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一种太赫兹波产生装置及产生方法 CN202210917521.8 2022-11-22 本发明公开了一种太赫兹波产生装置及产生方法，公开的装置包括锁模激光器、光路耦合器和多波混频装置，锁模激光器与多波混频装置通过光路耦合器耦合连接，锁模激光器作为光频梳源产生一系列相干的等间距光频梳，光路耦合器将锁模激光器产生的等间距光频梳耦合至多波混频装置中，多波混频装置将输入的等间距光频梳进行过滤，筛选出目标光频，使用多波混频技术对目标光频进行拍频以产生太赫兹波。所述太赫兹波产生装置结构简单，在常温下也可以工作，可以高效且可靠的产生太赫兹波。 专利权的授权
一种InAs量子点激光器及其制备方法 CN202210890606.1 2022-11-22 一种InAs量子点激光器及其制备方法，包括依次层叠的衬底、GaAs缓冲层、下包覆层、InAs量子点有源区和上包覆层，所述InAs量子点有源区包括依次层叠的n型掺杂的量子点层、GaAs非掺杂间隔层、p型掺杂的GaAs层和GaAs非掺杂间隔层。本发明提出一种基于GaAs衬底和Si衬底的新型掺杂方式，对于量子点有源区进行了特制的参杂，同时在本应无参杂的有源区参入了少量的电子和空穴从而提升激光器性能。该方法将对1.3µm通讯波段量子点激光器同时进行p型调制掺杂和n型直接掺杂获得兼具较高的特征温度T0和较低的阈值电流密度。 专利权的授权
一种超高频光学频率梳量子点锁模激光器及其制备方法 CN202111064239.1 2023-09-22 本发明具体公开了一种超高频光学频率梳量子点锁模激光器及其制备方法。所述锁模激光器包括衬底、蒸镀在衬底下侧面的负电极，以及自下而上依次生长在衬底上侧面的N型接触层、N型熔覆层、InAs量子点有源区、P型熔覆层、P型接触层和正电极，通过分子束外延生长腔在衬底上依次生长N型接触层、N型熔覆层、InAs量子点有源区、P型熔覆层和P型接触层，并利用电隔离刻蚀将P型接触层分成长度比为1:4‑1:6的可饱和吸收体和增益区，使得可饱和吸收体占锁模激光器总腔长的14％‑20％，从而能够达到无电压条件稳定的亚皮秒锁模状态，有效降低了成本和消耗，并在操作上提供了极大的便利。具有低能耗、高效率、低成本、操作便捷和可规模生产的特点。 专利权的授权
一种PIN型InGaAsSb探测器及其制备方法 CN202110704500.3 - 本发明公开了一种一种PIN型InGaAsSb探测器及其制备方法，所述探测器包括自下而上依次设置的InP（001）衬底、n型InP缓冲层和下接触层、i型近晶格匹配的InGaAsSb吸收层，以及p型InP帽层和上接触层。其中，所述i型近晶格匹配的InGaAsSb吸收层中的Sb组分含量为0.001～0.01，其厚度范围为1500～3000nm，其掺杂浓度为1×1014～1×1016cm‑3。本发明中的所述InGaAsSb探测器能够有效改善材料结晶质量，提升探测器的性能。 专利申请的驳回
基于掺杂（Si）GeSn有源区的CMOS技术兼容硅基光源器件及其制备方法 CN202110482973.3 2022-06-24 本发明提供了基于掺杂（Si）GeSn有源区的CMOS技术兼容硅基光源器件及其制备方法。所述的基于掺杂（Si）GeSn有源区的CMOS技术兼容硅基光源器件包括Si衬底、n型缓冲层、n型下覆层、有源层、p型上覆层及SiN应力膜和n型、p型金属电极，所述有源层为掺杂的GeSn或SiGeSn有源层，所述掺杂的GeSn或SiGeSn有源层的掺杂类型为n型掺杂或p型掺杂，所述n型掺杂可为P（磷）掺杂或Sb（锑）掺杂，所述p型掺杂可为B（硼）掺杂。本发明能大幅提升器件发光效率，提升器件工作温度，降低阈值电流或能耗。 专利权的授权
