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一种La-Zr合金靶及其制备方法 CN202110983772.1 2023-03-31 本发明公开了La‑Zr合金靶及其制备方法，包括以下步骤：将La‑Mg合金铸锭与锆置于熔炼设备内进行熔炼，熔炼温度为1700～2200℃，保温时间为1～40min，使La‑Mg合金铸锭中所有的镁完全挥发，制得La‑Zr合金靶；其中La‑Zr合金靶中镧的重量百分比为40％～80％，锆的重量百分比为20％～60％，La‑Mg合金铸锭中镁的重量百分比为La‑Zr合金靶中镧与锆总质量的5～50％。本发明解决了传统熔炼方法得到的合金靶容易出现分层的现象，制得的La‑Zr合金靶成分均匀、氧含量低；该方法提高了生产效率，降低了生产成本。 专利权的授权
La-Ti合金靶及其制备方法 CN202110982084.3 2023-03-31 本发明公开了La‑Ti合金靶及其制备方法，包括以下步骤：将La‑Mg合金铸锭与金属钛置于熔炼设备内进行熔炼，熔炼温度为1700～2200℃，保温时间为1～40min，使La‑Mg合金铸锭中所有的镁完全挥发，制得La‑Ti合金靶；其中La‑Ti合金靶中镧的重量百分比为20％～60％，金属钛的重量百分比为40％～80％，La‑Mg合金铸锭中镁的重量百分比为La‑Ti合金靶中镧与钛总质量的5～50％。本发明制备得到的La‑Ti合金靶成分均匀、氧含量低；该方法提高了生产效率，降低了生产成本；解决了传统熔炼方法得到的合金靶容易出现分层的现象。 专利权的授权
超纯二氧化铈的制备方法 CN202110923826.5 - 本发明涉及一种超纯二氧化铈的制备方法中，将含有Pr元素的碳酸铈原料、酸溶液和氧化剂进行氧化反应，得到含铈的稀土溶液；然后将含铈的稀土溶液采用稀土萃取剂进行萃取，制得负载铈的有机相；再将负载铈的有机相采用反萃剂进行反萃，得到反萃液；进一步将反萃液采用萃淋树脂色层法进行分离提纯，得到淋出液；再将淋出液与氨水进行沉淀反应，得到沉淀物；最后将沉淀物溶于酸液中，加入草酸进行沉淀，煅烧，得到二氧化铈。该制备方法能得到纯度在99.9999％及以上的超高纯CeO2产品，收率高，制备条件温和，适宜工业化生产。 专利申请的驳回
铝合金导体及其制备方法 CN202011372997.5 2022-06-03 本发明提供一种铝合金导体及其制备方法，其中，铝合金导体包括如下质量百分比的元素：镁：0.50％～0.70％、硅：0.35％～0.60％、铜：0.05％～0.15％、铁：0.05％～0.20％、锆：0.01％～0.15％、钇：0.03％～0.15％、钛：0.003％～0.015％、硼：0.03％～0.05％、锰：0.001％～0.015％、不可避免杂质：总含量<0.15％、余量为铝。利用本发明，能够解决现有技术中现有的导电铝合金由于加入提高强度的合金元素，大幅降低铝合金的导电率等问题。 专利权的授权
镁镍中间合金及其制备方法 CN202011313110.5 2021-10-01 本发明公开了一种镁镍中间合金及其制备方法。制备方法包括：称取镁锭和镍块并烘干；将部分镁锭放入非真空中频电磁感应炉中加热，镁锭开始熔化时通入SF6与N2的混合气体；镁锭全部熔化后放入镍块，并持续通入SF6与N2的混合气体，镍块完全反应后充分搅拌熔体；关闭非真空中频电磁感应炉，将剩余部分镁锭加入到熔体中，以对熔体进行降温处理，搅拌均匀，浇铸。本发明以普通镁锭以及镍为原材料，利用普通非真空中频电磁感应炉，通过熔炼工艺控制，生产出的镁镍合金表面质量好、成分均匀、夹渣量低，能在常规的环境下保存较长时间；生产过程操作简单，镁合金熔炼烧损少，设备要求低，产品质量稳定性好，可实现批量化生产。 专利权的授权
