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增强热界面材料与均热板界面热传导的封装结构及其方法 CN202310583987.3 - 本发明公开了一种增强碳纤维热界面材料与均热板界面热传导的封装结构及其制备方法，包括以下步骤：使用等离子体处理对碳纤维热界面材料的表面，使碳纤维热界面材料表面形成羧基；将均热板表面浸渍在巯基乙胺‑甲基混合溶液中，再经烘干，获得附着有高分子固化膜的均热板；所述高分子固化膜的表面附着有氨基；将上述碳纤维热界面材料的表面贴合到上述均热板的表面，经压片、烘烤，获得增强碳纤维热界面材料与均热板界面热传导的封装结构。本发明通过在均热板与碳纤维热界面材料的界面加入共价键，通过界面的共价键，在碳纤维热界面材料与均热板之间建立快速传热通道，并提高碳纤维导热垫片与均热板之间的结合强度，提高界面热传导与界面可靠性。 实质审查
增强热界面材料与芯片界面热传导的封装结构及其方法 CN202310583981.6 - 本发明公开了一种增强碳纤维热界面材料与芯片界面热传导的封装结构及其制备方法，包括以下步骤：使用等离子体处理碳纤维热界面材料的表面；使用等离子体处理芯片表面；将经过处理的芯片表面浸渍在含有氨基的硅烷偶联剂水解液中，再经烘干，获得附着有高分子固化膜的芯片；将制备得到的碳纤维热界面材料的表面贴合在制备得到芯片的表面，经压片、烘烤，获得增强碳纤维热界面材料与芯片界面热传导的封装结构。本发明通过在芯片/碳纤维热界面材料界面加入酰胺键，通过界面的酰胺键，在碳纤维热界面材料与芯片之间建立快速传热通道，并提高碳纤维导热垫片与芯片之间的结合强度，提高界面热传导与界面可靠性。 实质审查
一种封装大尺寸转接板及制造方法 CN202310471340.1 - 本发明提供了一种封装大尺寸转接板，由多块小尺寸的标准转接板拼接而成，标准转接板的侧边形成有阶梯定位槽，阶梯定位槽位于标准转接板的正面或背面，标准转接板正面的阶梯定位槽与相邻标准转接板背面的阶梯定位槽相互嵌合，标准转接板背面的阶梯定位槽与相邻标准转接板正面的阶梯定位槽相互嵌合，以使拼接后的大尺寸转接板正面、背面平齐。本发明通过多个标准转接板拼接后形成大尺寸转接板，标准转接板的小尺寸设计，能够提高制造良率并降低转接板成本，显著降低了工艺难度；可以根据产品需求灵活拼接出不同类型和大小的大尺寸转接板，增加封装灵活性，降低产品开发时间，且保证了大尺寸转接板的共面性和贴装精度。 实质审查
一种电源模块高效散热结构及制造工艺 CN202310471339.9 - 本发明提供了一种电源模块高效散热结构及制造工艺，包括基板、芯片、无源器件以及电感，还包括微流道组件和散热板；本发明一方面在电感与芯片之间设置微流道组件，微流道组件内循环流通冷却液能够充分带走热量，不仅优化了电感底部的散热环境，同时为基板正面被塑封料覆盖的芯片提供了有效的散热渠道；在基板背面塑封空间中嵌入散热板，具有大的传热系数，因而为基板背面被塑封料覆盖的无源器件、芯片等提供了散热渠道，保证竖向空间的同时实现了基板背面塑封空间更多的芯片及器件放置与散热，进一步提升了整个电源模块的散热性能，实现了更多器件的集成，提升了电源模块的性能。 实质审查
一种三通道散热高集成堆叠式半桥功率模块 CN202310471346.9 - 本发明涉及电源封装技术领域，公开了一种三通道散热高集成堆叠式半桥功率模块，其包括硅体、多个金属柱、上金属板、上钼片、上芯片组件、下金属板、下钼片以及下芯片组件；金属柱沿竖直方向延伸，金属柱位于硅体内；上金属板铺设在硅体的上表面，上金属板与金属柱的顶端电相连且热传导；上钼片焊接于上金属板的上表面；上芯片组件焊接于上钼片；下金属板铺设在硅体的下表面，下金属板与金属柱的底端电相连且热传导；下钼片焊接于下金属板的下表面；下芯片组件焊接于下钼片，三通道散热高集成堆叠式半桥功率模块在工作时，上芯片组件和下芯片组件可以快速将热量传递到硅体，硅体可以迅速排走热量。 实质审查
