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一种多孔氧化石墨烯/硼掺杂金刚石半导体复合材料及其制备方法和应用 CN202410002714.X - 本发明公开了一种多孔氧化石墨烯/硼掺杂金刚石半导体复合材料及其制备方法和应用，将鳞片石墨加入胆酸钠溶液中，剪切乳化，形成乳化石墨，在乳化石墨中加入硅酸钠，并调节pH酸化后，获得乳化混合液，将掺硼金刚石膜层复合材料浸润于乳化混合液中，取出干燥后，进行热处理，即得多孔氧化石墨烯/硼掺杂金刚石半导体复合材料，本发明提供的多孔氧化石墨烯/硼掺杂金刚石半导体复合材料，将硼掺杂金刚石的高析氧电位与石墨优异的电子传输性能结合一起，通过端基修饰、高温蚀刻，增强石墨烯的亲水性和活性面积，从而促进表面反应的进行，加速臭氧的合成，提升臭氧模组的性能。 实质审查
一种碳化硅/硼掺杂金刚石半导体复合涂层材料及其制备方法和应用 CN202311833923.0 - 本发明公开了一种碳化硅/硼掺杂金刚石半导体复合涂层材料的制备方法和应用，所述复合涂层材料是以半导体碳化硅作为基体，在基体表面设置梯度硼掺杂SiC半导体过渡层后，再于过渡层表面设置梯度硼掺杂金刚石半导体层；所述梯度硼掺杂SiC半导体过渡层，由上至下硼含量梯度降低；所述梯度硼掺杂金刚石半导体层，由下至上硼含量梯度降低。本发明通过在碳化硅表面设置梯度硼掺杂SiC半导体过渡层后，再于过渡层表面设置梯度硼掺杂金刚石半导体层，所制得的半导体复合涂层材料具有良好的导电性、膜基结合性能和高稳定性。 实质审查
一种硅基硼掺杂金刚石半导体复合涂层材料及其制备方法和应用 CN202311833919.4 - 本发明公开了一种硅基硼掺杂金刚石半导体复合涂层材料及其制备方法和应用，所述复合涂层材料是以半导体硅作为基体，在基体表面设置梯度硼掺杂Si半导体过渡层后，再于过渡层表面设置梯度硼掺杂金刚石半导体层；所述梯度硼掺杂Si半导体过渡层，由上至下硼含量梯度降低；所述梯度硼掺杂金刚石半导体层，由下至上硼含量梯度降低，通过在硅表面设置梯度硼掺杂Si半导体过渡层后，再于过渡层表面设置梯度硼掺杂金刚石半导体层，所制得的半导体复合涂层材料具有良好的导电性、膜基结合性能和高稳定性。 实质审查
一种钛基硼掺杂金刚石半导体复合涂层材料及其制备方法和应用 CN202311833918.X - 本发明公开了一种钛基硼掺杂金刚石半导体复合涂层材料及其制备方法与应用，所述钛基硼掺杂金刚石半导体复合涂层材料由钛基体，设置于钛基体表面的Ti‑B化合物梯度过渡层以及设置于Ti‑B化合物梯度过渡层表面的梯度硼掺杂金刚石半导体层组成，所述Ti‑B化合物梯度过渡层，由下至上硼含量梯度增加；所述梯度硼掺杂金刚石半导体层，由下至上硼含量梯度减少。本发明通过在钛基体表面设置Ti‑B化合物梯度过渡层后，再于过渡层表面设置梯度硼掺杂金刚石半导体层，所制得的复合涂层材料具有良好的膜基结合性能，高稳定性，优异的导电性和电化学性能。 实质审查
一种锆基硼掺杂金刚石半导体复合涂层材料及其制备方法和应用 CN202311833917.5 - 本发明公开了一种锆基硼掺杂金刚石半导体复合涂层材料的制备方法和应用，所述锆基硼掺杂金刚石半导体复合涂层材料由锆基体，设置于锆基体表面的Zr‑B化合物梯度过渡层以及设置于Zr‑B化合物梯度过渡层表面的梯度硼掺杂金刚石半导体层组成，所述Zr‑B化合物梯度过渡层，由下至上硼含量梯度增加；所述梯度硼掺杂金刚石半导体层，由下至上硼含量梯度减少。本发明通过在锆基体表面设置Zr‑B化合物梯度过渡层后，再于过渡层表面设置梯度硼掺杂金刚石半导体层，所制得的复合涂层材料具有良好的膜基结合性能和高稳定性。 实质审查