一种基于砷化镓衬底的锗雪崩光电探测器的制作方法 CN202110440484.1 2021-11-09 本发明具体公开了一种基于砷化镓衬底的锗雪崩光电探测器的制作方法，所述方法包括以下步骤：S1、将半绝缘砷化镓衬底送入MBE腔中去除表面氧化层；S2、在去除表面氧化层的半绝缘砷化镓衬底上生长一层砷化镓n型接触层；S3、在砷化镓n型接触层上生长一层非掺杂砷化镓雪崩倍增层；S4、在非掺杂砷化镓雪崩倍增层上生长一层p型砷化镓电子调节层；S5、在p型砷化镓电子调节层上生长一层非掺杂锗吸收层；S6、将步骤S5获得的砷化镓衬底通过真空传输输送至用于锗生长的MBE腔内并在砷化镓衬底上生长一层锗p型接触层，从而获得基于砷化镓衬底的锗雪崩光电探测器。本发明通过将晶格匹配的锗材料外延生长在砷化镓衬底上，有效减少了器件的暗电流和制造成本。 专利权的授权
一种基于InPOI衬底的InGaAs探测器结构及制备方法 CN202110440480.3 2023-03-24 本发明提供了一种基于InPOI衬底的InGaAs探测器结构及制备方法。所述的一种基于InPOI衬底的InGaAs探测器结构包括依次层叠设置的InPOI衬底、含铝砷化物阻挡层和下接触层、InGaAs吸收层及含铝砷化物窗口层和上接触层，所述InPOI衬底为从InP衬底上剥离下来后，转移至CMOS兼容的SOI衬底上的InP单晶薄膜，所述含铝砷化物阻挡层和下接触层以及所述含铝砷化物窗口层和上接触层的材料均为含铝砷化物，所述InGaAs吸收层的材料为InGaAs。本发明可以实现在与CMOS工艺兼容的SOI衬底上制备InP基InGaAs短波红外探测器，适合于低成本、大规模红外焦平面阵列制备，具有广泛的应用前景。 专利权的授权
一种基于GaAsOI衬底的InAs量子点激光器结构及制备方法 CN202110463249.6 2023-11-10 本发明提供了一种基于GaAsOI衬底的InAs量子点激光器结构及制备方法。所述的一种基于GaAsOI衬底的InAs量子点激光器结构包括依次层叠设置的GaAsOI衬底、GaAs缓冲层和下接触层、AlGaAs下阻挡层、InAs量子点有源区、AlGaAs上阻挡层及GaAs上接触层，所述GaAsOI衬底为从GaAs衬底上剥离并转移至CMOS兼容的SOI衬底上，并经处理后得到的GaAs单晶薄膜。本发明可以实现在与CMOS工艺兼容的SOI衬底上制备InAs量子点激光器，适合于硅基光电集成缺少核心光源的研制，具有广泛的应用前景。 专利权的授权
基于纳米空洞的低穿透位错密度硅基砷化镓层生长方法 CN202011286959.8 2024-01-16 本发明具体公开了一种基于纳米空洞的低穿透位错密度硅基砷化镓层生长方法，所述方法包括以下步骤：S1、将硅衬底送入MBE腔中去除其表面氧化层；S2、在去除表面氧化层的硅衬底上生长一层第一外延层并退火；S3、通过步骤S2的退火后进行砷化铟纳米点生长；S4、通过步骤S3的砷化铟纳米点生长后再生长一层第二外延层并再次退火；S5、通过步骤S4的再次退火后并生长一层砷化镓缓冲层，从而获得基于纳米空洞的低穿透位错密度硅基砷化镓衬底。本发明通过采用纳米尺寸的空洞极大降低了硅衬底上穿透型位错密度，能够有效避免硅衬底在后续砷化镓生长中因使用过多层数超晶格位错过滤层而导致的微裂缝问题，从而提高了硅基砷化镓衬底上器件的性能。 专利权的授权
一种基于硅基量子点光子器件单片集成的方法 CN202010736420.1 2021-11-26 本发明具体公开了一种基于硅基量子点光子器件单片集成的方法，所述方法利用高质量硅上III‑V族直接外延技术和量子点技术，通过将激光器与其它主动和被动光电器件在CMOS兼容的SOI衬底上进行单片集成，充分发挥了硅基光子学的优势，从而获得包括激光器、调制器、硅波导和探测器集成的硅基量子点光发射模块，由于本发明中有源器件均使用同一种量子点外延异质结，并采用MBE设备同时生长而成，因而避免了高成本的二次外延生长。本发明通过采用选择性区域褪火与侧面光栅刻蚀技术，既保证了器件的性能又不需要引入二次外延生长，从而大大降低了成本。 专利权的授权