专利标题 公开号/公告号 公开日期 摘要 专利状态
抗热震性能测试方法及系统 CN201910792448.4 - 本发明涉及一种抗热震性能测试方法及系统，抗热震性能测试方法包括如下步骤:对待检测件进行加热；对待检测件进行骤冷；对待检测件施压并在预设时间段内保压。若在预设时间段内待检测件断裂，则测试结束；若在预设时间段内待检测件未断裂，则循环执行加热、骤冷、施压并保压的步骤，直至待检测件断裂，并统计循环次数。本发明提供的抗热震性能测试方法及系统具有较佳的直观性及即时性。 实质审查
氮化硅陶瓷材料及其制备方法和陶瓷模具 CN201910593679.2 2020-05-05 本发明涉及一种氮化硅陶瓷材料及其制备方法和陶瓷模具，其按重量百分比计包括如下组分：氮化硅粉体80％～98％，氮化硅晶须和碳化硅晶须共1％～10％，及稀土氧化物1％～10％。上述氮化硅陶瓷材料，采用上述特定的组分及配比，通过氮化硅晶须和碳化硅晶须和稀土氧化物对氮化硅粉体的共同作用，不仅可以增强材料的抗热冲击性能，还能够提高氮化硅陶瓷材料的抗弯强度以及断裂韧性。 专利（申请）权的质押、保全及解除
一种制备氮化硅陶瓷轴承球的方法 CN201810665183.7 2021-07-13 一种制备氮化硅陶瓷轴承球的方法，包括以下步骤：（1）粉料处理；（2）成球；（3）陈腐；（4）等静压；（5）脱胶；（6）烧结；（7）精加工。本发明提供的氮化硅陶瓷轴承球，具有生产效率高、生产成本低、产品性能稳定的优点。 专利（申请）权的质押、保全及解除
用于氮化硅升液管的涂层及其制备方法 CN201510860097.8 2017-07-18 本发明公开了一种用于氮化硅升液管的涂层及其制备方法，包括依次层叠的打底料、第一涂料层和第二涂料层，所述打底料用于与氮化硅升液管的表面直接接触；所述打底料由硅胶组成，所述第一涂料层由氧化锌粉末、氮化硅粉末和硅胶组成，所述第二涂料层由氧化锌粉末、氮化硅粉末和硅胶组成，所述第二涂料层中氮化硅的含量大于所述第一涂料层中氮化硅的含量。本发明提供的涂层生产成本降低、生产效率大幅提高，而且对氮化硅升液管的使用寿命有显著的提升，使用寿命延长至6～10个月，操作时不易结渣，使清渣的周期延长至15～30天一次，且清渣时容易清理，不易造成损伤。 专利（申请）权的质押、保全及解除
三维多孔材料及其制备方法 CN201510861293.7 2017-09-29 本发明公开了一种三维多孔材料及其制备方法，包括设计目标三维多孔材料的三维结构，制备结构与目标三维结构相同的聚氨酯泡沫；将氮化硅粉末、碳化硅粉末、二氧化硅粉末和氮化硼粉末混合，加入丙烯酸铵水溶液和聚乙烯醇水溶液，配制成浆料；将浆料挤压灌注到聚氨酯泡沫中，然后将灌注有浆料的聚氨酯泡沫干燥，再将灌注有浆料的聚氨酯泡沫置于惰性气体中进行烧结，得到氮化硅骨架；将功能材料制成泥浆，再将氮化硅骨架压进泥浆中，得到充填有泥浆的氮化硅骨架；然后进行预烧结，再将充填有泥浆的氮化硅骨架放入腐蚀溶液中；将泥浆骨架进行烧结，得到与目标三维结构相同的三维多孔材料。本发明可制备成可设计的复杂形状三维结构的以各种功能材料为基础材料的多孔材料。 专利（申请）权的质押、保全及解除
