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一种衰减型高均匀的相移光掩膜坯料及其制备方法 CN202011400325.0 2024-05-24 本发明提供了一种衰减型高均匀的相移光掩膜坯料，包括：玻璃基片；复合在所述玻璃基片上的相移层；复合在所述相移层上的铬氮化物遮光膜层；复合在所述铬氮化物遮光膜层上的铬氮氧化物减反射膜层；所述相移层为硅氧化物薄膜。与现有技术相比，本发明提供的衰减型高均匀的相移光掩膜坯料采用特定膜结构，实现较好的整体相互作用，从而使该相移光掩膜坯料兼具高均匀性和良好的显示效果，并且具有强的耐氢氟酸性，应用范围广。 专利权的授权
一种槽体清洗、保养和维护方法及清洗槽系统 CN202010002883.5 2021-06-25 本发明公开了一种槽体清洗、保养和维护方法，包括：排空清洗槽的内槽与外槽中的旧清洗液；向内槽中注入纯水，控制纯水在内槽和外槽间循环流动，直至内槽中无明显黑色杂质及大量洗剂气泡；排空清洗槽，向内槽注入新的纯水并控制外槽持续出水，以对外槽进行清洗；排空清洗槽，对清洗槽进行杀菌处理并对清洗槽进行细菌测试；排空清洗槽，向清洗槽注满新的纯水，因此有效地保证了清洗槽的清洗良率，避免了槽体清理后的良率波动，也避免了微生物生长对玻璃基底造成不良缺陷。另外，本发明还公开了一种用于实施上述方法的清洗槽系统。 专利权的授权
一种激光防伪用掩膜版及其制作方法 CN201811511608.5 2023-02-28 本发明公开了一种激光防伪用掩膜版的制作方法，通过提供透明基板；在所述透明基板表面设置氮氧化铬层；在所述氮氧化铬层表面涂覆光刻胶，所述光刻胶的粘度大于等于50厘泊；对涂覆光刻胶后的透明基板进行前烘处理，所述前烘处理为烘烤温度持续上升的前烘处理，以得到光刻胶层的厚度为100000埃米至300000埃米，包括端点值的激光防伪用掩膜版。本发明通过使前烘处理中的温度逐渐上升，使光刻胶内部的热量有时间扩散到光刻胶外部，确保了烘烤中光刻胶各层溶剂挥发均匀，避免了现有技术中温度直接升至前烘温度导致光刻胶最外层最先干燥成壳，阻碍光刻胶内部溶剂挥发的问题。本发明还提供了一种具有上述有益效果的激光防伪用掩膜版。 专利权的授权
一种掩膜版玻璃基板的清洗方法 CN201810890472.7 2021-03-09 本发明公开了一种掩膜版玻璃基板的清洗方法，首先通过将玻璃基板浸入浓硫酸与过氧化氢的比例的取值范围为4:1至6:1的第一SPM洗剂中去除有机物类沾污；再通过将玻璃基板浸入中性无机洗剂与碱性无机洗剂的比例的取值范围为1:4至1:6的混合液中进行超声清洗可以去除玻璃基板表面较大的颗粒以及沾污；之后通过将所述玻璃基板浸入纯水中进行超声清洗可以去除玻璃基板表面较小的颗粒；最终将玻璃基板提拉出纯水以完成干燥脱水，从而全方面的清除玻璃基板表面的各种颗粒以及沾污。   专利权的授权
一种涂胶台 CN201810892007.7 2024-08-16 本发明公开了一种涂胶台，包括用于放置基板的涂胶平台，马达和排风扇；所述马达与所述涂胶平台固定连接，且所述马达用于驱动所述涂胶平台沿所述涂胶平台的周向方向旋转；所述排风扇位于所述涂胶平台上方，且所述排风扇的出风口朝向所述涂胶平台。上述马达会带动涂胶平台沿周向旋转，而风扇在铺展光刻胶时会向基板吹风，从而在基板表面形成具有一定风向的气流，该气流会给予光刻胶一个额外的推力，帮助光刻胶铺展，从而减少在涂布光刻胶时由于光刻胶堆积所形成的边框的宽度。 专利权的授权
