专利标题 公开号/公告号 公开日期 摘要 专利状态
一种基于基板导电层实现芯片互连的结构及其制备方法 CN202211673865.5 - 本发明公开了一种基于基板导电层实现芯片互连的结构及其制备方法，该结构包括具有第一面以及与该第一面相对的第二面的介电树脂层，位于所述介电树脂层的第一面上的基板导电层，位于所述介电树脂层内的中间导电层，通孔，位于第二面上的阻焊层，位于第二面上的所述焊接孔内并相对凸出于所述阻焊层的上表面的焊接块和位于焊接块上的两个芯片。本发明还提供了该结构的制备方法，具体为通过在基体导电层上覆盖介电树脂并固化后，在树脂上钻孔后再电镀导电材料，并通过多次介电树脂层压、光刻、通孔、电镀等工艺，形成利于芯片水平方向及垂直方向信号传输的互连通道，且具有正常的封装良率，不需要额外工艺和设计简单的特点。 实质审查
一种封装基板的制造方法及结构 CN202211673891.8 - 本发明提供了一种封装基板的制造方法及结构，在临时载板上覆盖一层临时键合胶，固化后在临时键合胶上方覆盖介电树脂并固化，在介电树脂上形成通孔，通过电镀在通孔内形成导电材料的焊盘，去除介电树脂后，填充阻焊材料，在上表面涂覆一层介电树脂并固化，在介电树脂上制造通孔，在介电树脂表面上和通孔中制作种子层，在种子层上涂覆负性光刻胶，并通过曝光显影形成线路图形，利用电镀制作导电线路，并对通孔进行电镀，移除临时载板并焊接芯片实现芯片互连封装。本发明形成了利于芯片水平方向及垂直方向信号传输的互连通道，实现芯片互连的封装，对准也更加便捷，具有正常的封装良率，且不需要额外工艺，设计简单，成本较低。 实质审查
一种双面散热倒装芯片功率器件封装夹具及封装工艺 CN202211231440.9 - 本发明提供了一种双面散热倒装芯片功率器件封装夹具，包括子单元夹具以及芯片模块夹具，分别用于子单元的封装以及芯片模块的封装；子单元夹具包括子单元支撑底座、子单元支撑台以及子单元夹紧块，子单元支撑台、子单元夹紧块用于控制芯片层与金属缓冲层之间互连层成型的厚度，同时限制芯片层的水平自由度；芯片模块夹具包括模块支撑底座、模块支撑台以及模块夹紧块，模块支撑台、模块夹紧块用于控制子单元与上陶瓷衬板、下陶瓷衬板之间互连层的厚度，同时限制子单元的水平自由度。本发明能够采用倒装的方式完成双面散热芯片模块的封装，且上、下陶瓷衬板可以一次回流连接，减少工艺流程，降低成本，提高了双面散热倒装芯片功率器件的可靠性。 实质审查
一种用于多芯片器件集成的三维封装结构 CN202210177136.4 - 本发明公开了一种用于多芯片器件集成的三维封装结构，包括基板、芯片封装单元和工作器件，所述基板的表面上设有多个封装区和多个内凹的嵌入区，各芯片封装单元封装连接在封装区处，各工作器件嵌入连接在嵌入区内；至少一个芯片封装单元包括芯片和无源硅中介层，所述芯片倒装且与无源硅中介层顶面键合连接，所述无源硅中介层通过底面设置的凸块连接基板。本发明的用于多芯片器件集成的三维封装结构具有设置简单、散热性能良好、不易翘曲和可额外增设封装芯片及电子器件等优点。 专利（申请）权的转移
一种微铜柱结构及倒装芯片封装结构 CN202111355069.2 - 本发明公开了一种微铜柱结构，包括微铜柱主体、锡焊帽、背金属化层，所述锡焊帽设于微铜柱主体的一端，通过锡焊帽使微铜柱主体的一端与其余元器件焊接；所述背金属化层设于微铜柱主体相对锡焊帽的另一端，所述背金属化层外层设有微铜柱钝化层，通过微铜柱钝化层使微铜柱主体的另一端与其余元器件焊接。本发明能够在功率器件双面模块中解决大面积焊料运用于不对称芯片的焊点过薄和焊点断开问题，能极大的满足焊接平整度和稳定性要求。 专利（申请）权的转移
