专利标题 公开号/公告号 公开日期 摘要 专利状态
一种利用ITO废靶回收制备装置及工艺 CN202211431360.8 2024-08-23 本发明涉及一种利用ITO废靶回收制备装置，属于ITO废靶处理技术领域。包括输送机，所述输送机的两侧均固定连接有多个第一支撑板，多个所述第一支撑板的相对一侧固定连接有同一个第一连接板，所述第一连接板的顶部固定连接有两个第二支撑板，两个所述第二支撑板的相对一侧转动连接有第一转动环，所述第一转动环的内壁转动连接有料筒，所述料筒的外壁转动套设有第二转动环；本发明通过在料筒的内壁设置刮板可以对粘结在其内壁的材料进行刮除，然后通过凸轮带动滑动柱敲击料筒的外壁使其震动将粘结在料筒内壁的材料在出料时进一步清理，使其内部保持清洁，并且在出完料，自动对模具加料、烘干、压制，节省转运时间，便于使用。 专利权的授权
一种避免浪费ITO靶材的尺寸控制装置及方法 CN202211362128.3 - 本发明属于ITO靶材生产技术领域，尤其是一种避免浪费ITO靶材的尺寸控制装置及方法，针对现有技术中坯体受热不均匀导致横向的烧结收缩率差异较大，靶材利用率低下，坯体下部与坯体其他部位受热存在差距，坯体的收缩阻力表现为收缩率从上到下呈梯度减小的问题，现提出如下方案，其包括：烧结炉，以及位于烧结炉内的承烧台，所述烧结炉内滑动连接有门板，所述烧结炉远离门板的一侧内壁固定连接有弧形限位板，所述承烧台的底部设有多个万向轮，本发明中，通过带动承烧台和胚体转动，使胚体在烧结炉内受热均匀，避免胚体出现变形，且扇叶转动将烧结炉内的热气向上吹动，避免坯体下部与坯体其他部位受热存在差距，使得胚体形状不可控。 实质审查
一种工艺控制精准的高密度ITO坯体烧结方法 CN202211362137.2 2023-04-07 本发明涉及ITO坯体烧结技术领域，具体公开了一种工艺控制精准的高密度ITO坯体烧结方法，包括以下步骤：步骤一：取ITO粉55‑65重量份、改性羟基磷灰石3‑6份；步骤二：将步骤一中的原料混匀，然后加入到2‑3倍的石墨烯复配纳米二氧化硅改性液中，搅拌反应处理，步骤三：选择基体，然后溅射处理；步骤四：最后再烧结处理，烧结温度为1550‑1650℃，烧结时间为25‑35min，烧结结束，冷却室温，得到高密度ITO坯体。本发明改性羟基磷灰石、石墨烯复配纳米二氧化硅改性液二者原料之间协配增效，增强产品的密度和透射性能，提高产品的使用效率。 专利权的授权
一种耐热溅射靶材的制备方法 CN202210792490.8 - 本申请提供了一种耐热溅射靶材的制备方法，具体步骤如下：将坯料进行冷等静压处理；将冷等静压处理的坯料进行热等静压处理；对形成的坯料进行热加工处理；对热处理的坯料进行渗碳处理；将加热之后的坯料进行轧制；将轧制后的坯料进行退火处理；将坯料进行磨削加工，即得到溅射靶材；将磨削之后的溅射靶材进行包装入库，涉及溅射靶材制备技术领域，其中，本发明中在靶材的制备工艺中添加了渗碳处理工艺，而且该渗碳处理工艺分为中温气体碳氮共渗和低温气体碳氮共渗，采用中温气体碳氮共渗提高钢的硬度，耐磨性和疲劳强度；采用低温气体碳氮共渗提高钢的耐磨性和抗咬合性，再经过轧制与退火处理，使工件的表面层具有高硬度和耐高温性。 专利申请的撤回
一种高纯铝管溅射靶材的制备方法 CN202210792478.7 - 本申请提供了一种高纯铝管溅射靶材的制备方法，所述高纯铝管溅射靶材的制备方法具体步骤如下：原材料准备、真空冶炼、真空浇注、冷等静压、热加工、退火处理、冷却、机械加工以及包装入库，涉及溅射靶材技术领域，其中，本发明中在溅射靶材生产流程中采用了热加工处理以及退火处理工艺，可以使得待加工材料内部的孔隙降低，而且对粉末进行冷等静压操作时，将坯料在1600℃下烧结，同时在烧结时要适当保持一定的氧分压，可防止靶材中的物料分解，从而解决了溅射靶材中孔隙率较大的问题。 专利申请的撤回