LaB6场发射阵列薄膜阴极的制备方法及应用 CN202011171802.0 2022-09-13 本发明公开了一种LaB6场发射阵列薄膜阴极的制备方法及应用。制备方法包括：采用LaB6和B粉作为原料，按配比混料得到混合粉末；将混合粉末装入石墨模具，采用分段式升温‑保温‑分段式降温及线性加压‑保压方式热压烧结，得到富硼LaB6靶材；利用所述富硼LaB6靶材作为溅射源采用直流磁控溅射技术在钼尖锥或硅尖锥阵列基体表面于Ar气氛下制备得到LaB6场发射阵列薄膜阴极。本发明可实现大面积、均匀、结构致密、结晶良好，且满足化学计量比的LaB6场发射阵列薄膜阴极的制备；作为场发射阵列薄膜阴极电子源应用时，具有功函低、开启电场小、功耗低等优点，可提高场发射阵列阴极的抗离子轰击能力及场致发射稳定性。 专利权的授权
稀土硼化物单晶制备设备及方法 CN202011040464.7 - 本发明公开了一种稀土硼化物单晶制备设备及方法。其中，设备包括：底座、安装在底座上的炉体，以及安装在炉体内的夹持装置和电极加热组件，其中，所述底座上设置有抽气孔和充气孔；所述夹持装置，用于夹持和移动料棒，包括：安装在炉体顶部上的第一升降杆、安装在底座上且与第一升降杆相对设置的第二升降杆、以及装在相对的第一升降杆和第二升降杆的端部的夹头，所述第一升降杆与第二升降杆均沿纵向方向可移动；所述电极加热组件，用于对料棒进行加热，包括至少三个安装在炉壁上且沿横向方向可移动的电极，所述电极以料棒为中心均匀地布置在料棒外周。本发明可以制备出Φ4～12mm的高致密度、高质量稀土硼化物单晶。   专利申请的驳回
稀土金属单晶的制备方法 CN202011042187.3 2022-04-26 本发明公开了一种稀土金属单晶的制备方法。该方法包括：将稀土金属料棒安装在三电极电弧区域熔炼炉中，其中，稀土金属为Sc、Lu、Er、Y，Gd、Tb、Dy、Ho、Tm中的一种；抽真空至1Pa以下，充入氩气至5～80kPa；对料棒加热，待熔区出现后，以0.01～5mm/min的区熔速度，0～20r/min的旋转速度，对料棒进行第一次区熔；待第一次区熔完成后，停止加热，冷却；待料棒冷却后将料棒移动到初始位置，重复区熔一次或多次，得到稀土金属单晶。本发明可以制备得到尺寸范围Φ4～12mm的稀土金属单晶，且制备周期短，成材率高。 专利权的授权
高纯稀土金属钪及钪溅射靶材的制备方法 CN202010862193.7 - 本发明公开了一种高纯稀土金属钪及钪溅射靶材的制备方法。本发明将还原钪在真空碳管炉中进行多次分段蒸馏提纯，获得3N以上高纯稀土金属钪；将得到的高纯稀土金属钪采用真空悬浮熔炼，得到相应纯度的高纯稀土金属钪铸锭，然后将高纯稀土金属钪铸锭进行后处理，得到相应纯度的高纯稀土金属钪靶材。本发明能获得纯度3N以上的高纯稀土金属钪和钪溅射靶材，杂质含量可控制到：稀土杂质总含量＜10ppm，Li+Na+K总含量＜2ppm；靶材内部缺陷少，宏观凝固组织均匀，平均晶粒尺寸可以控制到130μm以下，甚至可控制到100μm以下，产品规格多样，满足集成电路等对于高端薄膜制备的性能要求。 专利申请的驳回
Zr2Fe合金粉末的制备方法及应用 CN202010759764.4 2022-12-09 本发明公开了一种Zr2Fe合金粉末的制备方法及应用。方法包括：按照重量百分比称量原料锆和铁，并清洗原料表面；将所述原料置于熔炼设备内进行熔炼，得到合金，冷却，所述熔炼设备为悬浮感应熔炼炉或中频炉；将冷却后的合金放入破碎机中，在真空、惰性气氛或有机溶剂中进行破碎；筛分Zr2Fe合金粉末。本发明制备得到的Zr2Fe合金粉末纯度高、氧含量低；该方法提高了生产效率，降低了生产成本；该合金粉末使用过程中更加稳定，效果更加明显，作为金属吸氢材料应用时吸氢速率快且不易粉化。 专利权的授权