专利标题 公开号/公告号 公开日期 摘要 专利状态
智能书柜 CN201610019736.2 - 本发明公开了一种智能书柜，包括柜体以及位于柜体上的麦克风阵列模块、ARM处理器、单片机以及位于柜体底部的滚轮和电机，麦克风阵列模块与ARM处理器连接，单片机通过USB总线与ARM处理器连接，单片机与电机连接并控制电机，电机与滚轮连接并控制滚轮的转速和方向。由此，整个装置启动后，麦克风阵列模块自动进入待唤醒状态，使用者可以对该智能书柜说出唤醒词，如“书柜过来”，此时可以唤醒麦克风阵列模块，麦克风阵列模块根据声音的强度计算出声音来源角度，然后将数据传给ARM处理器，ARM处理器将角度值发给单片机，单片机控制电机，电机控制滚轮转动，使得书柜自动转向使用者并走向使用者，方便使用者取拿柜体内的书籍。 专利申请的撤回
防夹手抽屉及防夹手装置 CN201380003785.1 2016-01-27 本发明涉及家具领域，更具体地说，涉及一种防夹手抽屉及防夹手装置。一种防夹手抽屉包括顶板(1)、上挡板(2)、前挡板(3)，还包括安装板(4)、支撑件(7)、限位件(8)、弹簧(6)及挡圈(5)。抽屉往里推的过程中，限位件(8)先碰到上挡板(2)，抽屉停止移动，提示使用者注意夹手，此时，前挡板(3)与顶板(1)间的间隙可容纳手，且手可在间隙内自由移动；手指施加压力给限位件(8)，继续推动抽屉的同时手撤离前述间隙，限位件(8)在上挡板(2)的作用下继续朝第二保持位置滑动，最终，抽屉推到底。 专利权的终止
一种超大尺寸玻璃基板面形修正方法以及加工装置 CN202411177905.6 - 本发明公开了一种超大尺寸玻璃基板面形修正方法以及加工装置，其中，所述超大尺寸玻璃基板面形修正方法包括以下步骤：对待加工件进行整体研磨和/或局部抛光，得到所需工件，所需工件的PV值≤10μm，且所需工件的TTV值≤10μm。本发明提供的超大尺寸玻璃基板面形修正方法，通过整体研磨和局部抛光，达到修正后的超大尺寸玻璃基面，PV值≤10μm、TTV值≤10μm的效果，并且通过自重研磨，解决了磨削工序没有理想基准面的难题，而且对待加工件的要求低，对待加工件没有面形精度的要求。 公开
一种超声槽及清洗方法 CN202411168776.4 - 本发明公开了一种超声槽，包括：槽体，所述槽体包括外槽以及设于所述外槽内的内槽；供给系统，所述供给系统与内槽管路连接；超声装置，所述超声装置设于内槽的底部和/或侧部；控制系统，所述控制系统与供给系统以及超声装置电连接；工作时，待清洗物件置于所述槽体内，清洗液体通过供给系统流入槽体内，控制系统控制清洗过程中的供给系统以及超声装置工作。本发明还公开了一种采用所述超声槽进行清洗的清洗方法。本发明提供的一种超声槽及清洗方法，设置单个槽体，即可集成实现喷淋冲洗、溢流、超声快排、超声循环洗剂清洗、超声溢流等多道功能；同时具有部分区域开启、部分区域不开启的功能，调节方便，节能减耗。 公开
一种光掩膜基板胶膜层的制备方法 CN202411152717.8 - 本发明公开了一种光掩膜基板胶膜层的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：步骤S1：对铬膜坯料进行清洗；步骤S2：用热板对铬膜坯料进行过烘烤；步骤S3：对铬膜坯料涂布增粘剂；步骤S4：对铬膜坯料涂布稀释剂；步骤S5：对铬膜坯料涂布光刻胶；步骤S6：对铬膜坯料进行EBR处理；步骤S7：对铬膜坯料烘烤坚膜处理，最终获得光掩膜基板。此方法通过改变铬膜层表面性质，增加疏水性，提升与光刻胶的润湿性和附着力，减少光刻胶用量，保障均匀性和效果，优化接触角与疏水性能，增强铬膜层与胶层粘附力，确保光刻线条质量，降低脱胶风险，大幅节约成本。 公开