一种IGZO溅射靶材制备方法 CN202210792511.6 - 本发明公开了一种IGZO溅射靶材制备方法，涉及靶材制备技术领域，其中将In2O3、Ga2O3和ZnO粉末放入球磨罐混合，并加入纯水、有机分散剂，球磨罐时间不低于36h；将混合后的IGZO浆料通过蠕动泵的蠕动使浆料注入雾化造粒机中，并通过雾化造粒机，得到了干燥的IGZO造粒粉；对IGZO造粒粉依次进过模压和等静压，成型得到靶材坯体；对靶材坯体进行烧结及脱脂，得到致密化的靶材成品。本发明所述的一种IGZO溅射靶材制备方法，由于采用了超过36h的球磨时间，所以，有效解决了IGZO混合粉体颗粒内部物质分布不均的技术问题，进而实现了IGZO混合粉体颗粒进一步细化，颗粒间的粒径差明显减小，且IGZO混合粉体的均匀性、粒径分布和比表面积均有较大改善。 专利申请的撤回
一种高纯度金属溅射靶材冷却方法 CN202210792479.1 - 本申请提供了一种高纯度金属溅射靶材冷却方法，包括：在所述冷却箱中设置第一冷却机构、第二冷却机构和第三冷却机构，所述第一冷却机构对高纯度金属溅射靶材进行清洗杂质和初步冷却，所述第二冷却机构对清洗之后的高纯度金属溅射靶材进行水冷，所述第三冷却机构对高纯度金属溅射靶材进行风冷。本发明所述的一种高纯度金属溅射靶材冷却方法，通过设置的第一冷却机构、第二冷却机构和第三冷却机构，第一冷却室对高纯度金属溅射靶材进行清洗杂质和初步冷却，第二冷却室通过设置的冰水能够使得高纯度金属溅射靶材快速降温，第三冷却室中的冷风机能够对进行再次冷却和风杆，从而提高本方法的冷却效率，方便了人们的使用。 专利申请的撤回
一种高纯度银靶材及其加工方法 CN202210791662.X - 本发明公开了一种高纯度银靶材及其加工方法，由纯度为99％的银原料制备而成，所述制备的高纯度银靶材的纯度为3N～6N，所述高纯银靶的微观组织为细小均匀晶粒，平均晶粒尺寸≤40μm。本发明提供的一种高纯度银靶材及其加工方法，1、本发明提供的高纯度银靶材及其加工方法，通过采用成型处理和热处理，制备得到高纯银靶材具有晶粒尺寸细小、晶粒分布均匀、成分均匀和致密性高的特点，确保高纯度银靶材的品质和质量，本发明及其方法所生产的高纯度银靶材，通过采用锻造、轧制和退火热处理结合使得靶材成分均匀、晶粒分布均匀、晶粒细化，通过对银靶材进行热处理，消除银靶材的内部应力，提高了银靶材的致密性和均匀性。 专利申请的撤回
一种金属氧化物溅射靶材的表面处理方法 CN202210792537.0 - 本申请公开了一种金属氧化物溅射靶材的表面处理方法，涉及溅射靶材表面处理技术领域，包括如下具体步骤：S1、取一块溅射靶材，并进行初步擦拭；S2、对溅射靶材进行超声处理，同步使用含碳氢基团的有机溶剂；S3、使用Ⅰ号洗液将溅射靶材煮至沸腾即可；S4、使用Ⅱ号洗液对溅射靶材进行浸泡处理；S5、使用Ⅲ号洗液对溅射靶材煮沸，直至颜色变淡；S6、烘干处理；S7、真空封装；其技术要点为，依次使用三种洗液完成对溅射靶材的表面处理，实现了去油、去离子以及去原子的清洁处理，保证处理完成后溅射靶材表面的洁净性，保证溅射靶材后续能够进行正常使用，与传统对溅射靶材表面清洗处理的步骤相比，本方案中清洗效果大大增强。 专利申请的撤回
一种AZO靶材及其制备方法 CN202210514044.0 - 本发明涉及一种AZO靶材及其制备方法，属于光电材料技术领域，包括如下步骤：将氧化锌铝粉体、预混液和分散剂混合，混合后经过球磨，混合好后加入引发剂和催化剂，倒入模具中固化，固化后得到坯体；将得到的坯体进行排胶；排胶后，在惰性气体氛围下进行烧结，得到一种AZO靶材，本发明中通过在惰性气体下进行烧结，提高烧结过程的氧分压，减少氧气的释放，减少烧结过程中的损失。本发明中制备的分散剂属于纤维素类分散剂，由环氧季铵盐与半纤维素反应制备而成，该分散剂与氧化锌铝粉体之间相互作用，吸附在氧化锌铝粉体表面，增加其分散效果，配合烧结环境提高产品质量。 专利申请的驳回