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一种连续式氨解法制备氮化硅粉体的方法 CN202310642660.9 2024-07-26 本发明提供了一种连续式氨解法制备氮化硅粉体的方法，涉及氮化硅制备技术领域，包括：向一体式制备装置的反应容器中加入制备氮化硅粉体所需的溶剂和四氯化硅；向一体式制备装置的反应容器中通入液氨，与步骤一获得的溶液进行反应，从而获得氮化硅前驱体；将氮化硅前驱体输送到一体式制备装置的处理机构中进行处理，从而获得氮化硅粉体。通过设计一种连续式氨解法制备氮化硅粉体的方法，有效的解决了现有的氨解法制备氮化硅粉体的方法，通常是在反应结束后，人工将氮化硅前躯体取出，然后在对其进行后续操作，从而出现氮化硅的生产效率慢的问题。 专利权的授权
一种医用陶瓷材料及其制备方法 CN202310557271.6 2024-09-06 本发明公开了一种医用陶瓷材料及其制备方法，该医用陶瓷材料，按重量份计，其制备原料包括：碱土金属氧化物2‑10份，第二副族元素的氧化物1‑10份，镧系元素的氧化物0.1‑10份，第四副族元素的氧化物1‑20份，第四副族元素的碳化物2‑10份，第五副族元素的碳化物1‑10份，氮化物30‑60份，该医用陶瓷材料具有极佳的力学性能，显著提高了医用植入材料的物理强度，满足了一定的生物相容性，能够应用于假体材料或者组织修复材料领域。 专利权的授权
一种氮化硅粉体研磨装置 CN202310510051.8 - 本发明提供了一种氮化硅粉体研磨装置，涉及氮化硅粉体制备技术领域，包括装置主体，装置主体上设有氮化硅颗粒上料机构、捣碎机构和粉体研磨机构，氮化硅颗粒上料机构出口端与捣碎机构相通，捣碎机构出口端与氮化硅颗粒上料机构和粉体研磨机构相通，粉体研磨机构上方设有氮化硅粉体分类回收机构。通过先对氮化硅颗粒进行捣碎，使其形成不规则形状，从而增加其与磨介石之间的接触面积，同时由于与不规则形状一定程度上增加了氮化硅颗粒的表面粗糙度，从而加速了氮化硅粉体研磨装置的研磨效率，同时采用氮化硅粉体分类回收机构对研磨好的粉末进行分类回收，提高了氮化硅粉体的出厂质量。 实质审查
一种氮化硅粉体的生产工艺 CN202310511017.2 2024-01-12 本发明涉及氮化硅粉体生产技术领域，为此提供了一种氮化硅粉体的生产工艺，包括：通过硅粉预处理装置将原料硅粉进行预处理；将预处理合格的硅粉与稀释剂在搅拌箱中按照一定比例混合，制备成第一混合物后存储在气溶胶生成箱中；向气溶胶生成箱通入一定比例原料氮气将第一混合物吹浮成气溶胶状态，形成第二混合物；将第二混合物放入高温氮化炉中，在高温高压下进行氮化反应，生成氮化硅粉体；将反应后的物料经过冷却、分离处理，将氮化硅粉体和未反应的氮气分离开来；将分离后得到的氮化硅粉体放入粉碎装置中进行粉碎处理；对粉碎后的氮化硅粉体进行纯化处理。本发明氮化硅粉体的生产工艺具有生产效率高、粉体纯度高、粒径分布均匀优点。 专利权的授权
一种氮化硅粉回收再利用的方法 CN202310511395.0 2024-02-09 本发明提供了一种氮化硅粉回收再利用的方法，涉及氮化硅粉回收的技术领域，方法包括步骤一：使用筛分机构筛除回收的氮化硅粉的杂质；步骤二：在浸泡机构中使用酸液去除氮化硅粉杂质中的一氧化硅；步骤三：使用收集机构将步骤二中留下的氮化硅集中收集。本发明通过将待回收的氮化硅粉落入筛分机构中，使用筛分机构将其中一部分大体积杂质去除，将筛分过的剩余氮化硅落入浸泡机构再处理，因为在氮化硅与氧接触会产生一氧化硅，浸泡机构的中酸液可融掉一氧化硅，剩下的为氮化硅颗粒。且本发明将步骤1‑步骤3所用的筛分机构、浸泡机构、收集机构集成到一个装置，便于执行本发明的步骤1‑3。 专利权的授权
