专利标题 公开号/公告号 公开日期 摘要 专利状态
一种用于多热源器件散热的装置 CN201911056483.6 2024-11-26 本发明涉及电子元器件的散热技术领域，公开了一种用于多热源器件散热的装置，本发明散热的装置包括基板、多热源器件及散热件，热源器件封装在基板内，多热源器件至少包括三个并列分布的热源器件，其中，至少有两个热源器件封装发热区域的热流密度不同；对应于热流密度最低区域的第一热源器件采用对流散热，其他热源器件散热采用散热件，散热件设置于热源器件与基板之间，散热件为微流道散热装置或/和液冷散热装置；本发明解决了现有多热源器件不能均匀发热及现有散热装置不能对具有不同热流密度电子器件进行均匀散热的问题。 授权
一种可调控光分布的MSM紫外探测器及其制备方法 CN201910881040.4 2021-04-13 本发明提供了一种可调控光分布的MSM紫外探测器及其制备方法，属于半导体技术领域，所述探测器包括衬底和在衬底上依次生长的AlXGa1‑XN基紫外光吸收层和叉指电极；所述叉指电极与AlXGa1‑XN基紫外光吸收层形成肖特基接触；所述衬底背面设有微纳结构。所述探测器的制备方法包括：首先在衬底的正面外延生长AlXGa1‑XN基紫外光吸收层；然后在AlXGa1‑XN紫外光吸收层上制备叉指电极；再在衬底的背面进行研磨，得到光滑平整背面；最后在光滑平整背面制作微纳结构，得到MSM紫外探测器。上述制备方法简单、成本低廉，提高了MSM紫外探测器的响应度和灵敏度。   专利（申请）权的转移
一种在微孔内快速填充纳米粒子的方法 CN201910091582.1 2020-10-16 本发明提供了一种在微孔内快速填充纳米粒子的方法，包括如下步骤：将含有微孔的基片保持开口向上浸入含有纳米粒子的悬浮液中，将浸有基片的悬浮液进行真空处理，使纳米粒子向微孔内沉淀；将经真空处理后浸有基片的悬浮液进行超声处理；重复上述真空处理与上述超声处理3次以上；将所述基片从悬浮液中取出，对所述基片进行加热处理，完成纳米粒子填充。本发明提供的在微孔内快速填充纳米粒子的方法，不仅使填充效率得到大大提高，还使得微孔内纳米粒子的填充更致密、更均匀，有效改善了填充效果。   专利（申请）权的转移
一种AlGaN基背入式MSM紫外焦平面阵列成像系统的制备方法 CN201811603494.7 2020-05-12 本发明公开了一种AlGaN基背入式MSM紫外焦平面阵列成像系统的制备方法，属于半导体技术领域，包括以下步骤：(1)在衬底上依次外延生长AlN缓冲层、AlGaN渐变缓冲层、AlxGa1‑xN紫外光吸收层；(2)对衬底背面进行抛光；(3)在AlxGa1‑xN紫外光吸收层上光刻，制作金属叉指电极；(4)在紫外焦平面阵列上制备In柱，与驱动电路，成像电路键合，制成AlGaN基背入式MSM紫外焦平面阵列成像系统。本发明通过外延材料和器件的设计，相比传统正入式PN紫外焦平面成像系统具有以下优点：避免AlN缓冲层、衬底、金属电极对紫外光的吸收；可获得较薄且高质量的紫外光吸收层，减少载流子的迁移距离，本发明可显著提高紫外FPA探测器焦平面成像系统的性能，包括信噪比，分辨率，和灵敏度。 专利（申请）权的转移
栅极调控AlGaN基金属-半导体-金属紫外探测器及制备方法 CN201811603514.0 2021-01-01 本发明公开了一种栅极调控AlGaN基金属‑半导体‑金属紫外探测器及制备方法，属于半导体技术领域，包括衬底，所述衬底上方由内至外依次设有AlN缓冲层、AlGaN渐变缓冲层、紫外光吸收层、及与紫外光吸收层接触的金属叉指电极；所述紫外光吸收层的上表面设有栅极绝缘层，栅极绝缘层设置于金属叉指电极之间，栅极绝缘层上设有栅电极，栅电极与金属叉指电极不接触，栅电极和栅极绝缘层形成整体，实现对探测器特性的调控。本发明通过栅极绝缘层及栅电极，利用外加电场，调控器件内电场，提高载流子的迁移速度和收集效率，从而提高探测器的响应度，降低响应时间。   专利（申请）权的转移
