专利标题 公开号/公告号 公开日期 摘要 专利状态
一种互连微焊点、芯片及芯片的焊接方法 CN202011496479.4 - 本发明涉及电子元器件的封装技术，公开了一种互连微焊点、芯片及芯片的焊接方法，本发明的互连微焊点，包括第一铜层、第一阻挡层、第一锡层、第二锡层、第二阻挡层以及第二铜层，所述第一阻挡层设于所述第一铜层上，所述第一锡层设于所述第一阻挡层上，所述第二阻挡层设于所述第二铜层上，所述第二锡层设于所述第二阻挡层上，在焊接状态下，所述第一锡层与所述第二锡层键合于一体。这样，可以通过第一阻挡层和第二阻挡层抑制互连微焊点之间的孔洞，能防止由于孔洞扩散成裂纹影响芯片结构。 专利（申请）权的转移
一种用于三维封装系统散热的装置 CN202011502056.9 2024-04-09 本发明涉及电子元器件的散热技术领域，公开了一种用于三维封装系统散热的装置，本发明用于三维封装系统散热的装置，包括若干个热源件，每一热源件包括盖板、基层、固体球、填充层、以及散热件，其中，盖板与基层的第一表面连接，固体球与基层的第二表面连接，固体求的数量包括至少两个，相邻两个固体球之间填充有填充层，散热件设于基层上，通过将散热件设于基层上，可以及时对三维封装系统进行散热。 专利权的授权
一种间接调制出光偏振模式的LED CN202011374729.7 2022-03-18 本发明公开了一种间接调制出光偏振模式的LED，包括LED光源和液晶盒，液晶盒位于LED光源的上方且液晶光轴与LED出射线偏振光方向夹角为45°或135°；所述的LED光源由若干个LED芯片排列组合组成；在LED光源上加载直流电源后，电子与空穴在LED芯片量子阱层（MQW层）复合发光，产生的光经过LED芯片内部结构谐振、反射后，以线偏振光的形式出射；LED芯片出射的线偏振光经过液晶盒后，光的相位发生0～π/2的相位延迟，相位发生改变，从而使得从液晶盒另一端出射的光的偏振模式发生改变；本发明采用液晶盒与普通液晶显示器不同，结构上更简单，厚度更小。普通液晶盒要在入射和出射两侧分别设置偏光片，对入射和出射的光进行偏振筛选；而本发明所述液晶盒不需要设置偏振片。 专利（申请）权的转移
使用CTAB作为抑制类添加剂进行微孔填充的方法 CN202010758076.6 - 本发明提供了一种使用CTAB作为抑制类添加剂进行微孔填充的方法。采用CTAB作为抑制类添加剂，将纯铜板浸入电镀液中作为阳极，将含有微孔的硅片浸入电镀液中作为阴极，对硅片微孔进行电镀填充，相比传统的抑制类添加剂电镀体系，本发明所开发的使用CTAB作抑制剂的填充方法对微孔孔口及侧壁具有更强的抑制效果，输运能力更强，电镀填充效果更好、效率更高，有利于节约微孔电镀填充成本，在高深宽比微孔电镀填充中具有极大的优势。   专利（申请）权的转移
一种基于电镀技术的GaN基垂直结构微腔Micro-LED及其制备方法 CN202010613174.0 - 本发明公开了一种基于电镀技术的GaN基垂直结构微腔Micro‑LED及其制备方法，本发明这种微腔Micro‑LED发光半高宽窄，发光方向性好；通过减薄芯片厚度，并通过p‑GaN层(5)的金属反射镜和n‑GaN层的介质膜反射镜作为谐振腔端面，形成垂直方向的谐振微腔结构，将抑制侧壁出光，提高正面出光方向性，从而减小Micro‑LED显示相邻像素之间的串扰效应。同时谐振微腔结构将选择特定波长，使其发光光谱变窄，光谱纯度更高，这将有利于提高Micro‑LED显示的阈值，本发明垂直结构Micro‑LED有源区面积大，n‑GaN吸光较少；电流扩展较好，电压较低，电流密度较小，在光效，饱和电流，长期可靠性方面具有优势；其次Cu衬底具有良好的导电性和导热性，芯片热阻较小。   专利（申请）权的转移