溅射室压力稳定方法、溅射镀膜方法和稳压溅射装置 CN201510002556.9 2017-03-29 本发明公开了一种溅射室压力稳定方法、溅射镀膜方法和稳压溅射装，溅射室压力稳定方法包括以下步骤：1)实时测量靶材溅射区域的真空值以得到实测值，实时测量靶材非溅射区域的真空值以得到参照值；2)调整抽取气体的速度使得所述实测值和所述参照值均处于预设压力范围内；3)调整抽取气体的速度使得所述实测值和所述参照值的差值均处于预设差值范围内。上述溅射室压力稳定方法测量了靶材溅射区域的真空值和靶材非溅射区域的真空值，反映了溅射室真空值的真实情况，通过调整抽取气体的速度，调节真空值达到预设值，并调整实测值和真空值的差值达到预设差值，使得溅射室压力稳定，制程气体的速度不变，保证溅射室内气体组分稳定。 专利权的授权
光掩膜基板胶膜层及铬膜层的返工方法 CN201410388945.5 - 本发明提供一种光掩膜基板胶膜层及铬膜层的返工方法。所述光掩膜基板胶膜层的返工方法包括：将待返工的光掩膜基板置于质量百分比为4％～10％的氢氧化钠溶液中浸泡多次，去除所述光掩膜基板的胶膜层；用纯水漂洗已去除胶膜层的光掩膜基板；用异丙醇胺溶液漂洗经纯水漂洗后的光掩膜基板；采用异丙醇胺蒸汽进行干燥，所述异丙醇胺蒸汽温度控制在45～70℃。所述光掩膜基板铬膜层的返工方法包括：将待返工的光掩膜基板置于质量百分比为4％～10％的氢氧化钠溶液中浸泡多次，去除所述光掩膜基板的胶膜层；用纯水漂洗已去除胶膜层的光掩膜基板；将所述光掩膜基板放入设定配比的硝酸铈铵和纯水的混合溶液中浸泡，去除所述光掩膜基板的铬膜层。 专利申请的驳回
一种耐强酸的光掩膜及其制作方法 CN201310654685.7 2017-03-29 本发明公开了一种耐强酸的光掩膜及其制作方法。该耐强酸的光掩膜包括：玻璃基板和设置在玻璃基板上的铬膜层，其中铬膜层包括朝向远离玻璃基板方向依次设置的铬碳氮化物遮光膜层和铬氮氧化物减反射膜层。该制作方法包括获取玻璃基板，在玻璃基板上形成铬膜层，其中形成铬膜层的步骤包括：在玻璃基板上形成铬碳氮化物遮光膜层；在铬碳氮化物遮光膜层上形成铬氮氧化物减反射膜层。本发明的具有双层结构铬膜层的光掩膜具有良好的耐强酸腐蚀性，因此可以采用强酸对本发明提供的光掩膜进行清洗，以使其保持洁净的状态，进而保证存储信息的可靠性。 专利权的授权
光掩膜坯料及其制备方法 CN201310646364.2 2017-11-24 本发明提供了一种光掩膜坯料及其制备方法。该制备方法包括以下步骤：用80～100℃质量分数大于98％的硫酸浸泡玻璃基板，漂洗，烘干；依次在玻璃基板顶面上叠置形成阻挡层、遮光层、减反射层。所得光掩膜坯料的膜层反射率仅为0～1％，反射率得到极大的降低。光密度(OD)值在波长450nm处为4.5～6.0，OD值得到提高。 专利权的授权
新三层膜结构的光掩膜及其制备方法 CN201210379702.6 2015-07-29 本发明公开了一种新三层膜结构的光掩膜及其制备方法，新三层膜结构的光掩膜包括玻璃基片、阻挡层、遮光膜层及减反射膜层，所述阻挡层、遮光膜层及减反射膜层三层膜中至少有一层含有碳成分；在制备方法上，提供一个或多个Cr靶材，通过真空磁控溅射方法将阻挡层、遮光膜层及减反射膜层依次镀在玻璃基片上。本发明不仅解决因钠离子扩散造成的“凹陷”问题，而且相对现有技术的三层膜结构，本新三层膜结构的光掩膜能够确保蚀刻时间及良好的刻蚀速率；在制备过程中只需提供一种Cr靶材。 专利权的授权