专利标题 公开号/公告号 公开日期 摘要 专利状态
一种非对称带栅双向可控硅静电防护器件及其制作方法 CN202010489554.8 2024-11-26 本发明公开了一种非对称带栅双向可控硅静电防护器件及其制作方法，包括P型衬底；P型衬底中设有N型埋层；第二N型深阱上有第一N阱，第三N型深阱上有第二N阱；第一N阱和第二N型深阱不等宽，第二N阱和第三N型深阱不等宽；第一P阱上有第一P+注入；第二P阱上有第二P+注入、第一N+注入和第一栅极；第三P阱上有第二栅极、第三栅极和第三P+注入、第二N+注入；第四P阱上有第四栅极和第四P+注入；第一栅极在第二P阱右侧，第二栅极和第三栅极分别在第三P阱左侧和右侧，第四栅极在第四P阱左侧；第一P阱、第二P阱与第四P阱中六个电极均连接在一起作为器件的阴极，第三P阱中四个电极均连接在一起作为器件的阳极。 授权
一种多叉指LDMOS-SCR静电防护器件 CN201911095673.9 2024-08-02 本发明实施例提供一种多叉指LDMOS‑SCR静电防护器件，包括P型衬底；P型衬底中设有N型深阱；N型深阱内设有第一P阱、第一P阱和第二P阱之间的N型深阱、第二P阱、第二P阱和第三P阱之间的N型深阱、第三P阱、第三P+阱和第四P阱之间的N型深阱以及第四P阱；第一P阱内设有第一P+注入区和第一N+注入区；第二P阱内设有第四P+注入区、第三N+注入区、第五P+注入区、第四N+注入区和第六P+注入区；第三P阱内设有第九P+注入区和多个N+注入区Ⅱ，第四P阱内设有第九N+注入区和多个P+注入区Ⅴ，如此，相对于传统多叉指LDMOS‑SCR器件，本发明在增加器件指数的同时，提高多叉指LDMOS‑SCR的导通均匀性，进而提高多叉指LDMOS‑SCR的鲁棒性。 专利权的授权
一种双向可控硅静电防护器件 CN201911018742.6 - 本发明实施例提供一种双向可控硅静电防护器件，包括：P型衬底，P型衬底内设有P+注入区、N型埋层及P+注入区，N型埋层上方设有第一N型深阱、第一P阱、N阱、第二P阱及第二N型深阱，第一P阱内设有位置跨在第一N型深阱与第一P阱上的P+注入区、N+注入区及P+注入区，第二P阱内设有P+注入区、N+注入区及位置跨在第二第P阱与第二N型深阱上的P+注入区；如此，该可控硅静电防护器件能基于标准CMOS工艺且片上集成，并且能够在不增加DDSCR器件面积的同时有效的提高DDSCR的维持电压，进而提高片上集成静电防护器件的鲁棒性。 实质审查
一种低触发高维持可控硅静电防护器件 CN201910246694.X 2023-10-31 本发明公开了一种低触发高维持可控硅静电防护器件，包括P型衬底；P型衬底上设有N型深阱；N型深阱中从左至右设有P阱和N阱；P阱中从左至右设有第一P+注入区、第一N+注入区；P阱和N阱之间设有第二N+注入区；N阱中从左至右设有第三N+注入区和第二P+注入区；第二N+注入区与第三N+注入区之间用导线串联一个电阻和N型MOS管，N型MOS管的衬底接地，N型MOS管的栅接ESD侦测电路。本发明通过外接电路，为寄生PNP三极管的基区提供触发电流，使得寄生PNP更易开启，则SCR泄放路径也更易开启；另外，re由侦测电路控制，不会导致器件正常工作时被误触发。 专利权的授权
低触发可调控维持电压双向静电释放器件及其制作方法 CN201910246362.1 2023-12-05 本发明公开了一种低触发可调控维持电压双向静电释放器件，包括P型衬底；P型衬底上设有第一、第二N阱；第一N阱中设有第一N+注入区、第一P+注入区，第二N阱中设有第四P+注入区、第四N+注入区，第二P+注入区横跨第一N阱和P型衬底，第三P+注入区横跨P型衬底和第二N阱；第二P+注入区与第三P+注入区之间设有第二、第三N+注入区；第一多晶硅栅位于第一、第二P+注入区之间；第二多晶硅栅位于第二、第三N+注入区之间；第三多晶硅栅位于第三、第四P+注入区之间。本发明在传统双向SCR中间嵌入NMOS管，通过给GATE不同的栅压调控器件的维持电压，可降低维持电压来箝住ESD脉冲。 专利权的授权
