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一种立式石墨舟清洗设备及清洗方法 CN202310618373.4 - 本发明公开了一种立式石墨舟清洗设备及清洗方法，设备包括：清洗腔室、放电单元、真空单元、进气单元、旋转运动单元和升降运动单元，立式石墨舟放置在清洗腔室内部进行清洗；清洗腔室顶部与真空单元连接，以实现清洗腔室内部抽真空；清洗腔室侧部均布有多组放电单元，用于实现工艺气体在清洗腔室内部电离，以清洗立式石墨舟；清洗腔室底部设有进气单元、旋转运动单元和升降运动单元，进气单元用于输送工艺气体至清洗腔室内部，旋转运动单元用于实现立式石墨舟固定在清洗腔室内部，并带动立式石墨舟在清洗腔室内部旋转；升降运动单元用于辅助立式石墨舟进出清洗腔室。本发明具有结构紧凑、操作便捷、清洗效率高且能够实现石墨舟均匀清洗等优点。 实质审查
一种石墨舟干法清洗装置 CN202310595262.6 - 本发明公开了一种石墨舟干法清洗装置，包括真空腔以及设于真空腔内的第一电极板和第二电极板，第一电极板和第二电极板之间形成用于放置石墨舟的放置空间，第一电极板和第二电极板用于在通电状态下电离两者之间的工艺气体，真空腔上设有进气口和出气口。本发明双电极板的设置方式可通过调节两个电极板的电压、电流和功率大小，最大限度地电离工艺气体，增强等离子体指向轰击石墨舟表面的能量及频次，有效提高刻蚀气体利用率和石墨舟的刻蚀清洗速率，进而缩短清洗时间，克服两个电极板之间的间距或真空腔体大小造成的局限，并且双电极板的设置使放电更均匀，覆盖面广，清洗均匀性更好。 实质审查
一种进气炉门及包含其的管式PECVD反应室 CN202310534597.7 2024-03-29 本发明公开了一种进气炉门及包含其的管式PECVD反应室，包括：炉门本体、缓冲组件和气体导流组件，所述缓冲组件设置在炉门本体外侧，用于调节进气炉门上的预应力；至少两组所述气体导流组件对称设置在炉门本体内侧，且气体导流组件的输入端与输送工艺气体的进气管连接，用于实现工艺气体沿炉门本体内侧面均匀扩散至管式PECVD反应室内部。本发明还公开了包含上述进气炉门的管式PECVD反应室。本发明具有结构紧凑、进气均匀、变形程度小且连接牢固等优点，提高了PECVD设备的运行稳定性。 专利权的授权
一种不等距的同步拨料装置及拨动分料方法 CN202310412373.9 - 本发明公开了一种不等距的同步拨料装置及拨动分料方法，包括依次设置的皮带输送组件、滚轮过渡组件和机架，机架上安装有治具滑道、滑轮和不等距的拨料机构，拨料机构位于治具滑道下方；沿着线材的输送方向，治具滑道与滑轮分别设置在机架上相对的两侧；装载线材的线材装载治具依次经由皮带输送组件和滚轮过渡组件输送后进入机架上，线材装载治具的一端与治具滑道滑动连接，线材装载治具的一端与滑轮滑动连接，在拨料机构的拨动下，线材装载治具在机架上移动输送。本发明还公开了基于上述拨料装置的拨动分料方法。本发明结构紧凑、操作简单、稳定性高等优点，能够在线材处理设备中实现上料端和工序工站间同步拨料。 实质审查
一种N型光伏电池的PVD掩膜方法 CN202310236378.0 - 本发明公开了一种N型光伏电池的PVD掩膜方法，该方法在HJT太阳能电池的制备过程中，制备N/P型掺杂非晶硅层后先将硅片侧面涂覆氯化钠层，然后用从上向下的PVD磁控溅射工艺沉积TCO薄膜，再用水洗去氯化钠层；在TOPCON太阳能电池的制备过程中，制备PN结后先在硅片侧面涂覆氯化钠层，然后在硅片背面制备隧穿氧化层和用从上向下的PVD磁控溅射工艺沉积掺磷多晶硅层，再用水洗去氯化钠层。本发明的方法可实现硅片表面少甚至无掩膜，有效增加了硅片表面的受光和可利用的面积，明显提升了转换效率。 实质审查
