专利标题 公开号/公告号 公开日期 摘要 专利状态
一种氮化硅陶瓷3D打印成型工艺 CN202410707493.6 - 本发明涉及氮化硅陶瓷器件制备技术领域，公开了一种氮化硅陶瓷3D打印成型工艺，具体工艺过程将氮化硅粉、烧结助剂和分散剂混合后球磨，经干燥、粉碎过筛，得到混合粉体；将混合粉体加入光固化树脂与稀释剂的混合液中并搅拌，再加入分散剂、光引发剂和阻聚剂继续搅拌，经过滤得到氮化硅浆料；将计算机中的3D模型使用切片软件分解成逐层切片，并对打印机平台进行涂层；将氮化硅浆料倒入3D打印机料槽中，根据逐层切片进行打印，逐层堆积成型，得到氮化硅陶瓷胚体后进行脱脂和烧结得到氮化硅陶瓷。该工艺过程简单，效率高且无污染，氮化硅陶瓷固化薄膜可以稳定地与打印平台接合，制备得到的氮化硅陶瓷的固化效果较好且性能优异。 实质审查
一种制备氮化硅的微硅粉细选装置及其使用方法 CN202410612432.1 - 本发明涉及筛选设备相关技术领域，具体是一种制备氮化硅的微硅粉细选装置及其使用方法，所述制备氮化硅的微硅粉细选装置包括两个相对设置的支撑座以及固定安装在两个所述支撑座之间的圆筒，且所述圆筒的底部为导通结构设置；所述制备氮化硅的微硅粉细选装置还包括：第一板件、第二板件，二者活动设于所述圆筒中，并与所述圆筒的内壁密封滑动贴合，且所述第一板件上设有用于对硅粉进行筛分的筛网，所述第一板件与所述第二板件与安装在所述圆筒上部的动力机构连接，通过各个机构及部件之间的相互配合，利用所述第一板件与第二板件在所述圆筒中的转动，使得所述第一板件上的筛网对硅粉产生冲击，加快硅粉通过筛网的速度，提升筛分效率。 实质审查
一种氮化硅制件的坯体成型设备及其在反应烧结法中的应用 CN202410408235.8 - 本发明涉及氮化硅生产技术领域，具体为一种氮化硅制件的坯体成型设备及其在反应烧结法中的应用，包括：基板，所述基板底部固定有支腿，所述支腿上固定安装有固定板，所述基板上固定有混合桶，所述混合桶用于对生产氮化硅的原料进行搅拌；搅拌叶，对称设置在所述混合桶内，所述混合桶内设置有与所述搅拌叶连接的驱动组件；支撑组件，设置在所述固定板上，所述支撑组件上连接有模具，所述基板上设置有与所述驱动组件连接的输送组件；振荡机构，设置在所述基板上且与所述驱动组件和所述输送组件以及所述支撑组件连接；负载调控机构，设置在所述混合桶内且与所述输送组件和所述驱动组件连接；限位组件，设置在所述支架上且与所述振荡机构连接。 实质审查
一种基于超声波的氮化硅陶瓷球质量检测系统 CN202410401463.2 - 本发明涉及氮化硅制品领域，尤其涉及一种基于超声波的氮化硅陶瓷球质量检测系统，包括固定模块、图像获取模块、质量分析模块和控制模块；所述固定模块用于对氮化硅陶瓷球进行固定；所述图像获取模块包括内部图像获取模块和外部图像获取模块；所述质量分析模块用于根据所述图像获取模块的获取的图像分析氮化硅陶瓷球的质量；所述控制模块用于接收用户指令并对其余各个模块进行控制。本方案通过采用超声波技术对氮化硅陶瓷球的质量进行检测，能够准确识别氮化硅陶瓷球内部的缺陷，同时对氮化硅陶瓷球产生的破坏较少。 专利的公布