混合电镀液中添加剂的控制方法、系统以及存储介质 CN201810751577.4 2020-07-31 本发明公开了一种混合电镀液中添加剂的控制方法，利用了电镀添加剂在不同电位下的吸附率会产生变化，从而多种电镀添加剂受电位影响产生的相互作用也不相同的这一原理，通过实验确定了多种电镀添加剂在各电位下协同、竞争或取代的关系，并将该关系具体表达为第三本构方程，根据第三本构方程控制各电镀添加剂的量就能准确得到所需的吸附率，该方法具有能准确控制多种电镀添加剂吸附率和避免电镀缺陷等优点。本发明还相应公开了一种能实现该方法的控制系统以及一种能实现该方法的计算机存储介质，同样具有以上方法所具备的优点。   专利权的授权
一种用于高热流密度芯片的散热装置 CN201810041307.4 2020-06-05 本发明公开了高热流密度电子元器件散热冷却领域的一种用于高热流密度芯片的散热装置，包括散热风扇、微型泵、散热热沉、温度传感器以及芯片，散热热沉上设置有液体注入口和液体流出口，微型泵上设置有液体回流入口和液体回流出口，液体注入口与液体回流出口通过软管连接，液体流出口与液体回流入口通过软管连接，散热热沉固定于芯片上方且与芯片接触以吸收芯片工作产生的热量，散热风扇固定于散热热沉上方，温度传感器的上接触片和下接触片分别设置于散热热沉上表面和下表面以获取散热热沉上下表面的温度差，芯片与温度传感器、散热风扇以及微型泵连接以用于在获取到不同温度差对应的热流密度时发送不同的控制信号。   专利权的授权
一种硅通孔结构、硅通孔结构的制造方法及其装置 CN201710674721.4 - 本发明公开了一种硅通孔结构，包括设于硅片上的硅通孔，所述硅通孔内填充有铜电镀层，所述铜电镀层内分散有热膨胀系数低于铜的纳米颗粒。该硅通孔结构散热效果好，可减小热应力，有效延长芯片的服役寿命。本发明还相应提供了一种上述硅通孔结构的制造方法和制造方法所用的装置，该制造方法通过向电镀液中添加纳米颗粒，在电镀过程中铜在阴极被还原并将纳米颗粒包覆在其中，在铜电镀层中均匀分散纳米颗粒。通过该制造方法可获得纳米颗粒分散均匀的铜电镀层，得到散热效果更好，性能更加均一的硅通孔结构。 专利（申请）权的转移
细节距单IC芯片封装件及其制备方法 CN201710656820.X - 本发明公开了一种细节距单IC芯片封装件及其制备方法，其中，封装件包括塑封体，塑封体内设有引线框架载体和多个框架引线内引脚，引线框架载体的上表面固接有IC芯片，IC芯片的上表面设有多个焊盘，多个焊盘呈两排平行布置，形成第一焊盘组和第二焊盘组，每个焊盘通过铜键合线分别对应连接一框架引线内引脚，每一焊盘组中的多个焊盘的上表面间隔设置有铝电镀层，一个焊盘组中设置有铝电镀层的焊盘与另一焊盘组中未设置铝电镀层的焊盘相对应。该封装件中相邻焊点不易短路，产品良率高、质量好，本发明的制备方法成本低、生产效率高。 专利申请的驳回
一种数据协议转换方法、装置、电子设备及存储介质 CN202410984394.2 - 本申请公开了一种数据协议转换方法、装置、电子设备及存储介质，涉及协议转换技术领域，该方法包括：接收待转换数据和所述待转换数据的目标协议类型；检测所述待转换数据的实际协议类型，得到检测结果，并基于所述检测结果对所述待转换数据进行解析，得到解析数据；根据所述目标协议类型将所述解析数据转换为目标协议数据，并输出所述目标协议数据；基于所述实际协议类型和所述目标协议类型，调整所述目标协议数据的输出速率，实现了将不同协议类型的数据转换为传输速率更高的指定协议数据的效果。 实质审查