专利标题 公开号/公告号 公开日期 摘要 专利状态
一种自动上下料装置的伸缩联动机构、自动上下料装置及上下料玻璃的方法 CN201811083428.1 - 本发明公开了一种用于平板玻璃抛磨设备的自动上下料装置的伸缩联动机构，包括伸缩组件以及带动所述伸缩组件自由伸缩的驱动组件，所述伸缩组件的一端固设有摇摆架以及带动所述摇摆架转动的旋转驱动组件，所述摇摆架包括用于上料前清洗吸附垫并限制上下料时玻璃位置的挡板和用于将玻璃与吸附垫压实的滚筒。本发明还相应提供一种包括上述伸缩联动机构的自动上下料装置和利用上述自动上下料装置上下料玻璃的方法。本发明自动上下料装置包括滚轮支撑台、伸缩联动机构、起爪机械臂，上述各部件相互配合，即可轻松实现玻璃的自动上下料，整个过程完全实现自动化操作，自动化程度高，可大大减小人力成本。 专利（申请）权的转移
一种高世代平板显示玻璃抛光机及其加工玻璃的方法 CN201811003620.5 2020-09-15 一种高世代平板显示玻璃抛光机，包括机座、下定盘部件、上定盘部件、抛光液供给系统以及自动控制系统，下定盘部件设于机座上，下定盘部件包括下定盘、设于下定盘上表面的吸附垫以及第一驱动装置，上定盘部件包括上定盘支架与上定盘系统，上定盘系统包括上定盘、设于上定盘下表面的抛光垫以及第二驱动装置，上定盘系统通过水平驱动系统可前后、左右滑动的固设于上定盘支架上，上定盘支架通过旋转连接部件与机座连接，上定盘支架与机座之间设有用于实现上定盘支架绕旋转连接部件转动的竖向驱动系统。本发明还提供一种上述玻璃抛光机加工玻璃的方法。本发明的装置结构简单、为实现上下料的自动化操作做好了结构上的准备。   专利权的授权
一种拆轴机及拆轴方法 CN201710156630.1 - 本发明公开了一种拆轴机及拆轴方法，拆轴机包括连续送料机构和拆轴机构，连续送料机构设有装卸料区和拆轴区，拆轴机构设于拆轴区，当拆轴机构执行拆轴动作时，连续送料机构暂停送料；当拆轴机构完成拆轴动作后，连续送料机构继续执行送料动作。拆轴方法是连续送料机构将待拆轴的轴类零件在装卸料区装料，并将轴类零件输送至拆轴区后暂停，拆轴机构执行拆轴动作；拆轴机构完成拆轴动作后，连续送料机构继续执行送料动作，并将已拆轴的轴类零件从拆轴区送回装卸料区并先后完成卸料和装料。该拆轴机及拆轴方法具有自动化程度高、操作方便、拆轴速度快、拆轴效率高、成本低和安全性高的优点。 专利申请的驳回
改进抛光件吸附方式的抛光机 CN201410080721.8 2016-06-29 本发明公开了一种改进抛光件吸附方式的抛光机，包括机架、吸附上盘、吸附下盘、上盘驱动系统、下盘驱动系统和抽真空系统，上/下盘驱动系统包括一中心轴，中心轴的底部与吸附上/下盘相连接，中心轴内开设有封闭式连接气路，中心轴靠近底部位置设有一旋转气路接头，旋转气路接头连通至封闭式连接气路，旋转气路接头外气路接口，吸附上/下盘开设有气路通孔，各气路接口通过连接气管与吸附上/下盘上开设的气路通孔连通；吸附上/下盘的下/上方设有紧贴其下表面的缓冲垫，缓冲垫的表面开设有通透式吸附槽，气路通孔的下/上端对齐吸附槽。本发明的结构简单、成本低、投资小、操作方便，有利于实现后期自动化抛光。 专利权的授权
下贴式单面抛光机 CN201110301111.2 - 下贴式单面抛光机，下机体部分中设置有一个可在水平面内转动的下定盘，下定盘通过支撑板以及轴承连接到下机体底部的主电机上，另外，下定盘上还粘贴有吸附垫；而上定盘结构上则通过设置三通结构，连接上定盘两旁注液软管以及中间注液软管，在中间注液软管下部还设置有分支注液软管，且上定盘结构上部还设置有拨轮以及拨杆，拨轮以及拨杆的上端通过链轮和安装座连接旋转电机以及倾斜气缸，同时，在上定盘结构上部通过主轴还连接有一个升降气缸，升降气缸可通过主轴将抛光压力加到上定盘上。本发明操作方便，在不影响加工精度的情况下，可利用同样尺寸的机器，加工1.5~2倍于原可加工的最大尺寸的玻璃产品。 专利申请的驳回