提高失效电压的双向假栅深阱静电保护器件及其制作方法 CN201810872673.4 - 本发明公开了一种提高失效电压的双向假栅深阱静电保护器件，包括P型衬底；P型衬底中设有N型埋层和高压N阱；高压N阱内设有第一P阱、N阱和第二P阱；第一P阱中设有第一P+注入区、第一N+注入区；第一P阱与N阱之间横跨有第一硼离子注入区；N阱与第二P阱之间横跨有第二硼离子注入区；N阱的表面设有第一多晶硅假栅；第二P阱中设有第二N+注入区、第二P+注入区；第一硼离子注入区、第一多晶硅假栅、第二硼离子注入区构成多晶硅假栅深阱硼离子结构。本发明的多晶硅假栅深阱硼离子结构，能够使得器件的ESD导通路径在N型埋层内泄放，器件能够承受高强度的静电脉冲应力，防止器件结构表面产生额外通路，从而有效避免器件表面的热击穿现象。 专利（申请）权的转移
一种高维持电压NPNPN型双向可控硅静电防护器件 CN201810578321.8 2023-08-22 本发明公开了一种高维持电压NPNPN型双向可控硅静电防护器件，包括P型衬底；P型衬底中设有N型埋层；N型埋层上设有第一N型深阱、高压N阱、第二N型深阱；高压N阱上设有第一N阱、第一P阱、第二N阱、第二P阱、第三N阱、第三P阱和第四N阱；第一P阱内设有第一P+注入区、第一N+注入区、第二N+注入区；第三P阱内设有第三N+注入区、第四N+注入区、第二P+注入区。本发明在两个N阱之间加入一个P阱，P阱的厚度刚好与左右两边的N阱耗尽而形成具有一定电阻的通路，能够使得双向SCR结构在雪崩击穿导通后具有一个较高的维持电压，有效的防止静电释放器件在导通后因维持电压低而锁住的问题。 专利权的授权
低电容低钳位电压的SCR瞬态电压抑制器及制造方法 CN201810277629.9 2024-07-02 本发明公开了一种低电容低钳位电压的SCR瞬态电压抑制器，包括第一导电类型衬底，第一导电类型衬底上设有第二导电类型外延，第二导电类型外延上设有第一导电类型埋层，第二导电类型外延上设有第一导电类型高阻外延，第一导电类型高阻外延上设有沟槽，沟槽将第一导电类型高阻外延和第二导电类型外延构成的整体结构从左至右分成第一区域、第二区域、第三区域，第一区域和第三区域上设有第二导电类型注入区Ⅰ，第二区域上设有第一导电类型注入区和第二导电类型注入区Ⅱ。本发明采用纵向SCR和横向二极管结合的结构，同时兼顾了低电容、低残压、低触发电压、面积小以及ESD和浪涌防护能力强的特点，能够很好的满足IC芯片对保护器件的需求。 专利权的授权
一种高维持电压的低触发双向可控硅静电防护器件 CN201810249187.7 2023-09-29 本发明公开了一种高维持电压的低触发双向可控硅静电防护器件，包括P型衬底，P型衬底内设有N深阱；N型深阱内设有第一P阱和第二P阱；第一P阱内设有第一P+注入区、第二P+注入区、第一N+注入区；第二P阱内设有第二N+注入区、第三P+注入区、第四P+注入区；所述第二P+注入区、第一N+注入区连接在一起并作为器件的阳极；所述第二N+注入区、第三P+注入区连接在一起并作为器件的阴极。本发明具有双向泄放静电的能力，可同时用于信号电平低于地和高于地的集成电路输入输出引脚的静电防护，在不增加额外面积和降低器件导通能力的前提下，保证器件具有低触发电压的同时还具有较高的维持电压，从而使得器件具有优良的ESD窗口。 专利权的授权
一种栅极嵌入小岛式可控硅静电防护器件 CN201810234055.7 2023-12-19 本发明公开了一种栅极嵌入小岛式可控硅静电防护器件，包括P型衬底；P型衬底内设有P阱和N型深阱；P阱内设有第一P+注入区、第一N+注入区、第一Poly注入层、第二P+注入区，第二Poly注入层跨接在P阱和N型深阱之间，N型深阱内设有第二N+注入区、第三P+注入区、第三N+注入区，所述第一N+注入区、第一P+注入区、第一Poly注入层、第二Poly注入层连接在一起作为器件的阴极；所述第三P+注入区和第四N+注入区连接在一起作为器件的阳极。本发明的可控硅静电防护器件在其栅极嵌入悬浮P+层，可在降低器件触发电压的同时增强器件维持电压，且不改变器件面积，可使用标准工艺与被保护电路片上集成。 专利权的授权