专利标题 公开号/公告号 公开日期 摘要 专利状态
一种改善膜层颗粒的方法 CN202311487203.3 - 本发明公开了一种改善膜层颗粒的方法，用于镀膜工艺，包括：进行遮挡物清洁；进行镀膜机腔体清洁；包括使用负压吸收装置清除腔体内的粉尘，进行擦拭处理，安装已清洁的遮挡物，将腔体抽至真空状态；使用预溅射对真空状态的腔体进行设备自洁处理。本发明能改善镀膜膜层颗粒，避免膜层出现针孔、白缺陷等不良状况，有效地提高了膜层的质量，使掩模基板NG率减少。 实质审查
一种玻璃基板的抛光方法 CN202311451432.X - 本发明公开了一种玻璃基板的抛光方法，所述玻璃基板的抛光方法包括对待抛光的玻璃进行粗抛；对玻璃进行精抛；对精抛后的玻璃进行平整度分析和分类；根据平整度分类结果，对分类为未达到预设平整度标准的玻璃，进行手动抛磨,并再次对玻璃进行精抛及进行平整度分析和分类；根据平整度分类结果，对分类为达到预设平整度标准的玻璃进行终抛。本发明提供的玻璃基板的抛光方法，通过对玻璃进行平整度分析，对不同面型的玻璃基板小面积有针对性的手工抛光改变玻璃面型，取到修型的作用，使得玻璃的平整度整体上有改善，减少了玻璃的报废，提升了玻璃基板的质量。同时通过抛光工艺的控制，玻璃表面划痕等缺陷控制良好。 实质审查
一种低折射率低消光系数的相移掩模坯料制作方法 CN202311362139.6 - 本发明公开了一种低折射率低消光系数的相移掩模坯料制作方法，包括：选取相移掩模坯料基底，基底的折射率在1.6以下、消光系数在0.05以下；将基底进行抛光、清洗处理；在基底上堆叠过渡层，过渡层的折射率n1与基底的折射率n2之差在0.3以内；在过渡层上堆叠相移层，相移层的折射率n3分别与过渡层的折射率n1、基底的折射率n2之差在0.5以内，相移层对于波长190‑900nm的光的消光系数k1为0.9以下；在相移层上堆叠铬膜层；在铬膜层上堆叠光刻胶。本发明提供的相移掩模坯料制作方法，能够在190‑900nm全波长上保持较低的消光系数，减少各曝光光源下的光刻时间，提高光刻效率，同时保证相移膜的膜层厚度有利于光刻结构的形成。 实质审查
一种厚层光刻胶的涂布烘烤方法 CN202311362028.5 - 本发明公开了一种厚层光刻胶的涂布烘烤方法，步骤包括涂布第一光刻胶，形成第一光刻胶层，第一光刻胶的光刻胶原液与稀释剂的体积比为第一稀释比例R1；烘烤第一光刻胶层，采用阶梯升温方式对第一光刻胶层进行烘烤，使第一光刻胶层成膜；在第一光刻胶层表面涂布第二光刻胶，形成第二光刻胶层，第二光刻胶的光刻胶原液与稀释剂的体积比为第二稀释比例R2；烘烤第二光刻胶层，采用阶梯升温方式对第二光刻胶层进行烘烤，使第二光刻胶层成膜；将烘烤处理过的玻璃基板放入洁净环境中使光刻胶和玻璃基板降至室温。本发明提供的厚层光刻胶的涂布烘烤方法，能够获得厚度大、胶面均匀、感光性好的厚层光刻胶。 专利申请的撤回
一种石英玻璃倒棱的加工方法 CN202311319203.2 - 本发明公开了一种石英玻璃倒棱的加工方法，主要包括：选取合适的砂轮组合并安装固定；使用苏打玻璃通过砂轮组合进行样片试制；通过样片试制的情况进行砂轮补偿，得到适合于石英玻璃的磨削参数；通过砂轮补偿后的砂轮组合进行石英玻璃倒棱加工。本方法可实现石英玻璃倒大棱的批量加工，能有效降低成本，并能推广应用于其他厚度石英玻璃的其他尺寸棱的加工。 实质审查