一种石英光掩模基板氧化铈抛光粉残留清洗方法 CN202411000795.6 2024-10-22 本发明公开了一种石英光掩模基板氧化铈抛光粉残留清洗方法，包括：对样品进行预处理；包括对样品用低浓度分散型洗剂进行双面抛光；将预处理后的样品依次浸泡在碱液、热硫酸中；对浸泡过热硫酸的样品用纯水漂洗；对用纯水漂洗过的样品用碱液清洗及进行超声清洗；对超声清洗后的样品进行超声纯水漂洗及烘干。本发明能有效除去抛光液的残留，获得无2微米以上颗粒的基板，进而缓解后道精洗的压力，提高光掩模基板的质量。 授权
一种光掩模基板及其制备方法 CN202410995490.7 - 本发明公开了一种光掩模基板及其制备方法，其中，所述光掩模基板包括：玻璃基底、铬膜层以及光刻胶层，其中，所述玻璃基底与镀铬膜层间具有二氧化硅过渡层。本发明所述的技术方案能够显著改善光掩模基板的粘附力，有效减少制程中线条缺失等缺陷，大幅提高产品质量和使用寿命，降低生产成本，特别是在高精度半导体应用领域效果尤佳，具有良好的可操作性和可重复性。 实质审查
一种厚层光刻胶的涂布烘烤方法 CN202410949284.2 - 本发明公开了一种厚层光刻胶的涂布烘烤方法，其中，包括玻璃基板，所述玻璃基板表面镀有一层氧化薄膜，所述涂布烘烤方法包括：旋转玻璃基板，将光刻胶在玻璃基板的边缘往中心方向动态滴胶；涂布第一光刻胶，形成第一光刻胶层；烘烤第一光刻胶层，使第一光刻胶层成膜；在所述第一光刻胶层表面涂布第二光刻胶，形成第二光刻胶层，烘烤第二光刻胶层，采用阶梯升温方式对所述第二光刻胶层进行烘烤，使第二光刻胶层成膜；将烘烤处理过的玻璃基板放入洁净环境中使光刻胶和玻璃基板降至室温；第一稀释比例R1大于第二稀释比例R2。本发明提供的厚层光刻胶的涂布烘烤方法，能够获得厚度大、胶面均匀、感光性好的厚层光刻胶。 专利的公布
一种光掩膜基板回收利用的方法 CN202410904943.0 - 本发明公开了一种光掩膜回收利用方法，所述方法的步骤包括：光掩膜基板进行检查，对通过检查的光掩膜基板进行回收；所述检查包括光阻层检查、膜层检查和基底检查中任一或任几种的结合；对光阻层检查未通过的光掩膜基板进行SPM去光阻；对膜层检查未通过的光掩膜基板，进行激光去膜；对基底检查未通过的光掩膜基板的石英基底，进行化学机械拋光。本发明提供的一种光掩膜基板回收利用方法，能有效的获得可重复使用的石英基底或半成品，不仅避免了传统方式抛磨时间长、良率低的问题，而且方法稳定可靠，操作简单，极大地提升了工作效率，并显著降低了生产成本。 实质审查
一种去除抛光液的清洗装置及清洗方法 CN202410771611.X - 本发明公开了一种去除基板抛光液的清洗方法，包括：将基板进行高压水清洗，具体为，对水加压形成水射流，水射流通过弧形喷口对基板进行机械力冲洗；对高压水清洗后的基板进行刷洗，具体为，旋转基板并用毛刷对基板进行刷洗，所述毛刷在水平方向进行自转运动，且所述毛刷的旋转方向与基板的旋转方向相反；对刷洗后的基板进行冲淋，具体为，对基板正面进行热水或常温水冲淋，对基板背面进行常温水喷淋；对清洗后的基板进行干燥。通过该清洗装置及方法能避免人工擦拭去除颗粒的方式造成用力不均匀，及对衬底产生破坏性的影响；同时也能避免采用水冲或擦拭无法干燥或干燥不均匀的问题。 专利的公布