一种内嵌PMOS的双向可控硅静电防护器件及其制作方法 CN202211589424.7 - 本发明公开了一种内嵌PMOS的双向可控硅静电防护器件，包括P型衬底；衬底中设有N型埋层；N型埋层上方有N型深阱；N型深阱内设有第一P阱、第二P阱，以及第一N阱；利用跨接在第一N阱与第二P阱中多晶硅栅接阴极来引导电流，其中接阴极的多晶硅栅能产生垂直向上的电场力，促进载流子在P阱中的运动，从而减小导通电阻；第一N阱中的P+与第一P阱中的N+短接，使其在传统的双向可控硅静电防护器件的基础上增加一条ESD电流泄放路径，可有效地抑制SCR泄放路径的正反馈效应；本发明的可控硅整流器静电释放器件具有低触发电压及高的抗ESD能力的特点，可在有效避免闩锁效应的同时实现高防护等级。 实质审查
一种增强型高鲁棒性可控硅静电防护器件及其制作方法 CN202211588672.X - 本发明公开一种增强型高鲁棒性可控硅静电防护器件及其制作方法，包括P型衬底、两个N阱、和P阱；由于P阱和右侧N阱两侧的浓度较高，雪崩击穿容易发生在该区域，通过该设计引导雪崩电流，优化器件的放电路径；P型衬底上方两个N阱和一个P阱，左侧N阱第一N+注入区作为器件的阴极，第二P+注入区和P阱中的第三P+注入区电极连接在一起引导电流，第二N+注入区跨接在N阱和P阱上方，最右侧第三P+注入区作为器件的阳极。该器件在降低导通电阻和触发电压的情况下，增加不同的静电放电泄放路径提高维持电压和失效电流，有效保护核心电路，远离闩锁风险并提高芯片的ESD防护等级。 实质审查
NMOS触发的高维持电压单向可控硅静电防护器件及其方法 CN202211585388.7 - 本发明公开了一种NMOS触发的高维持电压单向可控硅静电防护器件及其制作方法，首先，本发明选用单向可控硅结构，利用了NMOS结构与二极管结构完成对器件的触发过程，在传统的单向可控硅静电防护器件的基础上多出了一条表面ESD电流泄放路径，可有效地抑制SCR泄放路径的正反馈效应，本发明的可控硅整流器静电释放器件具有高维持电压高失效电流的特点，可在有效避免闩锁效应的同时实现高防护等级，该器件能够应用于0～5.5V工作电压的I/O端口的ESD防护。 实质审查
一种强鲁棒性非对称双向可控硅静电防护器件及制作方法 CN202211588593.9 - 本发明提供一种强鲁棒性非对称双向可控硅静电防护器件及制作方法，包括P型衬底、N型深阱、N型阱、P型阱等；第一N阱与第二P+注入区，第二N阱与第五P+注入区，通过高掺杂P+注入与N阱雪崩击穿来降低器件触发电压；第一P+注入区、第三N+注入区二个电极连接在一起作为器件的阴极；第一N+注入区、第三P+注入区、第二N+注入区、第四P+注入区四个电极连接在一起作为器件的阳极；该器件在降低器件触发电压的情况下，利用不同的静电放电（Electrostatic Discharge，ESD）泄放路径实现I/O端口双向防护，从而有效地保护传输正负电平的芯片I/O信号端口；该器件具有低触发电压，高失效电流的特点，能够应用于I/O端口的双向ESD防护。 实质审查
低触发电压高维持电压单向可控硅静电防护器件及方法 CN202211602676.9 - 本发明公开了一种低触发电压高维持电压的单向可控硅静电防护器件，利用了在阳极N阱的左侧增添PW/P+结构P+，并阳极相连；在阴极P阱的右侧增添一个NW/P+结构，P+注入与阳极N阱内的新嵌入的N+结构短接，并利用GGNMOS结构完成触发过程，在传统的单向可控硅静电防护器件的基础上多出了两条ESD电流泄放路径，可有效地抑制SCR泄放路径的正反馈效应；本发明的可控硅整流器静电释放器件具有高维持电压高失效电流低触发电压的特点，可在有效避免闩锁效应的同时实现高防护等级。 实质审查