专利标题 公开号/公告号 公开日期 摘要 专利状态
一种片状铜锡合金粉助催化剂 CN201210499923.7 2014-04-30 一种片状铜锡合金粉助催化剂，采用常量分析，Cu含量40～95wt%，Sn含量5～60wt%；采用ICP检测，Pb≤200ppm，Fe＜500ppm，其他各金属杂质单项≤50ppm，其他各非金属杂质单项≤30ppm，表面处理剂含量为0.1～1.0%；采用氢损仪检测，氧含量≤0.4%；采用扫描电镜观测，颗粒形状为鳞片状或稍卷曲的片状，片厚为0.1～1.0μm，颗粒表面粗糙度大，微观比表面积大。本发明比表面积大，纯度高，有害杂质含量低；助催化效果更好，改善触体活性，提高二甲基二氯硅烷的选择性，优化反应过程，提高硅粉转化率以及时空产率，降低消耗，节约成本，提高效益。 专利权的授权
一种片状纯铜粉催化剂的制备工艺 CN201210500083.1 2014-07-09 一种片状纯铜粉催化剂的制备工艺，采用铜屑制备-铜屑研磨-片状铜分级工艺制备片状纯铜粉催化剂。本发明整个工艺过程不引入任何有害环境的元素，有害杂质含量低，产品质量稳定性好；催化特性明显优于普通复合铜粉，使得有机硅单体合成金属催化体系效果获得提升，增加有机硅单体合成、流化床的时空产率，延长合成反应周期，提高二甲基二氯硅烷的生产效率，降低成本，创造效益；配套以Zn、Sn、P等助催化剂，使得有机硅单体合成反应可以根据流化床内杂质状况及触体成分变化而灵活调整，解决复合铜粉存在的活性低、选择性低、随着反应进行催化性能恶化等系列问题。 专利权的授权
一种片状铜锌合金粉助催化剂 CN201210499697.2 2014-10-15 一种片状铜锌合金粉助催化剂，采用常量分析，Cu含量50～95wt%，Zn含量5～49wt%；采用ICP检测，Pb≤120ppm,Fe≤500ppm，其他各金属杂质单项≤50ppm；其他各非金属杂质单项≤30ppm，表面处理剂含量为0.1～1.0wt%；采用氢损仪检测，氧含量≤0.5%；采用扫描电镜观测，片厚为0.1～1.0μm。本发明比表面积大，纯度高，有害杂质含量低；应用于有机硅单体合成，屏蔽反应过程中有害杂质及积碳的负面影响，助催化效果更好；提高触体活性、硅粉转化率以及流化床时空产率，降低成本，增加效益。 专利权的授权
一种片状结晶铜粉及其液相化学制备方法 CN200510120660.4 2009-05-20 本发明涉及一种片状结晶铜粉的液相化学制备方法。该方法以氨基乙酸或氨基丙酸为促进剂，以十六烷基三甲基溴化铵等为分散剂，以氧化亚铜粉体为反应起始物，将促进剂、分散剂溶于去离子水中，并加入反应起始物，搅拌分散；用酸溶液或缓冲溶液将强碱性的还原剂肼溶液的pH值调至中性或弱碱性；将还原剂溶液加入氧化亚铜分散液中，在40～80℃温度下反应1～5小时；再经分离、洗涤和干燥制得片状结晶铜粉。所制得的铜粉为发育良好的结晶粉体，表面平整，呈三角、五边或六边形薄片状，其直径可在1.0～15μm间、厚度在0.2～1.4μm间、颗粒的纵横比可在3～25间调控。 专利权的终止
一种固态铝电解电容器的制备方法及固态铝电解电容器 CN202410778983.5 - 本发明涉及电解电容技术领域，具体是一种固态铝电解电容器的制备方法及固态铝电解电容器，一种固态铝电解电容器的制备方法包括以下步骤：裁切工序、卷绕芯包工序、焊接工序、化成工序、含浸工序和老化工序，所述含浸工序和老化工序之间还包括以下步骤：组立工序；束腰卷口工序；灌胶工序和干燥工序。本发明的方法制备的固态铝电解电容器，具有结构牢靠、密封可靠、吸湿或渗液几率极低和使用寿命长的优点。 实质审查
一种固态铝电解电容器的制备方法 CN202410778962.3 - 本发明公开了一种固态铝电解电容器的制备方法，包括以下步骤：裁切、卷绕芯包、焊接素子、化成、含浸、注塑工艺以及制备成品。本发明采用纳芯包与注塑工艺相结合的方法，熔融的塑封材料与芯包更紧密地结合在一起，保证了芯包和塑封材料之间的结合力，芯包与塑封材料更紧密地结合在一起，避免了出现漏气的情况，提高了铝电解电容器的密封性，从而延长铝电解电容器的使用寿命。 实质审查
一种固态SMD型电容器及其制备方法 CN202410679764.1 - 本发明公开了一种固态SMD型电容器及其制备方法，其属于电容器技术领域，其中，该固态SMD型电容器的制备方法包括以下步骤：将聚合素子置于加热载具上，并将加热载具置于260‑290℃的温度下进行高温处理，使得聚合素子内部残留的溶剂和水汽受热分解，得到改善后的聚合素子；将改善后的聚合素子进行组立、老化，得到固态SMD型电容器。本发明通过对聚合素子进行高温处理，去除其内部残留的溶剂、水汽等受热易分解的物质，可以显著提升电容器的耐回流焊能力，避免电容器在回流焊中因高温导致橡胶塞凸起等问题，进而可以改善电容器在客户应用端上机不良以及产品失效等问题。 实质审查
一种固态电容用的清洗剂清洗方法 CN202410649002.7 - 本发明公开了一种固态电容用的清洗剂清洗方法，属于固态铝电解电容加工技术领域，其技术要点是：包括以下步骤：步骤一：制备清洗剂，所述清洗剂包括碱性物质、表面活性剂以及水；步骤二：将固态电容放置在清洗剂中，完成固态电容的清洗，具有配制简单，能够高效去除残留在导针上的深蓝色分散液及各类污染物，效率较高，清洗效果好的优点。 实质审查
一种高耐溶剂型的导电高分子聚合物铝电解电容的制备工艺 CN202410049969.1 - 本发明公开了一种高耐溶剂型的导电高分子聚合物铝电解电容的制备工艺，包括以下步骤：裁切、卷绕芯包、焊接、化成、含浸、组立以及制备成品。本发明制作简易，仅需在传统工序流程上增加注胶工艺隔绝胶塞与电子工程液的接触面，增强环氧树脂、胶塞与铝壳的紧密度，进而提高电容封口面的耐溶剂的能力，并且本发明在不影响电容的正常使用下有效提高铝电解电容封口的耐溶剂能力，提升产品可靠性，且可以有效提升电容的使用寿命，与浸没式液冷服务器项目高适配性。 实质审查
一种提高封口胶塞面耐高温高压能力的电容制作方法 CN202311664482.6 - 本发明适用于铝电解电容制作技术领域，提供了一种提高封口胶塞面耐高温高压能力的电容制作方法，包括以下步骤：1）裁切；2）卷绕芯包；3）焊接；4）化成；5）含浸；6）组立：采用胶塞对铝壳封口，封装得到组立好的产品；7）制备成品。其中，在步骤6）中，采用厚度≥2.6mm的胶塞，并使用方形束腰轮束腰。本发明解决了铝电解电容器耐高温高压性能差的问题，进而提高电子雷管注塑良率，减少成本。 实质审查