专利标题 公开号/公告号 公开日期 摘要 专利状态
一种石墨舟干法清洗设备及清洗方法 CN202311175182.1 - 本发明公开了一种石墨舟干法清洗设备及清洗方法，设备包括：清洗腔室、炉门、放电单元、真空单元、进气单元和偏置电压检测单元；清洗腔室的一端设有炉门，便于石墨舟进出清洗腔室，另一端与真空单元连接，实现清洗腔室内部抽真空；清洗腔室外侧均布有多组放电单元，实现工艺气体在清洗腔室内部电离并清洗石墨舟；清洗腔室底部设有进气单元和偏置电压检测单元，进气单元用于输送工艺气体至清洗腔室内部，偏置电压检测单元采用直流偏置电压法对石墨舟清洗过程产生的电子密度和离子能量进行监测，得到石墨舟清洗前后的偏压值变化，根据偏压值变化判断石墨舟清洗终点。本发明具有结构紧凑、操作便捷、清洗效率高且能够精准判定石墨舟清洗终点等优点。 专利申请的撤回
一种石墨舟刻蚀设备 CN202311180050.8 - 本发明公开了一种石墨舟刻蚀设备，包括：反应腔体、盖板、推舟机构、缓冲机构和偏压机构；推舟机构密封穿设在盖板上，推舟机构用于搭载石墨舟进出反应腔体，并搭载石墨舟在反应腔体内进行刻蚀清洗；推舟机构端部设有偏压机构，偏压机构用于施加偏压到石墨舟上；缓冲机构设置在盖板上，用于提供盖板与反应腔体接触后的缓冲。本发明中，搭载了石墨舟的推舟机构上施加有偏置电压，推舟机构推送石墨舟至反应腔体内部之后无需退出即可进行工艺，减少了推舟机构取放石墨舟的上升和下降动作，节约了设备节拍时间，提升了设备产能。同时能够有效压缩反应腔体的高度尺寸，降低了反应腔体的内空体积，进而减少了工艺时反应气体的用量，节约了设备运行成本。 实质审查
基于TOPCon电池的SE后硼扩湿氧工艺 CN202311084453.2 - 本发明公开了一种基于TOPCon电池的SE后硼扩湿氧工艺，包括以下步骤：将制绒后硅片放入炉管内，温度为780～800℃；抽真空并升温至810～830℃；检漏；升温，通O2和N2氧化，压力升至800mbar；再升温，通O2和N2氧化；升温至1000～1020℃，通O2和N2氧化；通N2、O2以及携带水汽的N2氧化；仅通O2和N2氧化；降温至900℃，保持O2和N2通入；降温至870℃，保持O2和N2通入；降温至860℃，关O2通入N2；破真空，取硅片，工艺结束。本发明的工艺具有降低工艺峰值温度、缩短氧化推进步时间、大幅延长设备使用寿命、提升设备产能、降低设备维护成本等优点。 实质审查
一种隧穿钝化接触电池及其制备方法 CN202311028179.7 - 本发明公开了一种隧穿钝化接触电池及其制备方法，该电池包括硅基体以及硅基体由正面隧穿氧化硅层、硼/磷掺杂碳化硅层和正面硼/磷掺杂多晶硅层构成的正面隧穿接触结构，其制备方法包括在硅基体正面制备正面隧穿接触结构。本发明中，通过在硅基体正面构建由正面隧穿氧化硅层、硼/磷掺杂碳化硅层和正面硼/磷掺杂多晶硅层复合而成的隧穿接触结构，可以提升正面钝化结构的钝化效果，能够显著提升电池的转化效率，其中转换效率高达26.33％，是一种电性能优异的新型太阳能电池。本发明制备方法还具有工艺简单、工艺窗口宽、易于操作、能耗低、易量产等优点，可降低制备成本和制备难度，有利于隧穿钝化接触电池的批量化生产，以及推广应用。 实质审查
一种叉指式背接触电池及其制备方法 CN202311027590.2 - 本发明公开了一种叉指式背接触电池及其制备方法，其制备方法包括在硅基体正面制备本征非晶硅层、P型掺杂层或N型掺杂层，在硅基体背面制备交替排布的P型和N型隧穿钝化接触结构。本发明中，采用沉积氧化硅掩膜+激光刻蚀+清洗的方式可制备图形尺寸精确可控的背面n/p‑poly结构，采用非晶硅掩膜+激光开窗+湿法刻蚀的方式可以精准实现背面N区与P区的有效绝缘，不仅可以提升钝化结构的钝化效果，而且能够显著提升电池的效率，由此可制备得到转换效率高的叉指式背接触电池，其光电转换效率高达26.33％。同时，本发明还具有工艺简单、易于操作、易量产等优点，有利于降低制备成本以及实现批量化生产，便于推广应用。 实质审查
