- 专利标题 公开号/公告号 公开日期 摘要 专利状态
- 一种掺杂金刚石-氧化钌耦合电极及其制备方法和应用 CN202211070904.2 - 本发明公开了一种掺杂金刚石‑氧化钌耦合电极及其制备方法和应用，所述掺杂金刚石‑氧化钌耦合电极包括基底以及设置于基底表面的电极工作层，所述电极工作层为双层膜结构，从下至上，依次为氧化钌膜层和掺杂金刚石膜层，所述氧化钌膜层中添加有掺杂金刚石颗粒。该种耦合电极结合了氧化物涂层电极和掺杂金刚石电极的优势，同时具有异质结效应，具备良好的导电性、耐腐蚀性和机械强度，可用于电催化污水降解、化学电池正极轻质板栅、电化学合成、电信号探测、尾气处理及其他相关电化学领域。 实质审查
- 一种氧化铱-掺杂金刚石双膜层电极及其制备方法和应用 CN202211070903.8 - 本发明公开了一种氧化铱‑掺杂金刚石双膜层电极及其制备方法和应用，所述掺杂金刚石‑氧化铱耦合电极包括基底以及设置于基底表面的电极工作层，所述电极工作层由氧化铱膜层以及掺杂金刚石膜层组成，所述氧化铱膜层由氧化铱基体，以及均匀分散于氧化铱基体中的掺杂金刚石颗粒组成，本发明提供的双膜层电极结合了氧化物涂层电极和掺杂金刚石电极的优势，具有异质结效应，具备良好的导电性、耐腐蚀性和机械强度，可用作电催化污水降解、化学电池正极轻质板栅、电化学合成、电信号探测及其他相关电化学领域。 实质审查
- 一种基于掺杂金刚石颗粒的水处理三维电极及其制备方法 CN202111106654.9 2022-12-30 本发明公开了一种基于掺杂金刚石颗粒的水处理三维电极及其制备方法，以掺硼金刚石平板电极为阳极电极，钛板为阴极电极，掺杂金刚石颗粒为填料，填料通过组装构成填料模组；所述掺杂金刚石颗粒包含核心材料，以及包覆核心材料的掺杂金刚石薄膜，其中掺杂元素选自为硼、氮、磷、锂中的一种或多种，所述核心材料选自金刚石颗粒、掺硼金刚石颗粒、金属颗粒、陶瓷颗粒中的至少一种，本发明中，以掺杂金刚石颗粒为填料，其具有疏松多孔结构，极大的增加了电化学活性面积和可吸附面积，另外由于阴极和阳极之间的电极化导致的填料产生微电流，从而使得本三维电极可以在较低的电压下获得较高的电流密度，从而提高了电催化产生活性中间体的性能。 专利权的授权
- 一种碳材料/金属修饰的掺杂金刚石颗粒集成传感器及其制备方法和应用 CN202111084124.9 2024-10-01 本发明公开了一种碳材料/金属修饰的掺杂金刚石颗粒集成传感器及其制备方法和应用，包括工作电极、对电极、参比电极，基底，所述工作电极由至少一颗掺杂金刚石颗粒组成，所述掺杂金刚石颗粒由内至外包含载体颗粒、包覆层，修饰层，所述载体颗粒为含硼金刚石颗粒或纯金刚石颗粒，所述包覆层为掺杂金刚石薄膜，其中掺杂元素选自为硼、氮、磷中的一种或多种，所述修饰层选自碳材料修饰或金属修饰中的至少一种；本发明提供的一种碳材料/金属修饰的掺杂金刚石颗粒集成传感器，可在基底上设置多个工作电极，任意一个工作电极可以通过不同的修饰方式实现多种电活性物质的检测，且具有良好的线性响应，检测灵敏度高。 专利权的授权
- 一种掺杂金刚石颗粒传感器及其制备方法和应用 CN202111078508.X 2024-10-01 本发明公开了一种掺杂金刚石颗粒传感器及其制备方法和应用，所述掺杂金刚石颗粒传感器包括工作电极、对电极和参比电极，所述工作电极由玻璃管、封装于玻璃管中的铜丝，以及与铜丝相连并暴露在外的掺杂金刚石颗粒构成；所述掺杂金刚石颗粒包括载体颗粒、包覆层，所述载体颗粒为含硼金刚石颗粒或纯金刚石颗粒，所述包覆层为掺杂金刚石薄膜，其中掺杂元素选自为硼、氮、磷中的一种或多种，本发明以高温高压合成的单晶结构的金刚石颗粒或含硼金刚石颗粒作为载体颗粒，在其表面生长多晶的掺杂金刚石薄膜，最终所得掺杂金刚石颗粒具有优异的导电性，所制作的传感器具有良好的线性响应，检测灵敏度高。 专利权的授权
