- 专利标题 公开号/公告号 公开日期 摘要 专利状态
- 一种纳米薄膜齐平膜由壬压力变送器 CN202310979768.7 - 本申请公开了一种纳米薄膜齐平膜由壬压力变送器，包括变送器本体，所述变送器本体的平膜接压面中部设有凹坑，所述凹坑内设有平膜受力钢基，所述平膜受力钢基的外表面与平膜接压面的表面齐平，平膜受力钢基的非直接受压端设有压敏元件。本申请提供的纳米薄膜齐平膜由壬压力变送器不仅可解决凹坑容易堵塞导致的精度下降问题，还能解决已固化物体不易清洗的难题，同时具有精度高、稳定性好、工作温度范围宽、可以测量超大量程等优点。 实质审查
- 一种纳米复合薄膜、应变传感器及其应用 CN202310975026.7 2024-03-29 本发明公开了一种纳米复合薄膜、应变传感器及其应用，涉及传感器技术领域；该纳米复合薄膜包括基底层，所述基底层表面设有过渡层；过渡层表面设有绝缘层；绝缘层的部分表面设有应变层；绝缘层的剩余部分表面设有保护层；应变层的部分表面设有焊盘；应变层的剩余部分表面设有保护层；应变层由PtW层和PdCrWAl层组成。本发明中应变层为复合应变层，其中PtW层的抗氧化性好；而PdCrWAl层的结构稳定性好，通过两者之间的搭配，从而大大提升了应变层的抗氧化性和稳定性，从而能够适用于各种工况环境，具有广阔的应用前景。 专利权的授权
- 一种纳米薄膜应变片、轮辐力传感器及其制备方法 CN202310560750.3 2024-04-19 本发明公开了一种纳米薄膜应变片、轮辐力传感器及其制备方法，属于传感器技术领域；该应变片由下至上包括以下各层：钢片，钢片表面设有过渡层；过渡层表面设有绝缘层；绝缘层的部分表面设有应变层；绝缘层的剩余部分表面设有保护层；应变层的部分表面设有焊盘；应变层的剩余部分表面设有保护层；应变层由NiCrAlFeMnNbSi层和NiCr层组成。本发明通过对NiCrAlFeMnNbSi层中各组成元素进行调整，从而制得了稳定性能好的纳米薄膜应变片。 专利权的授权
- 氢压力传感器芯体弹性体的表面处理工艺、弹性体及应用 CN202310493606.2 2023-07-14 本发明公开了氢压力传感器芯体弹性体的表面处理工艺、弹性体及应用，涉及表面处理技术领域，包括以下步骤：将合金材料消除应力后第一次抛光、表面离子氮化处理和第二次抛光。本发明中通过对表面处理工艺过程中参数进行控制，从而提升弹性体的防氢脆性能和屈服强度，以提升弹性体的性能，尤其是增加弹性模量，提升了芯体的迟滞、线性、重复性等性能。 专利权的授权
- 一种纳米应变薄膜、轮辐力传感器及其制备方法 CN202310400011.8 2023-06-23 本发明公开了一种纳米应变薄膜、轮辐力传感器及其制备方法，涉及传感器技术领域；该纳米应变薄膜依次包括以下各层：过渡层，所述过渡层的表面设有绝缘层；绝缘层的部分表面设有应变层；绝缘层的剩余部分表面设有保护层；应变层的部分表面设有焊盘；应变层的剩余部分表面设有保护层；应变层由TaN层和NiCrAlMnSiTa层组成；TaN层与绝缘层相接触；NiCrAlMnSiTa层与保护层相接触。本发明采用纳米应变薄膜形成轮辐式力传感器，从而有有效提高检测精度及提高传感器的稳定性；本发明解决了现有轮辐力传感器，可靠性差、稳定性差、检测精度低、温漂大、抗震动能力低、制造困难等问题。 专利权的授权