一种垂直结构氮化物RCLED和制备方法 CN202010611853.4 - 本发明公开了一种垂直结构氮化物RC LED及其制备方法，由下到上包括导电衬底、氮化物DBR1、氮化物层1、多量子阱有源区层、氮化物层2、透明导电插入层、氮化物DBR2，所述导电衬底和氮化物DBR2上均设有金属电极。本发明中的氮化物DBR1和氮化物DBR2是利用磁控溅射制备的材料，其晶体结构是多晶甚至非晶的，因此可以减少应力和应力累计。本发明中氮化物DBR1和氮化物DBR2由AlxIn1‑xN层和AlyIn1‑yN层周期循环交替组合，可以根据DBR目标反射波长，调节AlyIn1‑yN/AlxIn1‑xDBR中Al成分，最大程度的减少对DBR目标反射波长光的吸收。本发明中导电Si衬底上制备导电AlyIn1‑yN/AlxIn1‑xN DBR中引入了掺杂元素，可以制备垂直电流注入型RC LED，提高RC LED性能。   专利（申请）权的转移
一种高温原位紫外探测系统 CN202010611852.X 2023-11-28 本发明这种高温原位紫外探测系统，包括有散热模块和原位日盲紫外探测器；散热模块会组成一个腔体，原位日盲紫外探测器包括有SiCMOSFET芯片、续流二极管FWD芯片、紫外探测器芯片、多块DBC板、集电极、发射极、栅极以及相对应的端子；其中SiCMOSFET芯片、续流二极管FWD芯片安装于散热模块的腔体内部，SiCMOSFET芯片、续流二极管FWD芯片通过焊接的方式固定于DBC板上，DBC板与散热模块的焊料层连接；紫外探测器芯片位于腔体外部，紫外探测器芯片通过焊接的方式固定于DBC板上，DBC板固定散热模块的顶部；SiCMOSFET芯片、续流二极管FWD芯片、紫外探测器芯片、DBC板、集电极、发射极子、栅极之间通过电路进行互连。本发明采用AlGaN基紫外探测器芯片最高使用温度可达到300℃。 专利权的授权
异质集成芯片的系统级封装结构 CN201911188487.X - 本发明提供了一种异质集成芯片的系统级封装结构，包括：封装基板；硅通孔转接板，所述硅通孔转接板上开设有多个硅通孔，所述硅通孔转接板的底部设置有与多个凸点，所述硅通孔转接板通过所述凸点固定安装在所述封装基板上，所述硅通孔转接板通过所述凸点与所述封装基板电连接；凸点芯片，所述凸点芯片的底部设置有多个小微凸点，所述凸点芯片通过所述小微凸点固定安装在所述硅通孔转接板上，所述凸点芯片通过所述小微凸点与所述硅通孔转接板电连接；本封装结构有效的提高功能的集成度，同时减小了芯片在PCB板上占用空间，同时统一封装不同芯片有利于节省加工工序，使得封装效率得到了提高。 专利（申请）权的转移
用于系统级封装的散热结构 CN201911098629.3 - 本发明提供了一种用于系统级封装的散热结构，包括：封装基板；模封材侧壁，所述模封材侧壁围绕所述封装基板顶面的边缘设置；散热装置，所述散热装置覆盖设置在所述模封材侧壁顶面；倒装芯片，所述倒装芯片粘接安装在所述所述散热装置的底面，所述倒装芯片的底部通过焊料球倒装焊在所述封装基板的表面与所述封装基板进行电连接；引线键合芯片，所述引线键合芯片粘接安装在所述封装基板的表面，所述引线键合芯片与封装基板间连接有引线键合线，所述引线键合芯片通过所述引线键合线与所述封装基板进行电连接；本发明结构简单，能够将不同封装形式的芯片整合到同一封装体中，并且散热效率高，能够优化芯片工作温度环境，提高芯片使用寿命。 专利（申请）权的转移
一种倒装芯片封装中具有互连结构的底填方法 CN201911105268.0 - 本发明提供了一种倒装芯片封装中具有互连结构的底填方法，包括先将底填料放置于模具中，进行烘烤固化，脱模后得到底填料模板；在所得底填料模板表面刻蚀通孔，得到底填料预制板；在底填料预制板的通孔内沉积金属铜，形成带微凸点的底填料预制板；将基板与带微凸点的底填料预制板以及芯片按从下到上的顺序叠放，用超声热压焊接实现芯片与基板之间的电气连接。本发明提供的互连结构的底填方法解决了高密度微凸点封装中底填困难的问题，即解决了传统底填技术底填胶难以填满整个芯片微凸点之间的缝隙的问题，满足三维集成封装技术中以高密度凸点互连为核心的发展趋势，封装结构可靠性高。 专利申请的驳回