氮化硅材料及其制备方法 CN201510860010.7 2017-10-17 本发明公开了一种氮化硅材料及其制备方法，包括将硅粉、石墨粉、钇铝硅锂镁化合物和氮化硅粉混合，得到混合粉末；然后向所述混合粉末中加入聚乙烯醇水溶液、丙烯酸铵水溶液和水，配成料浆；将所述料浆球磨后造粒，然后成型为坯体；将所述坯体干燥后放入微波气氛烧结炉进行烧结，烧结后得到所述氮化硅材料。通过本发明制备得到的氮化硅材料属于高纯，由于材料中更是包含了优质的氮化硅晶须，所以可以达到比氮化硅理想性能还要优越的性能，应用效果和应用领域得到了质的提升。 专利（申请）权的质押、保全及解除
一种氮化硅发热体及其制备方法 CN201510841326.1 - 本发明公开了一种氮化硅发热体及其制备方法，该氮化硅发热体由发热源及发热本体组成，所述发热源为钨丝，所述发热本体以氮化硅(Si3N4)、三氧化二铝（A1203)、三氧化二钇（Y203）、氮化铝（A1N）为原料，经配制研磨、模压成型、高温烧结的制备方法制备而成，以原料的总重量计，原料中名组分的重量份数为：氮化硅(Si3N4)80～95、三氧化二铝（A1203)0.1～5、三氧化二钇（Y203）、2～8氮化铝（A1N）3～5。使用该方法所生产出的氮化硅发热体具有较高可靠性和安全性，断裂韧性增加，弯曲强度增加。 专利申请的驳回
一种氮化硅坩埚的制备方法 CN201510892717.6 - 本发明公开了一种氮化硅坩埚的制备方法，采用冷等静压成型，包括升压、保压、泄压三个过程，其中，升压过程可分为三个阶段，对应于粉料压缩，第一阶段中，密度随压力的增加而急速增加，第二阶段中，随着压力增加，密度增加较慢，第三阶段中，密度几乎不随压力增加而变化。本发明提高了氮化硅坩埚的成型质量。 专利申请的驳回
一种氮化硅坩埚 CN201510892633.2 - 本发明公开了一种氮化硅坩埚，包括第一坩埚、第二坩埚、吊耳、坩埚罩、限位块、第一腔体、第二腔体、坩埚内环和通孔，所述第二坩埚的上端安装有限位块，所述坩埚罩安装在第二坩埚的上端，所述坩埚罩的下端与限位块对接，所述第二坩埚的外侧左右两端均安装有吊耳，所述第二坩埚的内部安装有第一坩埚，所述第二坩埚与第一坩埚之间为第二腔体，所述第一坩埚的内部为第一腔体，所述坩埚内环安装在第一腔体内，所述第一坩埚的左右两端均开设有通孔。本发明具有制作简单，成本低，体积小、重量轻，传热效率高等优点。 专利申请的驳回
一种碳化硅多孔陶瓷的制备方法 CN201510891733.3 - 本发明公开了一种碳化硅多孔陶瓷的制备方法，包括以下步骤：S1、将70wt%长石、12wt%高岭土和18wt%二氧化硅混合球磨，球磨后陶瓷粘结剂粉料的粒径为5～10μm；S2、用去离子水配制2～3Wt%的羧甲基纤维素水溶液；S3、把SiC粉料和羧甲基纤维素溶液按质量比10～15：l的比例混合均匀，加入陶瓷粘结剂搅拌均匀；S4、将6～8%作为造孔剂的石墨与SiC粉料混合均匀；S5、将此混合好的粉料单向压成Ф50～Ф80mm的圆片；S6、在空气气氛中烧结，烧结温度为1300～1400℃，保温时间为3～5h，最后随炉冷却。本发明的碳化硅多孔陶瓷的制备方法，使碳化硅多孔陶瓷具有较高的气孔率和抗弯强度。该发明的工艺简单，成本低，可规模化生产。 专利申请的驳回