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一种IWZO靶材及其制备方法与应用 CN202211272544.4 - 本发明公开了一种IWZO靶材及其制备方法与应用。本发明的IWZO靶材，包含In、W、Zn、O，以原子摩尔比计，In：W：Zn＝1：N：N×M；其中，所述N满足0.02≤N＜0.0721；所述M满足0.8≤M＜1.2。采用本发明原子比制得的IWZO靶材密度高、颜色均匀性好，且在连续使用过程中不结瘤、不产生尖端放电。此外，采用该IWZO靶材制得的氧化物薄膜具有低电阻率、低表面粗糙度和高透过率，可广泛用于异质结太阳能电池、显示器或光学元器件等的制备。 专利申请的驳回
一种氧化铟锡锌靶材、氧化物薄膜及其制备方法 CN202211101171.4 - 本发明公开了一种氧化铟锡锌靶材、氧化物薄膜及其制备方法与应用。本发明的氧化铟锡锌靶材包含In、Sn、Zn、O，以原子摩尔比计In：Sn：Zn＝0.6988：M+N：N，其中，所述M满足0＜M≤0.0199；所述N满足0＜N＜0.33945；所述氧化铟锡锌靶材的相对密度大于99％。采用本发明的氧化铟锡锌靶材制得的氧化物薄膜表面粗糙度低，相对于氧化铟锡靶材其膜层透过率和电阻无显著性变化，具有广泛的应用价值。 实质审查
一种镧系金属掺杂IZO靶材及其制备方法与应用 CN202211101976.9 - 本发明公开了一种镧系金属掺杂IZO靶材及其制备方法与应用。本发明的镧系金属掺杂IZO靶材按照质量百分比计包括：Ln系金属氧化物0.5％～10％、氧化铟60％～87％和氧化锌5％～15％，所述Ln系金属选自镧、铈、镨、钕、钷、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱、镥中的至少一种。本发明通过控制镧系金属掺杂IZO靶材中各成分的占比并结合化学共沉淀所制得的镧系金属掺杂IZO靶材具有致密性高、颜色均匀且溅射过程不易结瘤等优点，具有广泛的应用价值。 实质审查
一种氧化物靶材、氧化物薄膜及其制备方法与应用 CN202211100981.8 - 本发明公开了一种氧化物靶材、氧化物薄膜及其制备方法与应用。本发明的氧化物靶材含有In2O3、SnO2和ZnO，其中，按照原子摩尔比计，In：Sn：Zn＝9.7711：（A+N）：N；其中，0＜N＜4.386，0.3＜A≤1.2，所述氧化物靶材的密度大于99％。本发明的氧化物靶材密度高、颜色均一，且在连续使用后不会结瘤。采用本发明氧化物靶材制得的氧化物薄膜表面粗糙度低，且导电性和光透过率好，具有广泛的应用价值。 实质审查
一种平面靶材的绑定方法 CN202210872835.0 2024-03-19 本发明涉及一种平面靶材的绑定方法，属于光电功能材料技术领域。该方法包括以下步骤：S1、将靶材绑定面与背板绑定面依次进行喷砂和等离子清洗；制得表面处理后的靶材和表面处理后的背板；S2、将所述表面处理后的靶材及所述表面处理后的背板升温至170℃～180℃后，进行超声波焊接铟；S3、在步骤S2处理后的背板绑定面上制作3mm～5mm深的铟池；S4、将步骤S2处理后的靶材放入所述铟池中，直至完全浸入铟池；S5、对步骤S4处理后的靶材表面采用超声波进行震动；S6、将步骤S5处理后靶材施加作用力后冷却；S7、将步骤S6处理后靶材拼接缝隙中的铟去除后，再次冷却。本发明的绑定方法最终达到99％以上的贴合率。 专利权的授权
一种用于RPD的靶材、透明导电薄膜及其制备方法与应用 CN202210402600.5 - 本发明涉及一种用于RPD的靶材、透明导电薄膜及其制备方法与应用，该靶材由基体和分散在所述基体中的硅元素组成；所述基体由以下质量分数的制备原料组成：三氧化二铟93％～98.5％、二氧化铈1％～6％和二氧化锡0.1％～2％；所述靶材中硅元素的质量浓度为5ppm～200ppm。本发明的靶材在连续镀膜过程下，不会造成裂纹、破裂或者喷溅的产生其结果，可连续稳定地获得低的电阻率和高的红外光透射率的晶质的透明导电膜；同时在铈元素的基础上添加了锡元素，获得的靶材具有更好的导电特性，提升了太阳能电池的转化效率。 实质审查
一种ATO靶材前驱体及其制备方法与应用 CN202111186924.1 - 本发明公开了一种ATO靶材前驱体及其制备方法与应用，该前驱体制备原料包括以下组分：氧化锡和氧化锑；所述氧化锑的质量分数为0.15％～1.8％；所述ATO靶材前驱体的比表面积在15m2/g至25m2/g之间。本发明通过控制氧化锑掺入的比例制得了电阻均匀性优异及光学透过率高的ATO靶材。 专利申请的驳回
一种IWO靶材及其制备方法与应用 CN202110805830.1 - 本发明公开了一种IWO靶材及其制备方法与应用，该靶材IWO靶材包含氧化铟和氧化钨；所述氧化钨的含量以W/（In+W）的原子数比计为0.1～0.15；所述IWO靶材的密度为6.5g/cm～7.18g/cm。本发明的IWO靶材，导电性好且透光率高；同时还解决镀膜过程中产生中毒结瘤问题而异常放电而造成生产效率低的问题；将本发明的靶材应用于太阳能电池中，提升了太阳能电池转化效率。 专利申请的驳回
一种IZO靶材前驱体及其制备方法与应用 CN202110625158.8 2022-06-21 本发明公开了一种IZO靶材前驱体及其制备方法与应用，该前驱体包括以下组分：氧化铟和氧化锌；所述氧化铟和所述氧化锌的质量比为1:0.05～0.2；所述IZO靶材前驱体的比表面积在5m2/g至20m2/g之间。本发明通过控制前驱体的制备方法解决了IZO靶材的均匀性问题；本发明的制备方法减少了IZO粉体的机械混合破碎工序，减少了混合破碎过程中杂质的引入；同时还有效的降低了生产成本。本发明制得的IZO靶材均匀性好，靶材在使用过程中不结瘤，不产生尖端放电，提高了膜层的均匀性。 专利权的授权
一种LED芯片及其制作方法与应用 CN202110573499.5 2023-05-09 本发明公开了一种LED芯片及其制作方法与应用，该LED芯片包括底层，所述底层表面设有N型半导体层（3）；所述N型半导体层（3）分为第一区域和第二区域；所述第一区域表面设有中间层；所述中间层表面设有P型透明导电层；所述P型透明导电层和第二区域表面设有顶层；其中，所述P型透明导电层由包括SnO2复合材料和Cu2O复合材料的一种；所述SnO2复合材料包括SnO2与In2O3；所述Cu2O复合材料包括Cu2O与NiO。本发明通过在外延片的表面沉积P型透明导电层，提高了P型透明导电层中“空穴”向外延片的注入效率，降低了LED芯片正向电压，提升了LED芯片亮度。 专利权的授权