一种硼扩散工艺 CN202310132685.4 - 本发明公开了一种硼扩散工艺，包括以下步骤：S1：将装有硅片的小舟放进炉管内；S2：将炉管抽真空；S3：检漏；S4：通入氮气和氧气，进行前氧化工艺；S5：通入氮气、氧气和扩散硼源进行扩散；S6：通入氮气，进行升温扩散；S7：在恒温条件下，通入氮气、氧气和扩散硼源；S8：通入氮气和氧气，升温，进行有氧推进；S9：通入氧气，继续升温，进行后氧化工艺；S10：通入大氧和小氧进行混合氧化；S11：通入氮气和大氧，降温；S12：破真空至常压；S13：出舟。本发明具有原理简单、工艺温度低且BRL层厚度低等优点，大幅度缩短了工艺时间，增加了生产产能。 实质审查
一种抑制寄生等离子体产生的射频装置 CN202310093183.5 - 本发明公开了一种抑制寄生等离子体产生的射频装置，包括：腔体和腔盖，腔盖与腔体组成密闭的沉积反应室；腔盖上设有进气组件和射频组件，进气组件用于输送工艺气体，所述射频组件用于实现工艺气体在辉光放电区电离；腔体内部设有接地带、加热板和顶升组件，加热板顶部用于承载待镀膜工件，加热板底部与顶升组件连接，在顶升组件的驱动下，加热板在沉积反应室的辉光放电区内往复升降，以带动待镀膜工件升降至预设的工位进行镀膜工艺；加热板底部通过接地带与腔体内侧底部连接，以抑制寄生等离子体产生。本发明具有结构紧凑、成本低、易于维护等优点，有效抑制了寄生等离子产生、提升了腔室元器件使用寿命，且腔室的匹配窗口更大。 实质审查
一种极间距可调的PECVD设备 CN202211732775.9 - 本发明公开了一种极间距可调的PECVD设备，包括腔体及腔盖，腔盖铰接于腔体顶部，腔盖内侧设有安装板，安装板底部设有喷淋极板，喷淋极板与安装板之间形成匀流腔，安装板上设有进气装置，腔盖外侧设有射频电源，射频电源通过第一导电元件与进气装置连接，腔体侧壁上设有进出口，腔体内设有加热极板，载板位于喷淋极板与加热极板之间，加热极板下方设有托板，托板上设有支撑杆，支撑杆穿过加热极板用于支撑载板，腔体底部通过三通接口与升降驱动装置安装室连接，三通接口的第三个接口与真空泵连接，升降驱动装置安装室内设有驱动托板升降的第一升降驱动装置及驱动加热极板升降的第二升降驱动装置。本发明具有镀膜均匀性好、增大工艺窗口的优点。 实质审查
一种掩模湿法腐蚀隔离HBC电池pn结的方法 CN202211741001.2 - 本发明公开了一种掩模湿法腐蚀隔离HBC电池pn结的方法，包括以下步骤：将硅片制绒后，在硅片背面沉积第一i型非晶硅薄膜层、p型非晶硅薄膜层，采用光刻法去除第一i型非晶硅薄膜层、p型非晶硅薄膜层上的部分区域并沉积第二i型非晶硅薄膜层和n型非晶硅薄膜层；在硅片背面沉积氮化硅薄膜层并覆盖油墨层，用光刻法将需要腐蚀的p‑n分离区的油墨和氮化硅掩模去除，将油墨层清洗掉，用腐蚀液去除p‑n分离区内的n型非晶硅薄膜层和第二i型非晶硅薄膜层，实现pn结隔离。本发明的方法可快速简单地实现pn结隔离，并得到具有高钝化性能、高致密性、耐腐蚀性好、膜厚均匀可控的氮化硅掩模，使硅片少子寿命提升30％以上。 实质审查
一种电池片存储系统及其存储方法 CN202211696917.0 - 本发明公开了一种电池片存储系统，包括底座、用于取放货箱的机器人、多个货架及多个货箱输送装置，多个所述货架以机器人为圆心，沿机器人圆周方向间隔布置，多个货箱输送装置沿货架高度方向间隔布置，所述机器人设于底座上，所述底座上设有用于驱动机器人在货架上升降的升降驱动装置，所述机器人上设有夹爪及用于调整夹爪间距的调整装置。本发明还公开了其存储方法。本发明具有节约空间，提高存储量的优点。 实质审查