专利标题 公开号/公告号 公开日期 摘要 专利状态
一种多晶硅铸锭的制备方法 CN201510112780.3 - 本发明涉及一种多晶硅铸锭的制备方法，该方法包括以下步骤：(1)在去离子水中加入粘结剂、分散剂和纯度大于99.9％、粒径为1～5000μm的硅颗粒，搅拌均匀得到浆料，其中硅颗粒占浆料的质量百分数不低于50％；(2)在内表面设有氮化硅涂层的石英坩埚内，将所述浆料喷涂、辊涂或刷涂在氮化硅涂层表面，形成1～10mm的浆料层，干燥得到硅涂层坩埚；(3)将所述硅涂层坩埚装上硅料，送入多晶硅铸锭炉，经抽真空后，对硅料加热，硅料全部熔化后，使硅料熔液降温进行多晶硅生长，多晶硅生长完成后，经退火冷却得到多晶硅铸锭。将本发明得到的多晶硅铸锭制成的太阳能电池，硅片的平均电池效率超过18％。 专利申请的驳回
一种多晶硅锭的铸造方法 CN201410738635.1 - 本发明公开了一种多晶硅锭的铸造方法，该技术主要含以下步骤：（1）在铸锭用石英坩埚内底部均匀涂刷一层粘合层；（2）将纯度为99.9999％、粒径为10～100目的颗粒状硅均匀洒在粘合层表面，待粘合层干燥后，颗粒状硅牢固地粘合在坩埚内底部；（3）在颗粒状硅表面进行氮化硅涂层制备，并晾干待用；（4）在制备好的坩埚内装料铸锭，长晶时以底部未熔融的硅颗粒作为籽晶定向凝固生长，获得多晶硅锭。由本发明方法生产出来的多晶硅锭切成硅片后，硅片位错密度低，做成电池后，转换效率比普通多晶硅片的效率高0.2～0.6%，整锭硅片平均效率达18.0％。此外，采用本发明方法铸锭与普通多晶全熔铸锭工艺一致，具有易操作、成本低、铸锭得料率高的优点。 专利申请的驳回
一种CIGS薄膜的非真空制备方法 CN201410611748.5 - 本发明公开了一种CIGS薄膜的非真空制备方法。本发明的实施步骤为：采用热注入有机合成法制备出油胺包覆的CIGS纳米晶，不经离心清洗直接将油胺包覆的CIGS纳米晶配置成纳米油墨；采用非真空方法进行涂覆，涂覆一次后在气氛保护下进行热分解退火；退火后待其降温继续进行涂覆，重复上述过程数次，得到一定厚度的CIGS前驱体薄膜；在气氛保护下采用固体硒源进行硒化退火，得到最终CIGS薄膜。本发明在传统非真空纳米油墨法制备CIGS薄膜的工艺基础上简化了工艺流程，提高了薄膜的致密性与平整度。 专利申请的驳回
一种晶体硅太阳能电池低翘曲背面铝浆 CN201410604601.3 - 本发明公开了一种晶体硅太阳能电池低翘曲背面铝浆，包括如下重量份的组分：铝粉60—80份；玻璃粉0.1—6份；有机载体15—35份；添加剂0.1—5份；所述添加剂为MClO3或MClO4，其中M代表金属离子。当电池片印刷铝浆后通过烧结过程中的300-500℃温区时，会激发铝浆中特定添加剂的氧化作用，促使铝粉表面不生成新的氧化铝层。进而降低铝粉颗粒间的相互作用力，同时又不降低铝粉与硅片之间的作用力达到降低硅片翘曲的目的。而该添加剂的氧化作用在低于300°不能被激发，进而保证了铝浆稳定性。 专利申请的撤回
一种高方阻晶体硅电池低压扩散工艺 CN201410582186.6 2016-08-17 本发明公布了一种高方阻晶体硅电池低压扩散工艺，为有效提高扩散管产能从而降低单片扩散成本，并且提高量产电池性能均匀性以提高量产电池整体性价比，本发明采用减压扩散工艺，对原有常压扩散工艺进行较大变革。和常压扩散工艺相比，本工艺可有效减小小氮总流量和总时间，能较好的控制扩散掺杂浓度纵向分布，并且可有效提高片内及片间扩散方阻均匀性。本发明的扩散工艺应用于减压扩散炉，该工艺与减压扩散炉匹配性强，适用于产业化生产，可大幅度提高产能，从而大规模应用于晶体硅电池生产线。 专利（申请）权的转移
