专利标题 公开号/公告号 公开日期 摘要 专利状态
一种多晶硅及其制备方法 CN201310307898.2 - 本发明公开了一种多晶硅的制备方法。该方法采用孪晶生长控制技术，通过对普通多晶工艺进行优化，将隔热笼迅速打开，调节隔热笼的开度在6—8cm，长晶初期，调节加热器温度为1425—1440℃，缓慢提升隔热笼，沿坩埚底部纵向在形核源层上面生长成一层均一的、树枝状的晶体，然后以树枝状的晶体为籽晶，竖直向上定向生长成多晶硅。本方法制备的多晶硅中含有大量的孪晶，由于孪晶的界面能很低，相对比较稳定等优点，并且该方法制备的多晶硅具有位错缺陷少的优点，其电池效率比普通多晶硅要高0.2—0.4%，整个硅片平均电池效率达到17.5%，最大效率高达18.0%。 专利申请的撤回
一种局域背面钝化晶体硅电池的制备方法 CN201310299820.0 - 本发明公开了一种局域背面钝化晶体硅电池的制备方法，该方法先在硅片背面经抛光后制备致密的Al2O3和SiNx双层叠层钝化膜，并退火处理获得较好的钝化性能，取代常规铝背场P+层的场钝化方式；在镀正面SiNx膜前，采用恰当浓度酸性清洗液清洗，提高前表面的钝化效果；然后在电池背面按照设计好的图形开膜，制备出电极局域接触窗口；最后印刷铝浆使铝浆填充进电极窗口，通过烧结形成接触效果较好的铝硅合金背电极。本发明制备的电池可以提高背面钝化效应和光的内背反射率，即提高开路电压和短路电流，从而提高电池效率。 专利申请的驳回
一种基于背钝化太阳能电池制作的背面抛光工艺 CN201310168596.1 - 本发明公开了一种基于背钝化太阳能电池制作的背面抛光工艺，其步骤包括：先在硅片正面生成一定厚度，起保护作用的氮化硅掩膜，再使用加热的浓碱液对硅片背面进行中度腐蚀，达到抛光效果。本发明是一种低成本的化学抛光法，经济适用，适合大生产使用，化学液的处理也非常简单，一般的工厂水处理都可以完全解决，经济，环保。 专利申请的撤回
一种晶硅光伏电池铝浆用有机载体及其制备方法 CN201310117688.7 2015-09-02 本发明属于晶硅光伏电池用电子浆料领域，涉及一种晶硅光伏电池铝浆用有机载体及其制备方法。该有机载体由中间体、稀释剂、触变剂和分散剂组成，所述中间体由聚合物和溶剂组成。其制备方法是：将溶剂投入油浴不锈钢反应釜中，加热到80℃-120℃后，添加入聚合物，搅拌至聚合物溶解，恒温2-3小时，冷却到室温过滤入库。本发明制备的有机载体环保，烘干温度低，调浆工艺方便，通过调整中间体和稀释剂的配比，便可得到一系列不同粘度的铝浆。 专利权的授权
一种耐高温低翘曲铝浆 CN201310117504.7 2015-09-02 本发明涉及一种耐高温低翘曲铝浆，它由球形铝粉、铋系玻璃粉、无机添加剂以及有机载体组成，主要特点是使用了特别的有机载体和无机添加剂。制备方法是：将所有物料混合均匀后，经三辊研磨机分散至细度＜20微米，粘度25-55pa.s的晶硅光伏电池铝浆。其配方铝浆的优点是：本发明的铝浆制备铝背场时，耐高温烧结，工艺窗口宽，烧结后电池片翘曲低，欧姆接触好，电性能高。 专利权的授权
一种降低阴影和硬质点的多晶硅铸锭热场结构及方法 CN201310096662.9 2015-07-01 本发明公开了一种降低阴影和硬质点的多晶硅铸锭热场结构，它包括隔热笼；所述隔热笼内设有底座；所述底座上设有石墨块；所述石墨块上设有由石墨护板包裹的坩埚；所述坩埚上方设有顶部加热器，坩埚四周环设有侧部加热器；所述侧部加热器的高度b为380～420mm；所述顶部加热器与侧部加热器顶端的垂直距离a为180～200mm。本发明还提供了一种利用前述设备降低阴影和硬质点的多晶硅铸锭方法，通过调整顶侧加热器的距离和侧加热器的高度，以及调节生长过程各个参数包括长晶时间、温度设定值、隔热笼提升值值等，来抑制硅锭中的阴影和硬质点的产生，提高硅锭的产品良率。 专利权的授权
一种宽禁带半导体柔性衬底的制备方法 CN201210447350.3 2015-09-30 本发明公开了一种宽禁带半导体柔性衬底的制备方法，特别是GaN、AlN、SiC单晶柔性衬底的制备方法，属于微电子技术领域。本发明将柔性衬底的理论引入宽禁带半导体同质外延衬底的制备工艺中，柔性衬底由宽禁带半导体柔性功能层和支撑衬底构成，柔性功能层的厚度为20~50nm。本发明的柔性衬底降低了外延材料的缺陷密度和应力水平，大幅度提高了外延材料的晶体质量，该方法制备的宽禁带半导体柔性衬底具有衬底尺寸大，易于产业化的优点。 专利权的授权
一种低方阻晶体硅电池的扩散工艺 CN201210426933.8 - 本发明公开了一种低方阻晶体硅电池的扩散工艺。本工艺采用常规扩散炉，通过改变扩散掺杂浓度分布，制备出比高方阻晶体硅电池效率高的低方阻电池。该种扩散工艺同样可以降低发射极的暗饱和电流及前表面复合速率，有利于提高短路电路和开路电压，而且不会增加其他电池制备工艺，是一种极具开发价值的扩散技术。 专利申请的撤回
一种实现深结低表面浓度的晶体硅扩散工艺 CN201210426668.3 2014-11-19 本发明公开了一种实现深结低表面浓度的晶体硅扩散工艺，包括如下步骤：（1）将硅片送入扩散炉；（2）升温过程；（3）恒温过程（可根据设备调整为多步恒温）；（4）第一次扩散（低温沉积）；（5）第一次低温分布；（6）第一次升温再分布；（7）第一次恒温再分布（可根据设备调整为多步恒温）；（8）第一次降温再分布；（9）第二次恒温再分布；（10）第二次扩散；（11）第二次降温再分布；（12）取出硅片。该工艺能够有效的改善因为温度浓度差异导致的掺杂不均匀而出现的晶体硅太阳能电池转换效率不稳定的问题，提高晶体硅太阳能电池的转换效率和良品率。 专利权的授权
一种晶硅太阳能电池梯度折射率减反膜及其制备方法 CN201210426609.6 2015-10-28 本发明公开了一种晶硅太阳能电池梯度折射率减反膜，该梯度折射率减反膜设置于晶硅太阳能电池硅基衬底上；所述梯度折射率减反膜上设有玻璃EVA封装膜；所述梯度折射率减反膜由下自上包括第一层薄膜，第二层薄膜和第三层薄膜。本发明梯度折射率减反膜折射率在膜厚方向上按照三次方关系梯度变化；折射率变化趋势由三层具有特定折射率的膜层体现；三层具有特定折射率的膜层均由同一材料组成；三层膜层的折射率和厚度采取控制物理气相沉积的靶面与硅片表面夹角，以及沉积时间来实现。该梯度折射率减反膜具有宽光谱、光角谱减反射效果，且制备方法简单易于工业化生产。 专利权的授权