专利标题 公开号/公告号 公开日期 摘要 专利状态
一种低热导率氮化硅透波陶瓷材料及其制备方法 CN202310020466.7 - 本发明涉及于氮化硅功能陶瓷材料技术领域，提供了一种低热导率氮化硅透波陶瓷材料及其制备方法。本发明将原料氮化硅短切纤维、遮光剂、氧化铝、氧化钇、酚醛树脂和溶剂混合后进行球磨，得到湿混料；然后依次进行烘干、过筛和模压成型，得到坯料，最后进行梯度烧结，得到低热导率氮化硅透波陶瓷材料。本发明通过将氮化硅短切纤维和遮光剂进行配合使用，降低了氮化硅透波陶瓷材料的热导率，通过加入酚醛树脂提高其强度；通过使用特定的梯度烧结工艺，获得多孔的氮化硅透波陶瓷材料，从而进一步降低了热导率，同时还降低了介电常数，并避免了造孔剂造成的强度下降问题。 实质审查
一种氮化硅表盘检测设备 CN202310016699.X - 本发明实施例公开了一种氮化硅表盘检测设备，包括有底脚、机壳、筒体和测试组件；所述测试组件用于进行耐磨性能测试。采用本发明，具有通过铁粉随机撞击表盘模拟表盘在实际使用过程中随机位置受到摩擦损伤的情况，测试杆尖端部对表盘产生刮擦，从而对表盘进行刮擦测试，使不同硬度测试杆尖端部与表盘接触，进而达到设置对照组的效果，通过环形压力传感器显示数值对表盘磨损程度进行较为准确的判定，避免出现人工肉眼观察存在较大误差的情况的优点，解决了现有耐摩擦性能检测装置的摩擦方式单一，摩擦方向统一，不符合表盘在实际使用过程中的磨损情况，人工肉眼观察检测结果存在较大的误差，导致检测结果误差较大，精确度较低的问题。 实质审查
一种氮化硅多孔陶瓷材料及制备方法 CN202211690801.6 - 本发明属于氮化硅多孔陶瓷技术领域，具体是涉及到一种氮化硅多孔陶瓷材料及制备方法，制备方法包括以下步骤：分别称取氮化硅粉、成孔剂和表面活性剂，湿磨，混匀，干燥，得原料粉；将原料粉制成陶瓷浆，注模成型，干燥，得生胚；将生胚加热，内部形成孔隙，再烧结，得氮化硅多孔陶瓷材料，本发明提供的氮化硅多孔陶瓷材料的制备方法制得的氮化硅多孔陶瓷材料的气孔率为58.3％‑65.2％，抗弯强度为21.8‑26.7MPa；成孔剂加热到一定温度分解产生气体，促进气孔的形成的同时，也起到的烧结助剂的作用，也能够提高陶瓷材料的机械强度；本氮化硅多孔陶瓷材料的制备方法提高了陶瓷材料的气孔率和机械强度。 实质审查
一种低热导率氮化硅透波陶瓷材料 CN202211664673.8 2023-11-21 本发明提供了一种低热导率氮化硅透波陶瓷材料，包括如下步骤：S1、将氮化硅粉末和烧结助剂，加入无水丙醇进行搅拌、球磨；S2、向其中加入聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯醇缩丁醛酯组合物，继续球磨，得到氮化硅基体浆料；S3、将氮化硅基体浆料进行烘干、粉碎、研磨，得到氮化硅基体粉料；S4、将氮化硅基体粉料成型，得到氮化硅基体坯料；S5、将氮化硅基体坯料进行高温排胶处理；S6、排胶处理的氮化硅基体坯料加入垫料进行填埋，并进行高温烧结处理，烧结完成后即可获得低热导率氮化硅透波陶瓷材料。本发明在保证透波陶瓷材料在确保陶瓷力学和介电性能的基础上，其热导率得到了一定程度的降低。 专利权的授权
一种氮化硅发热膜及其制备方法 CN202211636755.1 - 本发明属于发热膜技术领域，提供了一种氮化硅发热膜的制备方法。本发明以锡源、铟源、钡源和溶剂为原料制备喷涂液，钡和铟作为掺杂元素，有利于降低发热膜的电阻率；然后向氮化硅基体喷涂喷涂液，采用喷涂的涂覆方式能够很好的控制发热膜的厚度，从而控制发热膜的电阻率，而采用氮化硅基体有利于得到耐高温性能好的氮化硅发热膜，延长发热膜的使用寿命；最后经过焙烧在氮化硅基体表面形成了掺杂钡和铟的氧化锡发热膜。实施例的结果显示，本发明提供的制备方法制备的氮化硅发热膜的电阻率为1.13×10‑4Ω·cm，工作温度为580℃，热导率为82W/m·k。 实质审查