一种TSV电镀填充添加剂本构模型的构建方法及系统 CN202110671175.5 - 本发明属于集成电路三维封装领域，具体涉及一种TSV电镀填充添加剂本构模型的构建方法及系统。该方法包括：对电极进行预处理；配置电镀基础液和待测试添加剂，并将稀释后的电镀基础液注入五口电解池；连接电解池电路，在不同电势作用下采用计时安培法测量添加剂加入前后电镀基础液的电流‑时间曲线；根据所述电流‑时间曲线对电流密度进行归一化处理，获得所述添加剂的覆盖率；拟合不同电势下添加剂覆盖率随添加剂浓度的变化规律，并根据添加剂的吸附动力学构建本构方程，本发明实验步骤简单，成本低，且获得的本构模型可靠性高。 专利申请的驳回
基于ACA/ACF的高密度窄间距芯片高可靠性倒装互连的两步工艺法 CN202110396600.4 2024-11-05 本发明提供了一种基于ACA/ACF的高密度窄间距芯片高可靠性倒装互连的两步工艺法，包括以下步骤：步骤1：在芯片上涂一层不高于凸点（bump）高度的绝缘胶，且使绝缘胶不覆盖bump的顶端；步骤2：在基板上涂覆一层各向异性导电胶（ACA/ACF），然后将芯片和基板进行热压键合，得到高可靠性的互连。本发明隔断了两个相邻bump之间的连接，可以有效的防止在固化的过程中导电粒子进入两个bump之间，大大的减小了bump之间发生短路的概率；并且降低了倒装键合时bump之间空洞的产生，减少了ACA/ACF互连的接触热阻，提高了窄间距芯片互连的可靠性。此外，本发明降低了因材料CTE系数不匹配带来的应力；提高了芯片互连的粘结强度，增加了芯片键合的力学性能。 专利权的授权
一种提高micro-led柔性与互连可靠性的方法 CN202110378750.2 2022-09-09 本发明提供了一种提高micro‑led柔性与互连可靠性的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：将一个Micro‑led大阵列中的像素点划分为多个Micro‑led小阵列，其中，每个像素点对应一个金属凸点，每个小阵列的凸点通过得重布线技术在电路上互相连通；步骤2：将Micro‑led与CMOS进行倒装互连，其中，一个Micro‑led小阵列与一个CMOS像素点互连。本发明将一组Micro‑led小阵列与一个CMOS像素点进行互连，即一种1对n的互连方式，使这一小阵列中只要有一个金属凸点与CMOS像素点实现导通即可点亮这一小阵列内所有Micro‑led像素点。更好地实现柔性显示，同时提高了金属凸点倒装工艺的可靠性，保障了Micro‑led器件显示的稳定性。 专利（申请）权的转移
一种功率电子焊料层中可控空洞的制作方法 CN202110112070.6 - 本发明提供了一种功率电子焊料层中可控空洞的制作方法，包括以下步骤：S1：在衬板与芯片背面涂覆阻焊层；S2：将设定好空洞图案的遮光板分别与衬板和芯片贴合，并进行曝光，形成阻焊区域；S3：进行烧烤固化，然后依次用稀盐酸和无水乙醇清洗；S4：贴附焊片后进行回流焊，完成焊接。本发明通过在衬板上表面和芯片背部设定所需的阻焊区域，实现该区域无焊锡填充而出现空洞图案，能够保证准确调控焊料层空洞的多种特征参数如空洞率、空洞尺寸、空洞位置分布等，工艺流程简单，与现有工艺融合度高，方便量化研究空洞缺陷的各个参量对焊料层服役可靠性的影响规律，有利于进一步指导并优化焊料层缺陷检测的评估标准。 专利（申请）权的转移
一种功率芯片无工装定位焊接方法 CN202110112078.2 - 本发明提供了一种功率芯片无工装定位焊接方法，包括以下步骤：S1：在衬板上涂覆阻焊层，然后烘干；S2：将衬板的焊接区域进行遮光，并利用紫外光进行曝光，形成阻焊区域，然后进行显影清洗，去除未曝光部分的阻焊层，得到焊接区域；S3：清洗后进行烧烤固化，然后依次用稀盐酸和无水乙醇清洗；S4：在衬板上贴附焊片后，将芯片放置在焊片上，并对齐阻焊区域，然后进行回流焊，完成焊接。本发明无需使用工装固定，便可实现整个芯片的自动定位与调整，无工装需拆卸，有利于自动化生产，保证功率模块焊接可靠性同时提高生产效率。 专利申请的驳回