- 一种废水污染物电化学降解装置 CN202110449854.8 - 本发明公开了一种废水污染物电化学降解装置，旨在实现废水的充分电解矿化。为此，本申请提供的废水电化学处理装置，包括反应槽和设置于所述反应槽内的电极模组，所述电极模组包括阳极板和阴极板，所述阳极板和阴极板在所述反应槽内自下到上平行交替分布，将所述反应槽内分隔成左右往复弯折延伸呈蛇形设置的废水处理流道，所述反应槽的上部设有与所述废水处理流道的顶端连通的出水口，下部设有与所述废水流道的底端连通的进水口。 实质审查
- 一种CVD金刚石涂层前WC-Co基体预处理工艺 CN202110422011.9 2022-05-24 本发明公开了一种CVD金刚石涂层前WC‑Co基体预处理工艺，包括如下步骤：将WC‑Co基体进行碱蚀处理，然后进行酸蚀处理，再采用电化学腐蚀处理，获得表面深度脱钴的WC‑Co基体，然后使用金刚石微纳米复合粉末对经深度脱钴的WC‑Co基体进行干法喷砂、然后再使用含金刚石微纳米复合粉末的砂浆进行湿法喷砂，获得经喷砂处理的WC‑Co基体，再将经喷砂处理的WC‑Co基体置于含金刚石粉末的悬浊液中种植籽晶，最后进行热处理。本发明预处理工艺将深度脱钴与喷砂处理有效结合，在提高脱钴效率的同时增强膜基结合力，可有效提高涂层的耐磨性能和使用寿命。 专利权的授权
- 一种CVD金刚石涂层前基体预处理工艺 CN202110417962.7 2022-05-24 本发明公开了一种CVD金刚石涂层前基体预处理工艺，包括如下步骤，将基体进行碱蚀处理，然后进行酸蚀处理，然后使用金刚石微纳米复合粉末对经酸蚀处理的基体进行干法喷砂、然后再使用含金刚石微纳米复合粉末的砂浆进行湿法喷砂，获得经喷砂处理的基体，再将经喷砂处理的基体置于含金刚石粉末的悬浊液中种植籽晶，最后进行热处理。本发明中首先采用酸碱二步法对基体表面进行初步清洗和刻蚀，随后采用干湿法混合喷砂处理，提高基体表面粗糙度，加强涂层和金刚石之间的机械锁和效果，并消除应力集中，缓解残余应力，从而提高膜基结合力。 专利权的授权
- 一种DLC/Me-C复合薄膜及其制备方法 CN201910249651.7 2020-02-04 一种DLC/Me‑C复合薄膜及其制备方法，所述复合薄膜是在金属或合金基体表面采用磁控溅射技术依次制备Me‑C薄膜、DLC薄膜。其制备方法是是将金属或合金基体置于磁控溅射设备中，在金属或合金基体表面原位制备Me‑C薄膜和DLC薄膜。本发明采用射频偏压辅助磁控溅射沉积DLC，高效率地制备出膜基结合强度高，力学性能、耐摩擦性能和耐腐蚀性能均优异的类金刚石薄膜。本发明选用Me‑C过渡层作为缓冲层，解决了DLC膜内应力过高的问题；同时在制备Me‑C缓冲层之前，使用等离子体轰击基底，制备非晶改性层，改善基体表面状态，减小基体和第二相之间腐蚀电位，结果证实非晶层/Me‑C/DLC膜具有优异的力学性能和耐腐蚀性能。 专利（申请）权的转移
- 一种抗磨损耐腐蚀的DLC/SiNx复合薄膜及其制备方法 CN201910249636.2 2020-02-04 一种抗磨损耐腐蚀的DLC/SiNx复合薄膜及其制备方法；所述复合薄膜在金属或合金基体表面制备非晶态金属或合金改性层后，采用磁控溅射技术依次制备SiNx薄膜、DLC薄膜。其制备方法是将金属或合金基体置于磁控溅射设备中，采用等离子轰击金属或合金基体表面，对金属或合金基体表面进行离子刻蚀或者离子刻蚀的同时进行离子注入，得到表面改性层后，采用磁控溅射在表面改性层上原位制备SiNx薄膜和DLC薄膜。本发明制备的类金刚石薄膜具有低成本效率高的优势。可以对基底进行离子清洗，也能提升含碳气氛的离化率，同时可以施加基底偏压，有效提升复合膜的综合性能，特别是射频基底偏压不会随薄膜厚度的增加而大幅降低偏压效果，适合大规模应用。 专利（申请）权的转移