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一种全铝背场晶体硅电池及其制备方法 CN201210399467.9 2015-04-22 本发明公开了一种全铝背场晶体硅电池及其制备方法。该全铝背场晶体硅电池，包括硅片层（7），在硅片层（7）背面依次贴合有P+钝化层（5）和铝背导电层（4），该铝背导电层（4）上设有背电极（6）。该方法是首先在太阳电池背面的除边缘外所有位置印刷一层铝浆，然后印刷背电极，通过烧结使电极区形成P+钝化层；这种电池结构避免了银和硅片的直接接触，从而极大的降低了背电极区域的复合缺陷；可以大幅提高晶体硅电池的光电转换效率；与常规电池的制备方式相比，该种背电极不用考虑和背场的重叠面积，可以降低电极宽度，从而降低生产成本。 专利权的终止
一种单晶硅太阳能电池扩散偏磷酸片返工方法 CN201210372241.X - 本发明涉及太阳能电池片的加工，具体本发明公开了一种单晶硅太阳能电池片扩散偏磷酸片返工方法，即扩散时炉管内因进入水汽产生的偏磷酸滴落在电池片表面的清洗处理方法，具体步骤包括：（1）用质量浓度为0.8%—1.2%NaOH溶液在50℃-60℃的温度下清洗单晶硅太阳能电池片上残留的偏磷酸，清洗时间控制在30s以内；（2）在HF清洗液中反应去除电池片表面的氧化层；（3）在HCl清洗液中反应去除电池片表面的金属杂质。经过该方法处理后的电池片进行重新扩散，刻蚀，二次清洗，镀膜，印刷，烧结后，电池片的转换效率可以达到正常电池片水平，而且外观也与正常电池片无异，达到了返工清洗的目的。 专利申请的撤回
一种太阳能电池硅片清洗液及其使用方法 CN201210372257.0 2014-08-20 本发明属于半导体制造工艺中的硅片清洗技术领域，具体提供了一种太阳能电池硅片清洗液及使用方法。该太阳能电池硅片清洗液由硝酸、氢氟酸及去离子水混合配置而成；使得清洗液中硝酸的质量百分浓度为40%~60%，氢氟酸的质量百分浓度为0.025%~0.08%，余量为去离子水。该硅片清洗液的使用方法是：先用去离子水浸泡清洗硅片，再用该清洗液浸泡清洗。本发明不仅可以有效的去除硅片表面的有机、无机污染，而且可以去除附着在硅片表面的金属、非金属颗粒，从而提高了太阳能电池片的优质率与效率。本发明的清洗液配方简单，清洗效果好，且清洗方法简单，清洗时间短，清洗需要的温度不高。 专利权的授权
一种晶硅光伏电池用背面锡电极浆料及其制备方法 CN201210364405.4 2014-10-01 本发明公开了一种晶硅光伏电池用背面锡电极浆料及其制备方法。所述锡合金浆料由以下重量份的成分组成：锡合金粉65份-80份，铅系玻璃粉、硼硅玻璃粉或硅系玻璃粉1份-5份，有机载体15份-35份，表面活性剂1份-3份。其制备方法为：将上述原料按比例充分混合，得粘度为45Pa.s-55Pa.s的浆料。用本发明的浆料制造光伏电池背面电极，易焊性能好，成本低。 专利权的授权
一种用于太阳能电池的宽光谱多层减反钝化膜 CN201210200650.1 2014-08-20 本发明公开了一种用于太阳能电池的宽光谱多层减反钝化膜，为了解决目前太阳能电池领域减反膜减反效果差，减反光谱带窄的难题，所述用于太阳能电池的宽光谱多层减反钝化膜包括在硅基衬底太阳能电池PN结的迎光面发射极表面上依次沉积的多层光学减反钝化膜，多层膜的折射率由理论计算确定，膜层的厚度由光学薄膜设计软件TFCalc优化确定，所述多层光学减反钝化膜外设有EVA和玻璃；所述多层光学减反钝化膜中，各膜层折射率从基底材料向顶层材料递减，各膜层厚度由底层材料向顶层材料递增。本发明设计的膜体系无论是材料的折射率，还是膜层的厚度都满足光学薄膜设计的最佳匹配要求，因此大大拓宽了传统减反膜的低反射带区间，提高了太阳能电池的光电转换效率。 专利权的授权
