专利标题 公开号/公告号 公开日期 摘要 专利状态
一种基于光频梳的一对多点的自由空间光通信系统 CN202411534144.5 - 本发明公开了一种基于光频梳的一对多点的自由空间光通信系统，光信号调制与发射端包括依次连接的高增益多路光频梳源、光偏振控制器、光电调制单元、第一光学放大器、光信号发射器、波长分离模块和光学准直单元，光信号接收与解调端包括依次连接的光信号接收器、第二光学放大器和光电探测器。通过使用高增益光频梳源可以得到频率间距稳定、相干的光信号通道；通过使用波长分离单元，可以简单的将包含多波长的单点光源分离得到多个单波长的光信号，且各个光信号将承载有相同的调制信号，从而达到一点对多点的自由空间光信号同步传送；若使用的光频梳源具有较高重复频率的话，即相邻波长间的间隔较远，则单通道可拥有较高速的传输能力。 公开
一种量子点雪崩光电二极管及其制备方法 CN202411329009.7 - 本发明具体公开了一种量子点雪崩光电二极管及其制备方法，将半绝缘GaAs衬底送入MBE腔，利用MBE腔内高温去除半绝缘GaAs衬底表面的氧化层，在去除表面氧化层的半绝缘GaAs衬底上依次生长GaAs N型接触层、低掺杂GaAs N型缓冲层、InAs/GaAs量子点倍增放大层、GaAs电荷控制层、无掺杂Ge吸光层、P型Ge缓冲层、P型Ge接触层，从而获得基于GaAs衬底的量子点雪崩光电二极管。通过在增益放大区引入InAs量子点材料可显著增加材料中电子空穴离化率比值，降低雪崩光电二极管的噪声，从而显著增加探测器的灵敏度和速率。 公开
基于多量子阱吸收层的单行载流子光电探测器及制备方法 CN202410964810.2 - 本发明公开了基于多量子阱吸收层的单行载流子光电探测器及制备方法，包括衬底以及自下而上依次生长在衬底上的p型接触层、重p型掺杂电子阻挡层、无掺杂多量子阱吸收层、无掺杂收集层和n型接触层，还包括p接触和n接触，所述p接触设于所述p型接触层上，所述n接触设于所述n型接触层上，通过使用无掺杂多量子阱结构作为吸收层来分离光生电子和光生空穴，可解决普通单行载流子光电探测器中p型掺杂光吸收层中的光生电子扩散速度慢的问题。 实质审查
有源反馈激光器的制作方法及有源反馈激光器 CN202410630017.9 - 本申请提出一种有源反馈激光器的制作方法及有源反馈激光器，其中，方法包括：在去氧化衬底上依次生长缓冲层和有源区结构得到激光器生长结构；将激光器生长结构划分为DFB区域和IFB区域，通过区域退火将IFB区域的量子点有源区进行带隙蓝移得到第一阶段激光器结构，再依次进行脊形波导刻蚀和共面N型电极区域刻蚀，对应DFB区域的脊型波导上进行侧壁光栅刻蚀；并在DFB区域和IFB区域的相邻处进行电隔离刻蚀，得到有源反馈激光器。通过集成量子点DFB激光器和经过带隙蓝移的量子点IFB区域得到有源反馈激光器，解决了由于量子点增益介质激光器的调制带宽较低，很难满足其在低成本高速直调方面的应用的问题，实现了高速直调量子点激光器的低成本需求。 实质审查
一种用于粗波分复用的啁啾量子点光放大器及其制备方法 CN202311401091.5 2024-03-08 本发明公开了一种用于粗波分复用的啁啾量子点光放大器及其制备方法，包括将GaAs衬底送入反应腔中去除衬底表面氧化层；再进行n型GaAs接触层、AlGaAs下限制层与GaAs下波导层生长；再进行啁啾量子点有源区的生长；在有源区上依次进行GaAs上波导层、AlGaAs上限制层与p型GaAs接触层的生长；对生长的器件进行III‑V族脊型波导的刻蚀；对器件渡绝缘层与平坦化处理；对器件进行正电极蒸镀；对GaAs衬底或者硅基GaAs衬底进行减薄处理，对器件进行负电极蒸镀；对芯片进行切割、镀膜和封装处理。很大程度降低未来高速光通信网络的器件及布线成本，同时为将来光通信领域的集成、操作上提供极大的便利。 专利权的授权