一种用于陶瓷探针的碳化硅复合陶瓷材料及其制备方法 CN202310497297.6 2024-11-01 本发明提供一种用于陶瓷探针的碳化硅复合陶瓷材料，按重量份计，原料包括氮化硅30‑50份、碳化硅40‑60份、金属氧化物5‑8份、氮化铝3‑5份、粘结剂5‑15份。本发明通过使用特定的氮化硅、碳化硅等原料成分复配，并添加特定的金属氧化物和粘结剂等成分，制得的碳化硅陶瓷材料具有结构致密、粒径均匀、电阻率均匀，导电率高的优点；且化学稳定性高、耐磨性好、耐高温能力强，使用寿命长。本发明制得的陶瓷材料电导率达到3‑4.5×10‑2S/cm。 授权
一种超高温耐真空氮化硅陶瓷材料及其制备方法 CN202310408685.2 - 本发明提供了一种超高温耐真空氮化硅陶瓷材料及其制备方法，属于氮化硅陶瓷技术领域。本发明提供的超高温耐真空氮化硅陶瓷材料，按质量份数计，包括以下原料：脱氧氮化硅80～95份，碳化硅3～15份，烧结助剂3～10份；所述烧结助剂包括氧化铝、氧化镁和稀土氧化物。实施例的结果显示，本发明提供的超高温耐真空氮化硅陶瓷材料的致密度≥99％，维氏硬度≥18.5GPa，抗弯强度≥800MPa，断裂韧性≥6.5MPa1/2，热导率≥130m·K。 实质审查
一种氮化硅粉末加工的储存装置 CN202310365530.5 2024-02-09 本发明涉及氮化硅粉末加工技术领域，具体为一种氮化硅粉末加工的储存装置，包括箱体一，所述箱体一设置在底座顶端，且所述箱体一内设置有破碎机构和储存机构。本发明通过设置破碎机构和储存机构，有效的解决了现有的氮化硅粉末在加工完成后会直接将其放置到储存罐中，不仅不会对氮化硅粉末进行分类，而且长时间储存会使氮化硅粉末在储存箱底端产生结块的问题。 专利权的授权
一种利用高温旋转炉合成氮化硅粉末的生产工艺 CN202310361447.0 2024-05-03 本发明涉及氮化硅粉末制备技术领域，具体为一种利用高温旋转炉合成氮化硅粉末的生产工艺，包括：首先将硅粉倒入到氮化硅粉末合成装置的高温旋转炉中，然后关闭高温旋转炉的进料口，氮化硅粉末合成装置包括高温旋转炉、研磨筛分装置、自动输送装置；然后使用真空泵将高温旋转炉内空气抽出，关闭真空泵，并向高温旋转炉内通入氮气；启动高温旋转炉，使硅粉在高温下与氮气发生反应生成氮化硅粉末；高温旋转炉内合成的氮化硅粉末通过自动输送装置输送至研磨筛分装置进行研磨及筛分。本发明通过利用高温旋转炉来合成氮化硅粉末，有效改善了现有的氮化硅粉末生产中，由于硅粉处于堆积状态，氮化过程中容易形成一层氮化硅壳，从而降低氮化速度的问题。 专利权的授权
一种氮化硅天线罩生产加工设备 CN202310340198.7 - 本申请涉及天线罩加工领域，特别涉及一种氮化硅天线罩生产加工设备。技术问题：目前的氮化硅天线罩打孔装置没有碎屑粉尘拦截结构，打孔会产生大量的陶瓷碎屑四散开来，污染周围的空气。技术方案：一种氮化硅天线罩生产加工设备，包括有底板和安装架等；底板上侧固接有两个安装架，并且两个安装架呈左右对称设置。本发明通过设置第一挡板将氮化硅天线罩密闭，将打孔产生的碎屑拦截，并与通过第一挡板往氮化硅天线罩内壁吹风，使得陶瓷碎屑在吹落在第二挡板内统一收集。 实质审查