一种集成散热微流道的基板制造及异质集成封装方法 CN202310170068.3 - 本发明提供了一种集成散热微流道的基板制造方法，包括如下步骤：准备芯材；制备形成芯材表面的导电层；在芯材表面加工出预设深度的凹槽；将两块加工好凹槽的芯材拼接为整体，两者的凹槽对接形成微流道；在基板上开孔；使用填充材料填充通孔，以将基板的两导电层连接，形成导电通路；制造基板上方和下放的再布线层。本发明能够实现在封装基板中集成高效散热微流道，可以使封装基板具有高效的散热能力，解决传统基板无法散热的问题，保证了芯片以及导电通路运作的整体散热效果，减小了基板翘曲从而提高封装结构的可靠性；本发明将基板与集成微流道解决了目前微流道“外挂”于芯片封装体上方导致体积变大的问题，可以有效提高系统的集成度。 实质审查
一种可用于多尺寸互连的凹槽式转接板制备工艺 CN202310098165.6 - 本发明提供了可用于多尺寸互连的凹槽式转接板制备工艺，涉及电子封装领域，在转接板本体上设置中部盲孔及侧部盲孔，各盲孔内填充导电材料，在转接板本体的上表面设置有第一介电层，蚀刻第一介电层，并在各盲孔的周围形成第一介电支撑；在第一介电支撑的间隙内设置第一导电层，并在中部盲孔处形成中部焊盘；在第一介电层和第一导电层的上方设置有第二介电层，蚀刻第二介电层形成第二介电支撑和第三介电支撑，第二介电支撑覆盖于中部焊盘；在第二介电支撑和/或第三介电支撑的间隙内设置第二导电层；在第二介电层和第二导电层上方设置有第三介电层，对第三介电层进行蚀刻，使得第二导电层裸露，在第二导电层裸露处设置第三导电层形成侧部焊盘。 实质审查
一种GaN半桥功率模块集成封装结构及其封装方法 CN202310073681.3 - 本发明提供了一种GaN半桥功率模块集成封装结构及其封装方法，包括：陶瓷基板，陶瓷基板的上表面覆有顶部覆铜层，陶瓷基板的下表面覆有底部覆铜层，陶瓷基板的上表面开设有芯片嵌入槽，陶瓷基板上还开设有多个通孔，顶部覆铜层和底部覆铜层通过通孔的孔壁电连接；功率模块，功率模块包括第一功率芯片、第二功率芯片和去耦电容，第一功率芯片和第二功率芯片均嵌入芯片嵌入槽内，去耦电容安装于陶瓷基板的上表面；外接端子，外接端子包括母线电压正极端子、母线电压负极端子、功率输出端子、第一栅极端子、第一源极端子、第二栅极端子和第二源极端子；既提高了高功耗GaN芯片的散热能力又降低了芯片的寄生电感。 实质审查
等离子体表面改性增强热界面材料的结构及其制备方法 CN202310012051.5 - 本发明公开了一种等离子体表面改性增强热界面材料的结构，所述结构为铜层‑镍层‑氧化镍层‑热界面材料层组成的三明治封装结构，其结构从上至下分别为铜层，镍层，氧化镍层以及热界面材料层，本发明还公开了的一种等离子体表面改性增强热界面材料的结构的制备方法，包括以下步骤：将均热板经超声、干燥，获得洁净的均热板；采用氧气等离子对均热板进行轰击，获得等离子体表面改性的均热板；将热界面材料通过点胶的方式附着在等离子体表面改性的均热板上，并通过压片和固化处理，获得铜层‑镍层‑氧化镍层‑热界面材料层组成的三明治封装结构。本发明的三明治封装结构相对传统均热板与热界面材料直接接触的双层结构，贴合率以及热导率明显提高。 实质审查
一种自组装高分子膜改性增强热界面材料的封装结构 CN202310012052.X - 本发明公开了一种自组装高分子膜改性增强热界面材料的封装结构，所述封装结构为均热板‑自组装高分子膜‑热界面材料组成的三明治结构，所述三明治结构的制备方法包括以下步骤：将均热板经超声、干燥，获得洁净的均热板；将均热板在γ‑氨丙基三乙氧基硅烷水解液或γ‑（2,3‑环氧丙氧）丙基三甲氧基硅烷水解液中浸渍，获得浸渍后的均热板；将浸渍后的均热板的表面烘干得到附着有高分子固化膜的均热板；将热界面材料通过点胶工艺转移到附着有高分子固化膜的均热板上，并经压片、固化，获得均热板‑自组装高分子膜‑热界面材料组成的三明治结构。本发明的结构能够提高导体器件中热界面材料与均热板之间界面热传导与界面强度，从而提高散热性能和可靠性。 实质审查