一种直流磁控溅射镀膜电源快速灭弧电路 CN201410530034.1 - 本发明公开了一种直流磁控溅射镀膜电源快速灭弧电路，包括第一功率开关管和第二功率开关管，所述第一功率开关管串联在直流电源输出端上，所述第二功率开关管与所述直流电源的输出端并联，且所述第二功率开关管一端并联接到所述第一功率开关管和所述直流电源的输入端之间；所述第二功率开关管与缓冲储能电路并联；所述第一功率开关管和第二功率开关管的控制极均与控制驱动器连接。本发明电路结构简单，体积小，实时性强，方便现有电源加装改造。本发明可以使电源工作于频繁产生打弧的工艺条件下，极大地降低打弧的能量，提高溅射沉积薄膜的质量。 专利申请的驳回
一种石墨舟清洗工艺 CN201410511046.X 2016-06-15 本发明公开了一种新的石墨舟清洗工艺，清洗步骤先后为：氢氟酸浸泡、纯水浸泡漂洗、碱液浸泡、纯水浸泡漂洗、烘干。本清洗工艺可以在较短的时间内将石墨舟清洗干净，并且整个过程都在浸泡中进行，避免了对石墨舟叶的冲击，延长了石墨舟的使用寿命。在整个清洗过程中无需对石墨舟进行拆解，避免了拆解过程对石墨舟造成的损伤。 专利权的授权
一种切片粘胶工序中硅棒粘胶方法 CN201410460614.8 - 一种切片粘胶工序中硅棒粘胶方法，该方法是先将硅棒表面欲粘接导向条位置的对称两侧用美纹胶带进行固定，清洁硅棒表面欲粘接导向条位置后，于此位置处先均匀涂抹办公液体胶水，再均匀涂抹双组分AB胶，最后将导向条粘接在硅棒上涂有双组分AB胶处，压紧导向条和硅棒，在双组分固化前撕掉美纹胶带。采用本方法粘接导向条，由于办公液体胶水的粘接性不强，粘接完成后导向条两侧溢出的双组分AB胶无需使用利器刮除，可随美纹胶带的撕除而顺带去除，且切割后硅棒粘接导向条的粘接面无胶水痕迹，降低利器刮除溢出胶水时造成的崩边、硅落，从而降低粘胶工序的不良率和清洗工序的操作时间、人工成本，提高切片工序的合格率。 专利申请的撤回
一种连续式真空紫外光臭氧表面清洗与氧化改性设备及其使用方法 CN201410330437.1 2017-04-12 本发明公开了一种连续式真空紫外光臭氧表面清洗与氧化改性设备及其使用方法。为了解决现有的紫外光/臭氧表面清洗与氧化改性设备中存在的工艺时间过长，设备自动化程度不高的问题，所述表面清洗与氧化改性设备主要由上下料传送系统、预热腔、工艺腔、冷却腔、真空系统、紫外光光源系统、自动控制与监测系统组成。上下料传送系统采用链轮和链条带动滚轴，滚轴带动轴上小滚球转动的传动方式；预热腔、工艺腔与冷却腔紧凑连接，和上下料传送系统构成连续型结构；真空系统采用两个真空泵来快速地保持各腔室的真空环境。本发明样品清洗和氧化改性效果好，设备安全可靠，操作简单，自动化程度高，极大的提高了生产的质量和效率。 专利权的终止
一种高附着力工业化晶体硅太阳能电池铝浆 CN201410182431.4 2016-09-14 本发明公开了一种高附着力工业化晶体硅太阳能电池铝浆，其组分包括：球形铝粉、玻璃粉、铝硅合金粉、环烷酸锌以及有机载体。制备方法：将所有物料用强力搅拌机混合均匀后，经三辊研磨机分散至细度＜20um，得粘度25?32pa.s的晶体硅光伏电池铝浆。本发明制备的铝浆制备铝背场时，工艺窗口宽，烧结后电池片翘曲低，电性能高、背场剥离强度在50N以上。 专利权的授权