专利标题 公开号/公告号 公开日期 摘要 专利状态
一种氮化硅纳米线及其制备方法和应用 CN202311560048.3 - 本发明提供了一种氮化硅纳米线及其制备方法和应用，属于无机非金属材料制备领域。本发明通过对纳米硅粉进行表面钝化，降低制备过程中的氧含量，有利于得到物相和尺寸可控的纳米线，同时提高氮化硅纳米线纯度；以MoFe‑LDH作为催化剂在H2‑N2混合气中进行氮化反应，通过控制氢气的含量，使氮化硅纳米线能够在LDH表面均匀生长；通过控制催化剂中Fe和Mo的比例对纳米线的尺寸进行调控，降低纳米线的直径，提高其长径比；最后通过酸洗和碱洗去除未反应的硅粉、氧化镁和氧化铝等杂质，得到纯净的氮化硅纳米线。实施例的实验结果表明，本发明提供的制备方法制备的氮化硅纳米线的直径为30～80nm，长径比＞1000。 实质审查
一种具有高压泄放功能的氮化硅球阀 CN202311549355.1 - 本发明涉及氮化硅陶瓷球阀技术领域，公开了提供的一种具有高压泄放功能的氮化硅球阀，包括：阀体，为空腔结构，其一端为流体入口通道，另一端为流体出口通道，其两端固定设置有连接法兰；阀座，阀芯，阀杆；缓冲组件，设置于所述阀体的所述流体入口通道和所述流体出口通道处，用于缓冲阀体内的压力预防阀体损坏破裂；高压泄放组件，设置于所述阀体上与所述阀体连通，用于释放所述阀体内的压力。通过设置高压泄放组件，可以通过控制器设置最大承受压力，当压力传感器检测到达到最大压力后，向控制器发出高压泄放信号，通过高压泄放组件进行压力释放，可以及时释放压力，减少阀体损坏的风险，防止安全事故的发生，增长氮化硅球阀的使用寿命。 实质审查
一种超声酸洗辅助制备高纯氮化硅粉体的方法 CN202311470596.7 - 本发明公开了一种超声酸洗辅助制备高纯氮化硅粉体的方法，包括以下步骤：S1：准备制备用的原料；S2：准备制备用的设备；S3：原料的预处理；S4：酸洗处理；S5：坯体的制备；S6：烘干；S7：烧结合成。本发明所述的一种超声酸洗辅助制备高纯氮化硅粉体的方法，本方法在制备过程中对氮气的纯度的要求较高，制备时不会产生氧化物，可以保证成品的质量，且素坯成型压力对硅粉的氮化率有显著影响，随着素坯密度增大，金属硅粉氮化率也逐渐减小，随着硅粉的起始粒度降低，金属硅粉氮化率与压力的依赖关系明显降低，本方法在40Mpa的压力下制备坯体是比较有利的，制备的氮化硅粉体有利于硅粉氮化率的提高。 实质审查
一种耐热、抗氧化氮化硅陶瓷基板及其制备方法 CN202311457342.1 - 本发明提供了一种耐热、抗氧化氮化硅陶瓷基板及其制备方法，涉及陶瓷材料制备技术领域。本发明提供质量百分比为氮化硅85～94％、氧化钇3～8％、金属镁1～5％、二氧化钛0.5～1％以及氮化铌1～5％的粉料；将所述粉料与粘结剂、分散剂和水进行球磨混合后喷雾干燥，得到复合粉体；将所述复合粉体模压成型后依次进行真空烧结和气压烧结，得到耐热、抗氧化氮化硅陶瓷基板。实施例的实验结果表明，本发明提供的制备方法制备的耐热、抗氧化氮化硅陶瓷基板在1100℃氧化100h后，氧化增重为0.05mg/cm2以下，弯曲强度为850MPa，与未氧化时的862MPa相比，降低1.4％。 实质审查
一种真空袋密封性检测装置 CN202311432534.7 - 本发明涉及密封性检测技术领域，本发明提供了一种真空袋密封性检测装置，包括：底板，底板上设置检测箱体、充气装置、升降机构和供水机构，检测箱体外围还设有摄像装置，本发明装置可以降低人力劳动，可以对真空袋进行预检测，记录监测数据，及时发现可能存在的漏气问题，以便修复或更换真空袋，从而确保后续的热压工艺能够顺利进行，提高生产效率。 实质审查
