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PECVD晶圆的温度调控装置 CN201510820669.X - 本发明公开了一种PECVD晶圆的温度调控装置，包括炉体和设置在炉体内部的反应腔，反应腔内设有用于放置晶圆的平板加热组件，炉体顶部装设有用于密封的顶盖，顶盖上装设有伸至反应腔内的进气组件，顶盖与平板加热组件之间设有驱使冷却气体均匀流向晶圆的布气板。该调控装置具有可提高薄膜沉积的效率和性能、可实现精细调控晶圆温度的优点。 专利申请的驳回
太阳能晶硅电池返工片处理工艺 CN201510720547.3 2017-05-17 本发明公开了一种太阳能晶硅电池返工片处理工艺，包括以下步骤：（1）对所述太阳能晶硅电池返工片进行氧化处理；（2）将步骤（1）氧化处理后的返工片放入清洗液中清洗，以去除步骤（1）氧化过程中产生的氧化物。该工艺具有降低返工片处理不良比例、避免传统制绒返工处理产生的花晶和暗纹问题、工艺简单、处理灵活等优点，且可与传统的制绒尾液返工处理工艺相结合，共同应用于返工片的返工处理。 专利权的授权
一种扩散炉炉体调节装置 CN201510720234.8 2018-06-22 本发明公开了一种扩散炉炉体调节装置，包括固定座、调节座以及用于支撑所述扩散炉炉体的第一支撑件和第二支撑件，所述调节座包括水平调节支座和高度调节支座，所述第一支撑件安装于水平调节支座上，所述第二支撑件安装于高度调节支座上，所述水平调节支座可沿固定座移动地安装于固定座上，所述高度调节支座可沿水平调节支座移动地安装于水平调节支座上并带动第二支撑件靠近或远离第一支撑件。本发明具有调节方便、调节精度和准确度高的优点。 专利权的授权
用于PECVD设备真空管道中蝶阀的调整锁紧装置 CN201510714972.1 2018-06-26 本发明公开了一种用于PECVD设备真空管道中蝶阀的调整锁紧装置，包括调整组件、支撑组件和锁紧组件，支撑组件固装于管道的端部法兰上，锁紧组件装设于支撑组件上，调整组件与蝶阀的转动轴连接并伸至锁紧组件处，调整调整组件并带动转动轴转动后锁紧组件锁紧调整组件。该装置具有结构简单、成本低廉、可大大提高整体工艺效果的优点。 专利权的授权
用于减压扩散系统的尾气回收过滤装置 CN201510686888.3 - 本发明公开了一种用于减压扩散系统的尾气回收过滤装置，包括用于与减压扩散系统连接的冷凝瓶、设置在末端的排废管以及连接在冷凝瓶与排废管之间的真空泵，冷凝瓶与真空泵之间连接有至少一个气体过滤罐。该装置具有结构简单可靠、回收过滤效果好的优点。 专利申请的驳回
一种用于减压扩散炉的尾气真空除酸过滤器 CN201510625656.7 2017-06-13 本发明公开了一种用于减压扩散炉的尾气真空除酸过滤器，包括密封的过滤筒体以及分设于过滤筒体两端的进气管和出气管，进气管的出气端与过滤筒体连通，出气管的进气端与过滤筒体连通，过滤筒体内填充有用于除酸的吸附剂，进气管的出气端设有多个同于进气管出气的通气小孔，出气管的进气端设有多个用于出气管进气的通气小孔，吸附剂的粒径大于通气小孔的孔径。本发明具有密封性好、防腐蚀性好、可有效除去减压扩散炉的尾气中的偏磷酸的优点。 专利权的授权
一种反应腔室及半导体加工设备 CN201510625538.6 2017-11-07 本发明公开了一种反应腔室，包括由下垫块、侧壁和上盖板构成的封闭的腔体和设于所述腔体内的平板加热器组件，上盖板与所述平板加热器组件之间设有匀流板，匀流板与上盖板之间形成匀流腔，上盖板上设有进气组件，进气组件的出气口与所述匀流腔连通，进气组件的出气口前方一定距离设有气流挡板。本发明的反应腔室工艺气体进入反应腔室之前经过两次匀流，具有工艺气体进入速度快、气体分布均匀的优点，改善了工艺质量，提高了半导体材料的成膜质量，且工艺气体直接从腔体顶部进入反应腔室，提高工艺气体进入反应腔室的速度。 专利权的授权
一种高效多晶硅铸锭的制备方法 CN201510572730.3 - 本发明公开了一种高效多晶硅铸锭的制备方法，该制备方法使用DSS炉，所述DSS炉包括坩埚、加热器、隔热笼、控温热电偶TC1和测温热电偶TC2，包括以下步骤：(1)当硅料进入熔化阶段时，打开隔热笼，保持隔热笼的开度为5-40mm，控制控温热电偶TC1的温度为1530-1560℃；(2)当坩埚底部未熔化的硅料厚度为30-50mm时，控制控温热电偶TC1的温度为1500-1540℃，使隔热笼的开度扩大5-65mm，并保持隔热笼的开度为40-70mm；(3)当坩埚底部未熔化的硅料厚度为10-20mm时，熔化阶段结束，进入多晶硅长晶阶段，再经退火、冷却得到多晶硅铸锭。该方法可以使籽晶熔化更易控制，熔化界面更加平坦；制成的多晶硅籽晶保留面积更大，晶粒均匀，整锭硅片的平均电池效率可达17.9%以上，效率17.8%以上硅片比例大于80.0%。 专利申请的驳回
晶体硅电池的低压扩散工艺 CN201510551065.X 2017-06-16 本发明公开了一种晶体硅电池的低压扩散工艺，包括以下步骤：(1)扩散前高温氧化；(2)低压扩散：采用分步扩散法制备PN结；(3)退火：改变内部压强以便于去除杂质。该低压扩散工艺能提高扩散片间均匀性，降低炉口温区温度，即提高扩散管各温区温度一致性、解决扩散炉炉口方阻大幅度波动问题、提高真空泵使用寿命、降低扩散工序生产成本。 专利权的授权
一种铸造多晶硅的退火工艺 CN201510111883.8 - 本发明涉及一种铸造多晶硅的退火工艺，该工艺使用多晶硅铸锭炉，所述多晶硅铸锭炉包括隔热笼和隔热笼下方的隔热底板，隔热笼内设坩埚，坩埚底部外表面设石墨底板；坩埚内的多晶硅长晶步骤完成后，通过降低或提升隔热笼或隔热底板的高度，以此调节隔热笼与隔热底板之间的距离，使坩埚内温度以0.5℃/min～5℃/min的速率下降，坩埚底部温度波动不超过50℃，当坩埚内温度下降至与坩埚底部温度的温差至50℃以内，完成退火；所述坩埚底部温度是指坩埚底部石墨护板下方的温度。该工艺减少了杂质的反扩散，大幅提高了硅锭的成品率，节约了能耗。 专利申请的驳回