一种具有发热膜的氮化硅发热体的制备方法 CN202211609863.X - 本发明提供了一种具有发热膜的氮化硅发热体的制备方法，包括如下步骤：S1、将硅粉、铝粉、碳化硅粉按照特定顺序加入混合，并进行球磨；S2、将球磨后的粉料进行干燥，加入助剂，研磨；S3、将研磨后的粉料单面加压成型；S4、将成型的坯体置于高温炉内，并向其中通入氮气反应；S5、将处理后的坯体进行高温烧结，得到发热体；S6、将发热体进行清洁；S7、配制溶液，并将溶液喷涂至清洁后的发热体表面，沉积后得到产品。本发明确保了发热体和发热膜之间的紧密结合，提高了整体的强度，同时也提高了整体的热转化率。 实质审查
一种氮化硅陶瓷叶轮旋转式加工装置 CN202211450859.3 2024-06-25 本发明提供了一种氮化硅陶瓷叶轮旋转式加工装置，属于叶轮加工技术领域，包括底座，所述底座上端面中部转动连接有支撑柱，所述支撑柱的上端面固定连接有电机机箱，所述电机机箱的上端面固定连接有放置台，所述放置台上端面放置有叶轮本体；夹持机构，所述放置台的上端面外侧设置有夹持机构，夹持机构用与对叶轮本体进行夹持，保证了工人对其施工时的稳定；转动机构，所述底座上端面右侧设置有转动机构；清理机构，所述底座的四周外侧壁上设置有清理机构。该发明通过转动机构与转动机构等的配合，实现了对叶轮本体进行转动的功能，通过清理机构与转动机构的设置，能够在工人对叶轮本体涂胶前对其侧壁清理，提高了工人的工作效率。 专利申请的更正
一种氮化硅烧结炉 CN202211381298.6 - 本发明公开一种氮化硅烧结炉，涉及烧结炉领域；包括炉壳、抽真空系统、气路系统，炉壳内设置有炉胆，炉胆侧壁上设置有加热元件，气路系统包括上气路系统和下气路系统，上气路系统包括上布气管、上进气管、上排气管；下气路系统包括下布气管、下进气管、下排气管；上排气管和下排气管的末端分别与总排气管连接，总排气管与过滤箱固定连接，过滤箱的内部固定连接有第一过滤板，且过滤箱的下端内部中间位置处固定连接有吹风扇，过滤箱的左端固定连接有除尘管，且除尘管的内部固定连接有抽风机，除尘管的另一端固定连接有布袋除尘器，过滤箱的右端下侧固定连接有出气管。本发明能够改善烧结炉内气流流向，从而解决产品质量不稳定的问题。 实质审查
一种氮化硅烧结炉降温装置 CN202211381296.7 - 本发明公开一种氮化硅烧结炉降温装置，包括水冷装置和风冷装置，水冷装置包括水冷套、水冷机和驱动泵，水冷套套设于烧结炉炉体外侧壁并与烧结炉炉体外侧壁之间构成水冷空间，水冷套下端通过进水管连接水冷机，驱动泵设置于进水管上，水冷套上端通过回水管连接水冷机，风冷装置包括气体冷却机构、风机和出风管总成，出风管总成套设于坩埚外，出风管总成上设有多个朝向坩埚侧壁的出风口，出风管总成通过进风管连接风机，风机连接气体冷却机构的输出端，烧结炉炉体上设有回风口，回风口通过回风管连接气体冷却机构的输入端。本发明能够对烧结炉进行全面的降温，使烧结炉炉体和其内部的坩埚能够得到有效的降温处理，缩短烧结炉的降温冷却时间。 实质审查
一种氮化硅陶瓷材料生产用清洗装置 CN202211337588.0 2024-10-29 本发明涉及氮化硅陶瓷材料领域，尤其涉及一种氮化硅陶瓷材料生产用清洗装置。技术问题：现有方式仅通过冲洗对轴套进行清洗，对孔洞粘结的水粉混合物不能清洗干净，且现有方式对氮化硅陶瓷轴套无烘干操作。技术方案：一种氮化硅陶瓷材料生产用清洗装置，包括有输送系统、清洗系统和烘干系统等；壳体安装有输送系统；壳体安装有清洗系统；壳体安装有烘干系统，且烘干系统位于清洗系统后方。本发明将轴套的各个部位清洗干净，并将氮化硅陶瓷轴套清洗后所残留的水吸附，避免再次与空气中的粉尘粘结；采用调整风向的方式进行烘干操作，使得轴套的各个部位均达到较好的干燥效果，投入使用的轴套品质得到大大提升，为设备的顺利运行提供良好的保障。 实质审查