一种石墨舟干法清洗装置及清洗方法 CN202310938980.9 - 本发明公开了一种石墨舟干法清洗装置及清洗方法，装置包括：清洗腔室、电极板、炉门、放电单元、真空单元、进气单元和光谱测试单元，石墨舟放置在清洗腔室内部进行清洗；清洗腔室的一端设有便于石墨舟进出的炉门，另一端与真空单元连接，以实现抽真空；清洗腔室外侧均布有多组放电单元，用于实现工艺气体在清洗腔室内部电离，以清洗石墨舟；清洗腔室底部设有进气单元和光谱测试单元，进气单元用于输送工艺气体至清洗腔室内部，光谱测试单元采用光谱法对清洗过程产生的等离子辉光进行监测，得到清洗前后的光谱变化，根据光谱变化判断石墨舟的清洗终点。本发明具有结构紧凑、操作便捷、清洗效率高且能够精准判定石墨舟清洗终点等优点。 实质审查
一种改善硼扩散方阻均匀性工艺 CN202310898075.5 - 本发明公开了一种改善硼扩散方阻均匀性工艺，包括以下步骤：在硅片表面沉积硼层，升温至第一推进温度，对硅片进行无氧推进，载入氧气，升温至第二推进温度，对硅片进行有氧推进，完成对硅片的硼扩散处理，其中第二推进温度高于所述第一推进温度。本发明改善硼扩散方阻均匀性工艺，不仅可以克服硼扩散高温掺杂过程中掺杂不匀的问题，尤其是在低浓度低掺杂过程中的不均匀问题，而且能够显著改善掺杂均匀性和方阻均匀性，以及降低表面复合，进而有利于提高电池的开路电压和短路电流，获得电性能优异的太阳能电池，具有工艺简单、操作方便、成本较低等优点，利于实现规模化生产和广泛应用，使用价值高，应用前景好。 实质审查
太阳能电池及其制备方法 CN202310706970.2 - 本发明公开了一种太阳能电池及其制备方法，该电池包括硅基体，在硅基体的背面设有交替排布且成台阶分布的N型隧穿钝化接触结构和P型隧穿钝化接触结构。其制备方法包括采用激光开窗和酸洗的方式在硅片背面形成凹槽并在凹槽的顶部和底部分别制备类型不同且不导通的钝化结构。本发明太阳能电池，通过优化背面的叉指结构，使得不同类型的钝化结构交替排布且成台阶分布，可以显著降低漏电风险，有利于提高电池的转化效率，且高达26.25％，对于实现太阳能电池的大规模推广和应用具有重要意义。本发明制备方法具有工艺简单、易于操作、可精确分离n/p区、易量产等优点，可实现太阳能电池的批量化生产，以及推广应用。 实质审查
一种加热炉体 CN202310702926.4 2024-01-02 本发明公开了一种加热炉体，包括壳体和以壳体中心轴为轴线螺旋布置的加热炉丝，还包括多组沿炉体圆周方向间隔布置的支撑组件，支撑组件包括支撑座、导向座及多个隔板，导向座上设有轴向导向槽，多个隔板沿轴向导向槽长度方向间隔布置，且均滑设于轴向导向槽内，加热炉丝位于相邻两个隔板之间形成的径向开口槽内，支撑座固设于壳体内，导向座与支撑座滑动连接。本发明具有结构简单、可靠性强、炉丝不易坍塌的优点。 专利权的授权
一种异质结电池非晶硅薄膜的镀膜设备和镀膜方法 CN202310627699.3 - 本发明公开了一种异质结电池非晶硅薄膜的镀膜设备和镀膜方法，该镀膜设备包括腔盖、腔体和载板，腔盖与腔体密封连接形成腔体主体，腔盖上设有下沉式喷淋阴极板，下沉式喷淋阴极板位于所述腔体的内部，与进入到所述腔体内的所述载板相对设置，腔体内部还设有用于防止所述载板向下变形的支撑件。镀膜方法是采用上述的镀膜设备在硅片表面进行镀膜。本发明镀膜设备，具有结构简单、易于操作、产能高、镀膜均匀性好、镀膜稳定性好等优点，是一种产能高、镀膜质量好、镀膜工艺稳定性好的新型镀膜设备，可广泛用于异质结电池中非晶硅薄膜的制备，使用价值高，应用前景好，对于提高异质结太阳能电池的性能并促进异质结太阳能电池的广泛使用具有重要意义。 实质审查