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一种异质结太阳能电池及其制备方法和应用 CN202110182072.2 2023-09-26 本发明提供了一种异质结太阳能电池及其制备方法和应用，该异质结太阳能电池包括依次层叠的TCO‑I膜层，N型非晶硅层、第一本征非晶硅层、N型衬底、第二本征非晶硅层、P型非晶硅层和TCO‑III膜层，其中，TCO‑I膜层为氧化锡含量1wt％～4wt％的ITO，TCO‑III膜层为氧化锡含量≥10wt％的ITO。由于羧基的存在会与TCO膜层中的氧化铟反应，而本发明的异质结太阳能电池，TCO‑I膜层中，二氧化锡的含量为1wt％～4wt％，TCO‑III膜层中，二氧化锡的含量≥10wt％，能有效减少羧基与TCO膜层中氧化铟的反应，避免TCO膜层的腐蚀和TCO膜层与印刷银浆的接触电阻被升高。TCO‑I膜层的氧化锡含量为1wt％～4wt％，兼顾了羟基腐蚀和光的透过率，效果最优。 专利权的授权
一种P-GAN层改性的LED芯片及其制作方法 CN202110102443.1 - 本发明公开了一种P‑GAN层改性的LED芯片及其制作方法，该LED芯片从下至上依次包括以下各层：外延片、ITO透明导电层和顶层；其中，所述外延片上表面为P‑GaN层；所述P‑GaN层需经过等离子体轰击改性处理。其通过对P‑GaN层进行改性，破坏了P‑GaN层表面的晶体结构，降低了ITO透明导电层与P‑GaN层表面的界面能，提高了ITO透明导电层的“空穴”注入效率，从而降低了LED芯片正向电压和提升了LED芯片亮度。 专利申请的驳回
一种LED芯片及其制作方法 CN202110102458.8 2022-08-26 本发明公开了一种LED芯片及其制作方法，该LED芯片从下至上依次包括以下各层：外延片、改性ITO透明导电层和顶层；其中，所述外延片上表面为P‑GaN层；所述改性ITO透明导电层为等离子体轰击处理后的ITO透明导电层。其通过对P‑GaN层和ITO透明导电层进行改性，提高了P型电极及ITO透过导电层的“空穴”注入效率，从而降低了LED芯片正向电压和提升LED芯片亮度；同时提高了P型电极与ITO透明导电层的结合力。 专利权的授权
一种异质结太阳能电池及其应用 CN202011363640.0 - 本发明提供了一种异质结太阳能电池及其应用，本发明的异质结太阳能电池，将经RPD工艺镀膜后的TCO膜层表面进行等离子轰击，可以提高TCO膜层的粗糙度及表面积，提高聚氨酯银浆与TCO膜层的结合，即可提高两者的结合力，也可有效改善两者的接触面积，从而提高电池的光电转化效率。   专利申请的驳回
一种异质结太阳能电池及其制备方法与应用 CN202011130523.X 2022-12-02 本发明公开了一种异质结太阳能电池及其制备方法与应用，包括依次层叠TCO‑I膜层、N型非晶硅层、第一本征非晶硅层、N型衬底、第二本征非晶硅层、P型非晶硅层、TCO‑II膜层；其中，TCO‑I膜层的厚度小于TCO‑II膜层的厚度。本发明结构的异质结太阳能电池能够实现在不增加银用量的前提下，通过优化正反面的TCO的膜厚，实现更优的电池转化效率。 专利权的授权
一种改善高阻膜方阻稳定性的方法及系统 CN202011001933.4 - 本发明公开了一种改善高阻膜方阻稳定性的方法及系统，包括以下步骤：在经等离子清洗后的基片上通过真空溅射法溅射靶材得到所述高阻膜；所述基片温度为90～150℃；所述靶材与基片间的距离为90～120mm。本发明通过改善高阻膜的制备工艺，提高膜层方阻稳定性；本发明方案的工艺气体吹向靶面，使溅射气氛中的氧与溅射的靶材原子团充分接触，使得高阻膜氧化充分，进而改善高阻膜方阻稳定性。   专利申请的驳回
一种高阻膜及其制备方法与应用 CN202011001960.1 - 本发明公开了一种高阻膜及其制备方法与应用，所述高阻膜的膜层方阻在107Ω/□～1010Ω/□之间且在550nm下透光率不低于97％。本发明方案的高阻膜具有较好的抗静电作用，同时还具备在可见光区内的良好透光性，且不影响器件的触控功能；本发明方案的高阻膜可较好地满足In‑cell方式液晶盒减薄后屏蔽层的性能需求，从而更好地促进显示屏尤其是内嵌式触摸屏领域的发展。 专利申请的驳回
一种异质结太阳能电池及其制备方法与应用 CN202011003906.0 2022-07-15 本发明公开了一种异质结太阳能电池及其制备方法与应用，包括依次层叠的TCO‑I膜层、TCO‑II膜层、N型非晶硅层、第一本征非晶硅层、N型衬底、第二本征非晶硅层、P型非晶硅层、TCO‑III膜层、TCO‑IV膜层；其中，所述TCO‑II膜层的功函数高于TCO‑I膜层的功函数且TCO‑IV膜层的功函数高于TCO‑III膜层的功函数。本发明结构的异质结太阳能电池能够有效改善异质结太阳能电池接触电阻，解决了传统异质结电池中不同类型的界面之间的接触电阻高的问题。 专利权的授权
一种用于蒸镀的烧结体及其制备方法 CN202010709835.X 2022-08-26 本发明提供了一种用于蒸镀的烧结体及其制备方法。该烧结体，由氧化铟、掺杂元素x和硅元素制备得到，其中掺杂元素x的含量以x的氧化物/（氧化铟+x的氧化物）的重量比为0.2～5.0％，硅元素在所述烧结体中的含量为5～600ppm，硅元素为纳米氧化硅粉末和二氧化硅溶胶中的至少一种。将氧化铟与掺杂元素x的氧化物混合物料在高温获得具有方铁锰矿结构的、固溶有元素x的氧化铟单一晶相粉末，再与硅元素混合后压制成所需尺寸的胚体，再进行烧结得到烧结体。此烧结体进行RPD镀膜可获得高的迁移率，同时解决了烧结体由于密度低而在使用过程中掉粉影响镀膜过程连续进行而导致生产效率降低的问题，无需再停机针对掉粉问题进行清理，实现了持续的生产，提高了生产效率。 专利权的授权
一种用于活化等离子沉积技术的IWO靶材及其制备方法 CN202010709846.8 2022-11-29 本发明披露了一种用于活化等离子沉积技术的IWO靶材及其制备方法。该氧化物靶材主要由氧化铟组成并含有掺杂元素钨，钨的含量以W/（In+W）的原子数比计为0.003～0.05，除含有上述两种元素计量比外，该烧结体还含有占该烧结体的总重量比为5～600ppm的硅元素，除了钨外、作为掺杂元素还可以进一步加入钛（Ti）、钼（Mo）、锆（Zr）、铪（Hf）元素中的一种或其中几种金属元素的组合，钨与这些金属元素组合的总含量以（W+x）/（In+W+x）的原子数比计为0.003～0.05，除含有上述不同组合的元素计量比外，该靶材还含有占该烧结体的总重量比在5‑600ppm的硅元素。 专利权的授权