- 一种防止氢脆的纳米复合薄膜及其制备方法与应用 CN202310372885.7 2023-06-02 本发明公开了一种防止氢脆的纳米复合薄膜及其制备方法与应用，涉及纳米薄膜技术领域，该薄膜包括：CdNi层、二氧化硅层、NiCrAlSi层和氧化铝层；CdNi层包括以下质量分数的元素：Cd 20%~30%和Ni 70%~80%；NiCrAlSi层包括以下质量分数的元素：Cr 20%~30%、Ni 55%~65%、Al 8%~10%、Si 1%~5%。本发明通过对CdNi层和NiCrAlSi层中各元素的质量含量进行控制，从而进一步增强了纳米复合薄膜的防氢脆效果，从而制得了防氢脆性能优异的纳米复合薄膜。 专利权的授权
- 一种用于扭矩轴的非晶材料、扭矩轴及扭矩传感器 CN202310292134.4 2023-06-27 本发明公开了一种用于扭矩轴的非晶材料、扭矩轴及扭矩传感器，涉及非晶材料技术领域；该非晶材料包括以下重量分数的元素：Zr 40%~60%、Cu 5%~30%、Ni 5%~10%、Ti 0%~15%、Al 0%~15%、Hf 0%~20%、Be 0%~25%和Si 0%~5%。本发明采用一种非晶材料制造扭矩轴，它的弹性模量只有常规弹性钢的40%，灵敏度将提高4倍以上。另外，它具有高的机械强度，是常规弹性钢的2倍以上，因此在制造同等量程扭矩产品时，体积可减小50%，重量减轻、加工难度降低。 专利权的授权
- 非晶合金高压共轨管锻造工艺、共轨管与高压共轨系统 CN202310231610.1 2023-05-12 本发明公开了非晶合金高压共轨管的锻造工艺、共轨管与高压共轨系统，涉及共轨管锻造技术领域，该锻造工艺，包括以下步骤：将非晶合金进行塑性成型后退火处理；塑性成型的温度为300℃~400℃；该共轨管的制备原料包括非晶合金；非晶合金包括ZrCuNiTiHfSi、ZrCuNiTiAl和ZrCuNiTiBe中的至少一种。非晶合金的强度高，因此能够大大降低高压共轨管的体积和重量，从而降低高压共轨管的加工难度；同时非晶合金的耐腐蚀性能好，从而可以大大延长高压共轨管的寿命。本发明的非晶合金中还加入了钛元素，钛元素为强化元素，同时还能促进相变析出过程，从而提高非晶合金的力学性能。 专利权的授权
- 一种纳米薄膜温压复合传感器及其制备方法与应用 CN202310148739.6 2024-01-23 本发明公开了一种纳米薄膜温压复合传感器及其制备方法与应用，涉及传感器技术领域；该复合传感器包括：引压嘴，引压嘴上设有引流通道和温敏元件安装槽口；引流通道用于传输被测量介质；引流通道连接芯体；芯体上设有压敏层，压敏层为NiCrS应变层；NiCrS应变层包括如下重量分数的元素：Ni 45%~55%、Cr 45%~55%和S 0.1%~3.5%；压敏层形成应变电阻；温敏层形成温敏电阻；温敏电阻和温敏元件均电连接有温度信号比较电路；温度信号比较电路电连接有信号调理电路。本发明通过设置两组独立的惠斯通电桥，从而提高了温压复合传感器的使用寿命，减少了故障率。 专利权的授权
- 一种纳米薄膜压力传感器及其制备方法与应用 CN202310089392.2 2024-05-03 本发明公开了一种纳米薄膜压力传感器及其制备方法与应用，涉及传感器技术领域；该传感器包括：钢杯膜片；钢杯膜片上设有芯体；芯体依次包括：过渡层、绝缘层、应变电阻层和保护层；芯体分区设置包括内电阻区、外电阻区和焊盘区；内电阻区由R1、R2、R3和R4组成；R1和R2串联形成第一桥臂；R3和R4串联形成第二桥臂；外电阻区由R5、R6、R7和R8组成；R5和R6串联形成第三桥臂；R7和R8串联形成第四桥臂；本发明中通过设置内电阻区和外电阻区，并采用串联电阻组形成桥臂，利用串联电阻组中电阻相互补偿，从而提升压力传感器的工作稳定性。 专利权的授权