一种多晶铸锭炉热电偶装置 CN201210181669.6 - 本发明公开了一种多晶铸锭炉热电偶装置，所述热电偶装置为多晶铸锭炉温控系统的组成部分；该热电偶装置包括热电偶仓，热电偶仓包括变径三通，密封固定在变径三通一端的热电偶接头，通过瓷管固定座密封固定在变径三通中的氧化铝瓷管，通过热电偶固定座固定在氧化铝瓷管中的热电偶，热电偶与热电偶接头连接；所述变径三通与管路分支管件连接，管路分支管件通过真空软管与三通管连接，三通管与真空截止阀连接，真空截止阀与真空机组连接；所述管路分支管件上接有真空放气阀。使用本发明的装置能大幅延长热电偶的使用寿命，并且使在所述氧化铝瓷管意外断裂、漏气时给予炉膛保护。 专利申请的撤回
一种铸造单晶过程中通过气流控制籽晶熔化程度的方法及装置 CN201210181914.3 2015-02-04 本发明公开了一种铸造单晶过程中通过气流控制籽晶熔化程度的方法及装置。为了防止籽晶完全熔化，利用所述方法，在铸造单晶硅锭过程中的籽晶熔化阶段，通过控制保护气体流量变化，利用气流所带热量而不是加热器热量实现籽晶缓慢熔化，从而精确控制籽晶熔化程度，确保底部籽晶不完全熔化，正常生产出单晶硅锭。 专利权的授权
一种晶体硅太阳能电池较难清洗返工片的清洗方法 CN201210117818.2 - 本发明公开了一种晶体硅太阳能电池较难清洗返工片的清洗方法，该方法包含以下三个步骤：用HF溶液，去除电池片的磷硅玻璃或Si3N4膜；用表面腐蚀液对硅片进行表面腐蚀从而将残留的硅片上的异常痕迹同时去除，达到将较难清洗返工片清洗干净的目的；经HF溶液清洗，除去腐蚀过程中产生的SiO2等杂质；再经HCl溶液清洗，去金属离子等杂质。较难清洗返工片经过该清洗方法处理后，进行重新扩散，及后道工序，最终电池片的转换效率可以达到正常电池片的水平，而且外观也与正常电池片无异，达到了返工清洗的目的。经过本发明的清洗，较难清洗返工片返工后的合格率由原来的50%提高到95%。 专利申请的撤回
一种晶体硅太阳能电池铝浆用无机粘结剂及其制备方法 CN201210118627.8 - 本发明公开了一种硅太阳能电池铝浆用无机粘合剂及其制备方法。所述无机粘结剂按质量百分比组成为：Bi2O3：50-60％；B2O3：3-5％；SiO2：5-9％；Al2O3：3-10％；Sb2O3：8-15％；ZnO：10-30％；Ga：1-10％；合计：100％。用本发明的无机粘合剂制备的晶体硅太阳能铝浆烧结时玻璃粉的软化点较低，粘结性好，烧结后膨胀系数较小，电池片弯曲小，电池电性能高。 专利申请的驳回
一种成品晶硅太阳能电池片的返工工艺 CN201210117817.8 2014-11-19 本发明公开了一种成品晶体硅太阳能电池片返工工艺，为了解决现有的低效和外观报废片未进行回收，造成资源浪费的问题，本发明包括如下步骤：1）对待返工的成品电池片进行筛选分类；2）将分类完毕的成品电池片还原成原始硅片；3）按照常规工艺将原始硅片制成合格电池片。本发明不仅回收了电池片的贵金属电极，还重新还原成硅片后继续制成合格产品，良品率超过90%，节省了生产成本。 专利权的授权