一种陶瓷3D打印方法 CN202410386422.0 - 本发明属于3D打印技术领域，具体涉及一种陶瓷3D打印方法，使用了熔融挤出式3D打印机和定量给料机构；进行3D打印时，挤出螺杆每转动一定角度，定量给料机构向挤出筒输入定量的耗材，两者互相配合，本发明能够能够在耗材尺寸精度低的情况下，保障连续打印作业下挤出量的精确性，提高产品打印精度，减少后期人工二次修坯的工作量，提高了产品的质量和成品率，尤其适用于尤其适用于外形和结构复杂且精度要求高的结构件。 实质审查
一种高韧性多色氮化硅陶瓷生产系统和方法 CN202410376575.7 - 本发明涉及陶瓷生产系统的技术领域，提供了一种高韧性多色氮化硅陶瓷生产系统和方法，包括色彩调制终端、陶瓷制备终端、应用测试终端和反馈控制终端；色彩调制终端用于将氮化硅粉体和颜色粉体进行混合处理；陶瓷制备终端用于将混合后的陶瓷材料进行成型处理和烧结处理；应用测试终端用于对生产的陶瓷进行测试和评估，生成质检评估信息；反馈控制终端用于根据质检评估信息生成反馈控制信息并发送至色彩调制终端和陶瓷制备终端。本发明具有提高陶瓷成品的制备质量的效果。 实质审查
一种孔隙率梯度多孔氮化硅基陶瓷 CN202410343472.0 2024-10-15 本发明涉及多空陶瓷技术领域，具体涉及一种孔隙率梯度多孔氮化硅基陶瓷，一种孔隙率梯度多孔氮化硅基陶瓷，梯度化结构材料的层数为多层,厚度为5.5至6.5mm；并且孔隙率为30.1％、介电常数为4.8的氮化硅基陶瓷材料为高致密层,孔隙率为80.3％、介电常数为1.3的氮化硅基陶瓷材料作为最内层。其热、力和电学性能都更加优异。 专利权的授权
基于等离子喷涂的氮化硅成型工艺 CN202410319470.8 - 本发明属于喷涂工艺技术领域，尤其涉及一种基于等离子喷涂的氮化硅成型工艺，包括以下步骤：S1：对基材进行清洗、酸洗、脱脂、烘干等预处理，并将处理后的基材放置于喷涂区；S2:对基材进行预热，并对基材进行表面处理；S3:将喷涂基料喷涂在S2表面处理后的基材上；S4:对S3喷涂后的基材进行清洁和检测。通过对基材进行表面处理，从而提高表面的附着力，并为氮化硅成型提供了基础，通过采用离子喷涂的方式使氮化硅颗粒在基材表面成型，不仅大大缩减成型速率，且成型后的氮化硅表面致密度达到99.85％，使得成型后的氮化硅层性能有效提高。 公开
一种光固化氮化硅陶瓷及其制备系统 CN202410266844.4 2024-11-05 本发明提供了一种光固化氮化硅陶瓷及其制备系统，与现有技术比较，本发明的制备系统包括对光固化原料进行混合制作的制作模块、将光固化原料进行3d打印以制作陶瓷初品的初制作模块、对初制作模块制作获得的陶瓷初品进行脱脂处理以获得脱脂胚的脱脂模块、和将脱脂模块脱脂获得的脱脂胚进行预设气压烧结处理以获得光固化氮化硅陶瓷成品的烧结模块。本发明利用预处理单元和混合单元的高效设计，确保光固化原料均匀混合，提高了材料处理的效率和质量。 专利权的授权
一种氮化硅植入体表面处理工艺 CN202410241927.8 - 本发明涉及生物医用植入物技术领域，公开了一种氮化硅植入体表面处理工艺，具体工艺过程将氮化硅植入体加入等离子清洗机中进行等离子清洗；将预处理后的氮化硅植入体放入CVD反应室中，引入反应气体进行沉积反应，冷却、排气，得到具有涂层的氮化硅植入体；将离子在真空室中注入具有涂层的氮化硅植入体内；将注入离子后的氮化硅植入体放入热处理设备中并快速加热至1000℃，保温1min后快速冷却，取出氮化硅植入体并进行清洗。该工艺过程简单，提升了植入体的整体力学性能、耐磨损能力和生物相容性，确保氮化硅植入体在临床应用中的长期稳定性和可靠性。 实质审查