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一种带裙齿的微半球陀螺仪谐振结构加工方法及装置 CN202310980037.4 2023-10-03 本发明公开了一种带裙齿的微半球陀螺仪谐振结构加工方法及装置，本发明的加工方法包括在谐振结构上利用飞秒激光按照给定间距点击加工出裙齿的轮廓点阵列；将谐振结构在腐蚀槽中进行超声化学刻蚀将裙齿的结构完全释放出来；本发明的装置包括激光加工单元和用于固定谐振结构的治具组件，包括用于对谐振结构激光加工的贴片工装以及用于腐蚀作业的腐蚀夹具。本发明能够有效避免传统激光直接切割产生的微裂纹等表面损伤问题，改善微半球陀螺仪Q值、阻尼均匀性；具有整体结构加工对称性更好、可批量加工处理的优点，可有效解决激光切割垂直加工较难问题，实现垂直成型加工，可进一步缩小加工间隙，增大器件工作电容面积，提高微半球陀螺仪灵敏度。 专利权的授权
一种环形谐振陀螺敏感结构筛选装置及其应用方法 CN202310856055.1 2023-09-29 本发明公开了一种环形谐振陀螺敏感结构筛选装置及其应用方法，本发明装置包括信号生成单元、调频调轴单元、专用夹具、载波信号生成模块和信号转换解调电路，信号生成单元的输出端与专用夹具上的信号端子相连，调频调轴单元的输出端与专用夹具上的信号端子相连，载波信号生成模块的输出端与信号转换解调电路以及专用夹具上的信号端子相连，信号转换解调电路的输入端与专用夹具上的信号端子相连以用于将被筛选的环形谐振陀螺敏感结构的检测信号进行解调输出。本发明旨在实现对环形谐振陀螺敏感结构的谐振特性参数测量以用于筛选环形谐振陀螺敏感结构，提升环形谐振陀螺敏感结构的筛选效率。 专利权的授权
一种全对称熔融石英结构吹制模具及制备方法 CN202310163771.1 - 本发明公开了一种全对称熔融石英结构吹制模具及制备方法，本发明的全对称熔融石英结构吹制模具，包括采用石墨制成且中部设有熔融石英结构吹制结构体的模具本体，所述模具本体的表面上设有碳化硅膜。本发明全对称熔融石英结构吹制模具的制备方法包括：将石墨棒切割为石墨坯体；对石墨坯体进行机械粗加工以完成结构成型；将完成结构成型后的石墨坯体清洗后，在正面形成碳化硅膜；对带有碳化硅膜的石墨坯体进行机械精加工；对石墨坯体进行抛光，得到制备好的全对称熔融石英结构吹制模具。本发明旨在显著提高熔融石英全对称结构吹制产品一致性、可靠性，同时极大延长吹制模具使用寿命，大幅度降低生产成本、改善生产效率。 实质审查
MEMS加速度计零偏和标度因数的温度补偿方法及系统 CN202211691805.6 2023-03-21 本发明公开了基于MEMS加速度计零偏和标度因数的温度补偿方法及系统，方法包括：计算常温环境下温度均值、零点偏移矩阵、标度因数矩阵、固定交叉耦合系数矩阵；进行两个不同位置的变温试验，得到对应加速度计数值序列和目标区间的温度序列，获取各加速度序列中温度均值对应的加速度计数值；根据标度因数矩阵的逆矩阵、固定交叉耦合系数矩阵、温度均值对应的加速度计数值，计算得到零偏序列和标度因数序列；对温度序列和零偏序列进行曲线拟合得到零点偏移参数，对温度序列和标度因数序列进行曲线拟合得到标度因数参数；获取MEMS加速度计数据输出值，用零点偏移参数和标度因数参数补偿得到真实值。本发明提高了MEMS加速度计测量精度。 专利权的授权
一种微惯性寻北仪及其应用方法 CN202211435750.2 2023-03-21 本发明公开了一种微惯性寻北仪及其应用方法，微惯性寻北仪包括壳体，所述壳体中设有可转动的传感器安装块，所述传感器安装块上设有磁吸连接件，且所述壳体中设有沿传感器安装块的周向间隙布置的电磁铁，所述壳体中还设有控制单元，所述电磁铁的控制端均与控制单元连接。方法包括：控制单元依次控制每个电磁铁通电/断电直到传感器安装块旋转180°，同时获取X轴传感组件和Y轴传感组件的反馈数据；根据传感器安装块旋转180°前后的反馈数据，计算消除传感组件零偏影响后的俯仰角、滚动角和方位角。本发明结构简单且使用方便。 专利权的授权