一种基于掺杂形核层的锗锡化合物材料生长方法 CN202311187199.9 - 本发明公开了一种基于掺杂形核层的锗锡化合物材料生长方法，将硅衬底送入MBE腔中并利用腔内高温去除衬底表面的氧化层，在去除表面氧化层的硅衬底上进行不同温度下的锗外延生长，形成无掺杂锗缓冲层，完成后对其进行循环退火，在退火后的变温无掺杂锗缓冲层上进行高温锗外延生长，形成高温锗缓冲层，在高温锗缓冲层上进行低温多原子掺杂的锗锡外延生长，形成GeSn掺杂形核外延层，在GeSn掺杂形核外延层上进行无掺杂的锗锡有源区材料生长，形成无掺杂锗锡合金外延层。通过在锗锡材料生长时，同时掺杂多种原子，可以增强GeSn薄膜表面平整度，还可增加Sn原子介入Ge晶格，提高所生长的GeSn掺杂形核外延层的晶体质量。 实质审查
一种光泵浦一维光子晶体微纳激光器及其制备方法 CN202310380961.9 - 本发明具体公开了一种光泵浦一维光子晶体微纳激光器及其制备方法，所述方法包括以下步骤：S1、将硅衬底送入分子束外延生长室中以生长一层三五族缓冲层，并在三五族缓冲层上再生长一层由应力超晶格组成的缺陷抑制层；S2、在应力超晶格组成的缺陷抑制层上生长一层AlxGa1‑xAs牺牲层，并在所述牺牲层上生长InAs量子点有源区作为增益材料层；S3、基于电子束曝光技术和等离子体刻蚀技术，在所述增益材料层上刻蚀一维光子晶体缺陷结构，进而得到光泵浦一维光子晶体微纳激光器。本发明可以实现在与CMOS工艺兼容的Si衬底上制备微纳尺寸的一维光子晶体激光器，适合于低成本、高密度集成的激光器阵列制备，具有广泛的应用前景。 专利申请的驳回
一种基于双掺杂的低穿透位错密度薄锗缓冲层制备方法 CN202310006831.9 - 本发明公开了一种基于双掺杂的低穿透位错密度薄锗缓冲层制备方法，将硅衬底送入MBE腔中去除硅衬底表面的氧化层；在去除表面氧化层的硅衬底上生长一层N型双掺杂锗种子层；在所述N型双掺杂锗种子层上进行低温无掺杂锗外延生长，形成低温无掺杂锗外延层；在所述低温无掺杂锗外延层上进行不同温度下的无掺杂锗外延生长，形成变温无掺杂锗外延层，完成后在MBE腔内进行循环退火；在所述退火后的变温无掺杂锗外延层上进行高温锗盖层生长，得到低穿透位错密度薄锗缓冲层。该薄锗缓冲层可用来取代较厚砷化镓缓冲层进而在不影响激光器性能的基础上大幅度降低激光器的总厚度，从而避免在激光器在后续生长中产生的微裂缝问题，提高激光器产能。 实质审查
低穿透位错密度锗锡渐变缓冲层的制备方法 CN202211536421.7 - 本发明具体公开了低穿透位错密度锗锡渐变缓冲层的制备方法，所述方法包括：将硅衬底送入MBE腔中去除表面的氧化层；在去除表面氧化层的硅衬底上生长一层低温N型掺杂锗缓冲层；在低温N型掺杂锗缓冲层上进行中温无掺杂锗外延生长，形成中温无掺杂锗缓冲层，完成后在MBE腔内进行循环退火；在经过循环退火的中温无掺杂锗缓冲层上进行高温无掺杂锗外延生长，形成高温无掺杂锗缓冲层；在高温无掺杂锗缓冲层上进行多个不同锡组分的锗锡合金外延生长，并分别进行恒温退火，形成渐变锡组分的锗锡合金缓冲层。该方法可有效降低锗锡缓冲层的穿透位错密度并提升晶体质量，为后续外延高组分锗锡合金有源区打下坚实的基础。 实质审查
一种多通道自由空间光通信系统 CN202211050978.X - 本发明公开了一种多通道自由空间光通信系统，包括依次连接的量子点锁模激光器、波分复用器、多通道的自由空间光通信单元和与通信单元数量对应的光电解调单元，自由空间光通信单元包括依次连接的光偏振控制器、光电调制单元、第一调制单元、第二调制单元和第一光学放大器，第一光学放大器连接光电解调单元，光电解调单元还用于连接上位机。采用量子点锁模激光器可以产生一系列等间距、相位相干的光学频率梳，该光学频率梳可以有效地减少数据中心内部所需的电光调制单元与电光解调单元的数量，节约了系统搭建的投入成本，且每个光通道的传输能力得到了很大的提升，从而促进高效率的自由空间光通信技术的发展与应用。 专利申请的驳回