继电器用金属化陶瓷及其制备方法，包括陶瓷基体、过渡层和金属化层；所述过渡层是以Ti粉、M粉、C粉为原料，通过自蔓延烧结制备得到；其中，M为过渡金属元素，本发明所制备金属化陶瓷的金属化层具有极高的抗拉强度，可以被用于制作新能源汽车继电器。 公开
一种压力传感器用高温压电陶瓷及其制备方法 CN202411271318.3 2024-11-15 本发明涉及压电陶瓷材料领域，具体为一种压力传感器用高温压电陶瓷及其制备方法，其结构式如下所示：（1‑x）（Bi2O2）2+ （Am‑1BmO3m+1）2‑‑x（BinCn‑1）TiO3‑αwt%Dy2O3；其中，A为Na+、K+和Ca2+；B为Nb5+和Ta5+；C为Li+；m为1‑4之间的整数；0.4≤n≤0.6；0＜x≤0.15；0.1≤α≤2，本发明所制备的高温压电陶瓷具有较高的居里温度（700℃左右），而且压电性能良好（压电常数d33在30pC/N左右），可以被用于制作压力传感器。 授权
一种锆钛酸铅基压电陶瓷及其制备方法 CN202411098567.7 - 本发明涉及压电陶瓷材料领域，具体为一种锆钛酸铅基压电陶瓷及其制备方法，其化学结构式如下：（1‑α‑β）Pb（MgxNb1‑x）z（ZryTi1‑y）1‑zO3‑α（Ca1‑qLnq）TiO3‑βLiTaO3其中，Ln为镧系元素；0＜x≤0.5，0.4≤y≤0.6，0＜z≤0.5；0＜q≤0.2；0＜α≤0.2，0＜β≤0.1，本发明所制备的锆钛酸铅基压电陶瓷具有良好的压电性能和较高的居里温度，可以满足多种场合的应用需求。 公开
一种陶瓷材料及在熔断器中的应用 CN202411090904.8 - 本发明公开了一种陶瓷材料及在熔断器中的应用，该陶瓷材料包括如下重量份原料：改性填料2‑5份、添加剂8‑10份、氧化铝90‑100份和氧化锆10‑15份，添加剂在高煅烧过程中形成碳化硅结构，在烧结过程中能够在坯体内部产生径向张应力和切向压应力，在受到外力作用时，应力和外力发生作用，使得材料裂纹在扩散过程中发生偏转，裂纹出现分叉现象，消耗一部分断裂能，进而抑制断裂的扩散，改性填料和添加剂能够在坯体中产生连桥效应，在陶瓷材料受到外力作用时，改性填料和添加剂能在断开的裂纹面之间架桥，进而产生裂纹闭合的力，进而提升材料的强度。 公开
一种PMN-PZT压电陶瓷材料及其制备方法 CN202411047532.0 - 本发明涉及压电陶瓷材料领域，具体为一种PMN‑PZT压电陶瓷材料及其制备方法，其化学结构式如下：Pb（MgxNb1‑x）q（ZryTi1‑y）1‑qO3‑αwt%BazLn1‑z（Zn1/3Ta2/3）O3其中，Ln为La和/或Nd；0.1≤x≤0.5，0.3≤y≤0.6；0.15≤q≤0.35；0.85≤z≤0.99；1≤α≤10，本发明所制备压电陶瓷材料的压电性能优异，具有实际工业应用意义。 公开
一种熔断器陶瓷管的制备方法 CN202411035583.1 - 本发明涉及氧化铝陶瓷技术领域，公开了一种熔断器陶瓷管的制备方法。本发明的熔断器陶瓷管相较于传统氧化铝陶瓷材料制成的陶瓷管具有优异的韧性，不易脆，其制备方法包括以下五个步骤：1）合成含磷酸酯的功能单体；2）合成有机硅包覆的HNTs；3）合成表面含有羟基的HNTs@有机硅/COF；4）对HNTs@有机硅/COF进行表面修饰，再与聚硅氮烷反应合成增强填料；5）将增强填料、氧化铝、玻璃纤维和硅烷偶联剂作为原料，经球磨、预烧结、烧结制得陶瓷管。 公开
一种BaTiO3基无铅压电陶瓷材料及其制备方法 CN202410996691.9 2024-10-01 本发明涉及压电陶瓷材料技术领域，具体地涉及一种BaTiO3基无铅压电陶瓷材料及其制备方法。该材料，以质量百分比计算，包括以下主要原料组分：33~35wt%BaCO3、34.8~38.3wt%CaCO3、10.5~12.7wt%ZrO2、7.6~9.5wt%TiO2、1.5~2wt%BiGaO3、0.5~2wt%Gd2O3、0.5~1wt%MnO2、2.7~4.1wt%Bi2O3，所述BaTiO3基无铅压电陶瓷材料还包括分散剂、烧结助剂、粘结剂。本发明提供的BaTiO3基无铅压电陶瓷材料具有较高的压电性、稳定性和高居里温度。 专利权的授权
一种高压电性能的KNN基压电陶瓷材料及其制备方法 CN202410782280.X 2024-08-16 本发明涉及压电陶瓷材料领域，具体为一种高压电性能的KNN基压电陶瓷材料及其制备方法，其化学结构式如下：（K1‑xNax）1‑yLnyNbO3‑αwt%BiYbO3‑βwt%Bi12GeO20其中，Ln为镧系元素；x=0.5，y=0.05，α=1，β=0.1，本发明所制备的KNN基压电陶瓷材料具有良好的压电性能，可以满足工业生产与实际应用需求。 专利权的授权
一种高介低损耗压电陶瓷材料及其制备方法 CN202410753425.3 2024-08-06 本发明涉及一种高介低损耗压电陶瓷材料及其制备方法，属于偏铌酸铅基压电陶瓷材料技术领域。该压电陶瓷材料的化学通式为：Pb0.97La0.02（Nb0.936‑m‑0.6nTamTi0.08Yn）2O6，其中，0.08≤m≤0.12，0.04≤n≤0.06；Ta替换部分Nb，进入固溶体后占据Ti4+或Pb2+位置，产生铅离子空位利于畴壁运动产生，使介电性能提升，而其不易与Pb和Ti生成严重阻碍畴壁运动的萤石相，对材料的介电性和压电性影响较小；Y掺杂可与氧、氢、氮等杂质优先结合，净化晶界利于畴壁运动的进行，而Y杂质复合相在晶界之间形成微钉轧效应，限制畴壁运动的剧烈进行，降低材料的介电损耗。 专利权的授权
一种氧化铝陶瓷钎焊工艺 CN202410207366.X 2024-08-20 本发明涉及钎焊技术领域，具体为一种氧化铝陶瓷钎焊工艺，将REMn2O5、玻璃粉、氟化铝、粘结剂混合搅拌均匀，得到焊膏，在氧化铝陶瓷上印刷焊膏，形成氧化铝陶瓷‑焊膏‑氧化铝陶瓷的“三明治”结构，再进行真空高温钎焊即可，采用本发明工艺得到的焊接接头的抗剪切强度达到100MPa以上，保证了氧化铝陶瓷连接的可靠性，焊膏在氧化铝陶瓷之间实现了很好的浸润和流延，填满了氧化铝陶瓷的间隙，所形成的接头均一，肉眼看不到夹渣，气孔等缺陷。 专利权的授权