一种螺旋翻搅吹扫的氮化硅原料混合器及其混合方法 CN202311423396.6 - 本发明涉及氮化硅制备技术领域，具体为一种螺旋翻搅吹扫的氮化硅原料混合器及其混合方法，包括：支架，所述支架上固定安装有混合桶，所述混合桶端部固定有储料桶；中空杆，转动安装在所述混合桶内，所述中空杆上固定有转动套筒；送气管，固定在所述中空杆外壁且呈圆周等距分布有多个，所述送气管与所述中空杆接通，所述混合桶内设置有与所述送气管和所述中空杆连接的同步送料机构；驱动机构，设置在所述支架上且与所述转动套筒连接；转速调控组件，设置在所述混合桶内且与所述驱动机构和所述转动套筒连接；导通调控组件，设置在所述混合桶上且与所述驱动机构连接；角度调节机构，设置在所述混合桶内且与所述送气管和所述转速调控组件连接。 专利申请的更正
一种氮化硅陶瓷件的氮化处理炉及其处理方法 CN202311419093.7 - 本发明涉及氮化硅陶瓷件生产技术领域，具体是一种氮化硅陶瓷件的氮化处理炉及其处理方法，包括：氮化炉本体，氮化炉本体内设置有承托架；喷头，设置在氮化炉本体内；交叉驱动机构，安装于氮化炉本体内，交叉驱动机构包括旋转组件以及多组升降组件，升降组件连接喷头，且升降组件与旋转组件交替配合，能够使喷头沿氮化硅陶瓷件的圆周方向间歇旋转，并沿氮化硅陶瓷件的长度方向往复动作；偏转组件，连接升降组件以及喷头，偏转组件能够在喷头运动时，使喷头偏向其运动方向；支撑组件，连接承托架以及旋转组件，支撑组件上连接有两组顶杆，两组顶杆能够在旋转组件动作时交替将氮化硅陶瓷件顶起，以加速氮化处理速度，提高氮化处理效果。 专利申请的更正
一种特种陶瓷数据长期存储系统及方法 CN202311411456.2 - 本发明提供了一种特种陶瓷数据长期存储系统及方法，属于数据存储技术领域，其系统包括：获取模块：获取待存储数据并进行哈希计算，得到对应的哈希值；建立模块：基于特种陶瓷建立存储节点，通过哈希函数计算得到哈希环，哈希环上的值与存储节点一一对应，根据待存储数据的哈希值确定待存储数据的存储节点；存储模块：基于存储节点和哈希值的映射关系建立哈希关系表，将待存储数据存储至对应节点后更新哈希关系表；维护模块：对存储数据做持久化处理，定期对存储数据自检和数据备份，若存储信息存储发生异常，则对数据进行维护处理，并将存储信息变更情况更新到哈希关系表中。解决了数据存储异常和存储位置可靠性的问题。 实质审查
一种高性能氮化硅密封环及其制备方法 CN202311358983.1 - 本发明提供了一种高性能氮化硅密封环及其制备方法，涉及密封材料技术领域。本发明将如下质量百分比的粉料（氮化硅90～95％、氧化镁0.5～1％、氧化铈0.5～1％、氧化铬1～3％以及氧化钇3～8％）与粘结剂、分散剂和水进行球磨混合后喷雾干燥，得到复合粉体；将所述复合粉体与β‑Si3N4晶种混合后进行模压成型，得到坯体；将所述坯体在氮气中进行分段气压烧结，得到高性能氮化硅密封环。实施例的实验结果表明，本发明提供的制备方法制备得到的高性能氮化硅密封环的相对密度可达99.99％，硬度可达HV1600，弯曲强度可达852MPa，断裂韧性可达7.36MPa·m1/2。 实质审查
一种具有不同导热性能的氮化硅静电吸盘 CN202311358981.2 - 本发明涉及一种具有不同导热性能的氮化硅静电吸盘，该静电吸盘包括基座、吸盘主体和导热腔体，导热腔体设置在基座和吸盘主体之间，导热腔体包括腔体和导热介质。本发明通过单独设置导热腔体，使得静电吸盘随着导热腔体内导热介质的不同而具有不同的导热性能，从而能够适用真空和不同的等离子体环境。 实质审查