一种夹具污染程度的检测控制方法 CN202311148365.4 - 本发明公开了一种夹具污染程度的检测控制方法，包括以下步骤：从清洗篮上取下夹具，用纯水进行冲洗；将清洗后的夹具，放入纯水超声波中进行超声处理，所述超声波的音压强度范围为0.1‑0.2mv；取样清洗后的纯水废液，在培养箱中进行细菌培养；根据培养后的细菌团聚数量判断夹具的污染情况；若判断夹具受污染则对对应受污染的夹具进行浸泡处理或高温烘烤处理；对处理过后的夹具进行冲洗，完成洁净度控制。本发明提供的夹具污染程度的检测控制方法，能够定量确认夹具有无异常，为精细化的管理提供决策依据。 实质审查
一种光掩膜基板加工方法 CN202211700720.X - 本发明公开了本发明提供了一种光掩膜基板加工方法，光掩膜基板原材料为玻璃基板，加工方法包括：对玻璃基板进行磨边、磨棱、倒角、喷淋清洗，获得玻璃基板加工用测量数据，根据测量数据确定加工方案，使用不同精度金刚石砂轮依次进行不同精度磨削；磨削后使用抛光设备对玻璃基板依次进行粗抛与精抛，通过使用不同精度金刚石砂轮依次进行不同精度磨削，在快速改善原材料平面度的同时，逐步去除上一次磨削后玻璃基板表面的损伤层，在原材料沿X轴方向往复运动时，金刚石砂轮沿Y轴连续进刀，在玻璃基板行进轨迹类似W型，磨削后可以获得无走刀痕迹和台阶的均匀磨砂表面，对原材料要求不高，工艺流程简便，加工效率高，生产成本低，经济效用高。 实质审查
一种光掩膜基板加工方法 CN202410948970.8 - 本发明公开了一种光掩膜基板加工方法，其中，光掩膜基板原材料为玻璃基板，加工方法包括：对玻璃基板进行磨边、磨棱、倒角、喷淋清洗，获得玻璃基板加工用测量数据，根据测量数据确定加工方案，使用不同精度金刚石砂轮依次进行不同精度磨削；磨削后使用抛光设备对玻璃基板依次进行粗抛与精抛，通过使用不同精度金刚石砂轮依次进行不同精度磨削，在快速改善原材料平面度的同时，逐步去除上一次磨削后玻璃基板表面的损伤层，在原材料沿X轴方向往复运动时，金刚石砂轮沿Y轴连续进刀，在玻璃基板行进轨迹类似W型，磨削后可以获得无走刀痕迹和台阶的均匀磨砂表面，对原材料要求不高，工艺流程简便，加工效率高，生产成本低，经济效用高。 公开
一种掩膜版玻璃基底的清洗方法 CN202211415770.3 - 本发明公开了一种掩膜版玻璃基底的清洗方法，包括对玻璃基底表面进行SPM清洗；对玻璃基底持续进行热纯水冲洗；对玻璃基底进行冷纯水冲洗；对玻璃基底进行毛刷洗剂刷洗，毛刷以顺时针旋转方式和逆时针旋转方式交替旋转；对玻璃基底再次进行冷纯水冲洗；对玻璃基底进行甩干，包括采用阶梯转速对玻璃基底进行甩干，再将玻璃基底的旋转方向逆转，提高玻璃基底的转速，直至玻璃基底上的水膜被甩干。本发明提供的掩膜版玻璃基底的清洗方法，利用热纯水冲洗，能够更有效去除SPM溶剂的残留，并采用阶梯转速甩干的方式去除玻璃基底上的水膜，提高了玻璃基底的清洗质量，增加玻璃基底与铬膜层的粘附力。 实质审查
一种光掩模坯料及其制备方法 CN202110823958.0 - 本发明提供了一种光掩模胚料，包括：基底；设置在所述基底上的相移层；设置在所述相移层上的遮光膜层；所述遮光膜层包括铬元素、氧元素与碳元素；设置在所述遮光膜层上的低反射膜层；所述低反射膜层包括铬元素、碳元素、氮元素与氧元素。与现有技术相比，本发明通过在遮光膜层及低反射膜层中引入铬碳化合物，可更好地稳定刻蚀均匀性从而得到更好地刻蚀剖面，同时还可在降低薄膜厚度的同时保持其光密度，提高曝光效果；并且薄膜均匀，方阻较小，可有效防止出现静电击穿和静电累积现象。进一步，本发明通过溅射沉积工艺连续堆叠相移膜、遮光膜与低反射膜，使薄膜降低厚度的同时保持光密度不变。 实质审查