一种高过载扭摆式硅微加速度计及其制备方法 CN202210211524.X 2024-04-02 本发明公开了一种高过载扭摆式硅微加速度计及其制备方法，本发明的高过载扭摆式硅微加速度计包括SOI电极结构层和硅敏感结构，SOI电极结构层上设有三个静电电容区域及对应的引线盘，硅敏感结构包括质量块及其中部刻蚀形成的键合块和支撑梁，质量块两侧质量不同且与三个静电电容区域相对间隙布置形成平面电容结构，键合块通过支撑梁与质量块相连，键合块与SOI电极结构层之间通过键合锚点键合连接使得键合块与SOI电极结构层两者的键合平面悬空布置。本发明能极大程度减小晶圆级键合应力，提高硅微加速度计抗过载能力，保障了产品的使用寿命和长期可靠性，能提高硅敏感结构与电极层之间键合平整度，改善电容间隙一致性，加工精度更高。 专利权的授权
基于线性调频超声波的测距方法、系统及介质 CN202111606246.X 2022-04-05 本发明公开了一种基于线性调频超声波的测距方法、系统及介质，包括以下步骤：定时发射第一线性调频超声波信号，并同步将第一线性调频超声波信号转换为第一脉冲信号；保存第一脉冲信号中第一目标电平的脉宽，并保存第一目标电平上升沿或下降沿的时间；接收第二线性调频超声波信号，将第二线性调频超声波信号转换为第二脉冲信号；获取第二脉冲信号中的第二目标电平的脉宽，若存在与第二目标电平的脉宽相同的第一目标电平，根据脉宽相同的第一目标电平和第二目标电平对应的上升沿或下降沿的时间计算渡越时间，然后根据渡越时间和当前温度下的声速计算当前距离。本发明克服了现有技术中测量精度的不高的缺点并且降低了计算复杂度。 专利权的授权
MEMS传感器芯片封装结构、MEMS传感器及制备方法 CN202111410997.4 - 本发明公开了一种MEMS传感器芯片封装结构、MEMS传感器及制备方法，包括外围支撑框架和应力隔离质量块，所述外围支撑框架内设置有支撑悬板，所述支撑悬板与外围支撑框架连接且外围支撑框架与支撑悬板在同一平面上，应力隔离质量块设置在所述支撑悬板的上表面上，所述外围支撑框架和应力隔离质量块上分别设有用于与MEMS传感器芯片或封装基座相连的多个贴片凸起。本发明能够有效隔离贴片应力或焊接应力影响，并且可兼容集成电路加工工艺、降低传感器芯片贴片应力、体积小、加工成本低、可批量加工等特点，可广泛应用于MEMS陀螺仪和加速度计等惯性传感器芯片集成封装。 实质审查
MEMS传感器芯片封装应力隔离结构、MEMS传感器及制备方法 CN202111410996.X - 本发明公开了一种MEMS传感器芯片封装应力隔离结构、MEMS传感器及制备方法，包括外围支撑框架以及位于外围支撑框架内的应力隔离质量块，所述外围支撑框架和应力隔离支撑块之间通过支撑悬臂梁连接，外围支撑框架、应力隔离质量块以及支撑悬臂梁均位于同一平面上，所述外围支撑框架和应力隔离质量块上分别设有用于与MEMS传感器芯片或封装基座相连的多个贴片凸起。本发明能够有效隔离贴片应力或焊接应力影响，并且可兼容集成电路加工工艺、降低传感器芯片贴片应力、体积小、加工成本点、可批量加工等特点，可广泛应用于MEMS陀螺仪和加速度计等惯性传感器芯片集成封装。 实质审查
一种MEMS惯性传感器芯片模组及其制备方法 CN202110806106.0 - 本发明公开了一种MEMS惯性传感器芯片模组及其制备方法，本发明MEMS惯性传感器芯片模组，包括壳体，所述壳体分别固定有PCB板和金属支撑柱，所述金属支撑柱上支承有MEMS惯性传感器芯片组件，所述MEMS惯性传感器芯片组件上的连接端子通过金属线与PCB板上的连接端子相互连接。本发明无需一级封装工艺，大幅度降低封装及集成成本，缩小集成体积，避免了表面安装涉入的热应力，也能实现快速热传导，可保有MEMS惯性传感器芯片级各项性能指标，能够改善现有技术对MEMS惯性传感器芯片的应用限制，避免一级封装或二级封装热应力的对系统集成应用的影响。 实质审查