一种氧化镓基硼掺杂金刚石半导体复合涂层材料及其制备方法和应用 CN202311833913.7 - 本发明公开了氧化镓基硼掺杂金刚石半导体复合涂层材料及其制备方法和应用，所述氧化镓基硼掺杂金刚石半导体复合涂层材料从下至上依次由氧化镓基体，设置在氧化镓基体表面的梯度硼掺杂Ga2O3半导体过渡层，设置于梯度硼掺杂Ga2O3半导体过渡层表面的硼掺杂SiO2缓冲层，以及设置于硼掺杂SiO2缓冲层表面的梯度硼掺杂金刚石半导体层组成，所述梯度硼掺杂Ga2O3半导体过渡层，由下至上硼含量梯度增加；所述梯度硼掺杂金刚石半导体层，由下至上硼含量梯度减少。本发明所制得的半导体复合涂层材料具有良好的电学性能、膜基结合性能和高稳定性。 实质审查
一种钽基硼掺杂金刚石半导体复合涂层材料及其制备方法和应用 CN202311833912.2 - 本发明公开了一种钽基硼掺杂金刚石半导体复合涂层材料及其制备方法和应用，所述钽基硼掺杂金刚石半导体复合涂层材料由钽基体，设置于钽基体表面的Ta‑B化合物梯度过渡层以及设置于Ta‑B化合物梯度过渡层表面的梯度硼掺杂金刚石半导体层组成，所述Ta‑B化合物梯度过渡层，由下至上硼含量梯度增加；所述梯度硼掺杂金刚石半导体层，由下至上硼含量梯度减少；所述梯度硼掺杂金刚石半导体层中还含有Ta元素掺杂。本发明所提供的复合涂层材料具有良好的膜基结合性能，优异的导电性，高稳定性和良好的电化学性能。 实质审查
一种铌基硼掺杂金刚石半导体复合涂层材料及其制备方法和应用 CN202311833915.6 - 本发明公开了一种铌基硼掺杂金刚石半导体复合涂层材料及其制备方法和应用，所述铌基硼掺杂金刚石半导体复合涂层材料由铌基体，设置于铌基体表面的Nb‑B化合物梯度过渡层以及设置于Nb‑B化合物梯度过渡层表面的梯度硼掺杂金刚石半导体层组成，所述Nb‑B化合物梯度过渡层，由下至上硼含量梯度增加；所述梯度硼掺杂金刚石半导体层，由下至上硼含量梯度减少；所述Nb‑B化合物梯度过渡层中，含有Nb2C相和/或NbC相；本发明通过在铌基体表面设置Nb‑B化合物梯度过渡层后，再于过渡层表面设置梯度硼掺杂金刚石半导体层，所制得的复合涂层材料具有良好的膜基结合性能，优异的导电性，高稳定性和良好的电化学性能。 实质审查
螺旋内循环式电化学废水处理设备及其运行方法 CN202311830613.3 - 本发明提供了一种螺旋内循环式电化学废水处理设备及其运行方法，其中，设备包括槽体以及设置在槽体内的配水室、反应室和排水室；在槽体内配水室和排水室位于两端；反应室衔接在配水室和排水室之间；反应室与配水室之间设置有带有第一水流开口的第一隔板；排水室与反应室之间设置有带有第二水流开口的第二隔板；反应室内分割成第一升流区、中间沉流区以及第二升流区；第一升流区和第二升流区内均容置有BDD电解模组；第一升流区与中间沉流区之间形成第一废水环流，第二升流区与所述中间沉流区之间形成第二废水环流。本发明设备反应室内集成了2侧BDD电解模组，废水螺旋行进，结构紧凑，电解更加充分。 实质审查
一种废水废气处理设备及废水废气处理方法 CN202311798665.7 - 本发明提供了一种废水废气处理设备及废水废气处理方法，设备包括池体和气液混合布水系统；池体内设置有导流区、上升流区、下降流区和自养菌处理区；上升流区和下降流区并排设置在导流区和自养菌处理区之间，上升流区和下降流区均包括靠近导流区的硫酸盐还原菌处理段和靠近自养菌处理区的异养菌处理段；自养菌处理区的上方设有溢流区；气液混合布水系统包括连通导流区引出的进水管和上升/下降流区引出的布水管的第一气液混合通路和连通溢流区引出的循环管和上升/下降流区引出的布水管的第二气液混合通路。本发明可同步硝化反硝化并强化反硝化作用，通过自养、异养、硫酸盐还原降低硫自养反硝化中硫酸盐的排放量，效率高能耗小。 实质审查