- 专利标题 公开号/公告号 公开日期 摘要 专利状态
- 基于双速率积分陀螺交替互补工作的角度测量方法及装置 CN202011274664.9 2021-01-29 本发明公开了一种基于双速率积分陀螺交替互补工作的角度测量方法及装置，本发明方法包括驱动控制一对速率积分陀螺A、速率积分陀螺B交替互补工作，使得速率积分陀螺A交替处于激励振动状态、自由振动状态，且当速率积分陀螺A、速率积分陀螺B两者状态互补，并选择当前自由振动状态的速率积分陀螺A或速率积分陀螺B的信号作为检测信号。本发明通过采用两个速率积分陀螺的激励振动和自由振动交替互补的工作方式；利用了速率积分陀螺陀螺自由振动状态下的输出精度高的优点，避免了工作时间短的缺点，降低了对陀螺品质因数的要求，可为角度测量提供了一种精度高、动态范围大的全时测量方法。 专利申请的更正
- 一种全量程真空计及其测试方法 CN202010525596.2 2024-10-08 本申请涉及一种全量程真空计及其测试方法。所述真空计包括：敏感模块、控制模块以及数据处理模块，敏感模块包括多个尺寸互异的敏感单元，在控制模块输出的不同的测试模态驱动下，利用敏感单元分别采用频率响应法、频率漂移法测量测量低真空和中真空的测试区间，利用多个尺寸互异的敏感单元，采用衰减法和PID控制法测量高真空的测试区间，数据处理模块持续采集敏感单元在不同测试模态下的输出参数，根据输出参数计算测试环境的实际压力值。采用本方法能够实现真空度的全量程测量。 专利权的授权
- 一种防眩光玻璃的制备方法 CN201910426741.9 2021-12-03 本发明公开了一种防眩光玻璃的制备方法，包括：S1、在玻璃基底的结构面上形成图形化的第一光刻胶层；S2、以第一光刻胶层为掩膜，通过第一湿法腐蚀将玻璃基底刻蚀至给定深度；S3、除去第一光刻胶层，得到结构面具有凸起阵列的玻璃基底；S4、在玻璃基底的结构面上形成图形化的第二光刻胶层；S5、以第二光刻胶层为掩膜，对玻璃基底进行第二湿法腐蚀，在玻璃基底结构面上形成凹槽阵列；S6、将经第二湿法腐蚀的玻璃基底进行清洗，并去除第二光刻胶层，即得防眩光玻璃。本方法简单可控、工艺稳定性好，制备的防眩光玻璃表面微观平整度好、透光率高、反射率低、光泽度高、性能参数稳定、且拥有等同于玻璃材料的良好性能。 专利权的授权
- 防眩光玻璃的制备方法 CN201910426738.7 2022-03-22 本发明公开了一种防眩光玻璃的制备方法，包括如下步骤：S1、在清洗干净的玻璃基底表面溅射一层金属薄膜；S2、在镀膜的玻璃基底上形成一层图形化的光刻胶层；S3、以图形化的光刻胶层为掩膜，通过湿法腐蚀对金属薄膜进行刻蚀，待刻蚀完成后，去除图形化的光刻胶层，即得防眩光玻璃。本发明制备出的防眩光玻璃保留了原材料的基本物理性质，表面微米级的有序金属粒可以有效地降低产品的光反射率，因此具有高透光度、低反射率，制备过程简易可控，安全环保，同时，可以通过改变光刻掩膜板上的图形，得到不同形貌的防眩光表面。 专利权的授权
- 谐振环/多谐振环六轴惯性传感器 CN201811301113.X 2020-05-22 本发明公开了一种谐振环/多谐振环六轴惯性传感器，谐振环六轴惯性传感器包括谐振环和贴近谐振环布置的电极单元，所述电极单元包括XY轴加速度测量单元、Z轴加速度测量单元、XY轴角速率测量单元、Z轴角速率测量单元，电极均与谐振环间隙布置，其中XY轴为谐振环所在平面，Z轴为谐振环的轴线所在平面。多谐振环六轴惯性传感器包括嵌套布置的两个以上的谐振环六轴惯性传感器。本发明能够实现利用单一谐振环来检测三轴角速率和三轴加速度，具有检测精度高、结构简单紧凑、体积小的优点。 专利申请的更正
- 一种惯性/多天线GNSS组合导航方法及装置 CN201811042440.8 2018-12-07 本发明公开一种惯性/多天线GNSS组合导航方法及装置，该方法包括：S1.使用惯性导航系统与GNSS的组合导航系统进行组合导航，输出导航信息、姿态角信息；S2.接收姿态角信息，并使用多GNSS定姿定向系统计算方位角信息，输出计算得到的方位角信息；S3.组合导航系统接收计算得到的方位角信息进行更新，输出更新后的导航信息。本发明具有实现方法简单、能够实现惯性/GNSS组合导航与多GNSS定姿定向的双向融合，且导航精度高且收敛速度快等优点。 专利权的授权
- Si(100)晶片上平直的Si{111}与Si{110}面交线的制备方法 CN201810677426.9 2020-08-07 本发明公开了一种Si(100)晶片上平直的Si{111}与Si{110}面交线的制备方法，实施步骤包括：准备添加有用于降低面刻蚀速率的添加剂的刻蚀液；将用于制备Si{111}与Si{110}面交线的Si(100)晶片放置在刻蚀液中进行刻蚀，且定时往刻蚀液中补充添加剂使得刻蚀液的组分浓度恒定；在Si(100)晶片刻蚀作业达到指定时间后取出。通过本发明可使Si{111}面和过刻蚀Si{110}面光滑平整，Si{111}面和过刻蚀Si{110}面面交线平直度达到理想状态，减小因凸角和粗糙表面引起的应力集中和硅结构部件的变形，改善MEMS器件结构的对称性和平衡性，减小了MEMS器件的误差，提高了MEMS器件性能和灵敏度。 专利权的授权
- 一种高灵敏度扭摆式硅微加速度计及其制备方法 CN201810650974.2 2021-02-26 本发明公开了一种高灵敏度扭摆式硅微加速度计及其制备方法，硅微加速度计包括连接为一体的硅基板和硅敏感结构，硅敏感结构包括应力释放结构、两对支撑梁、一对耦合敏感质量块以及一对锚点，一对耦合敏感质量块之间对称布置，且每一个耦合敏感质量块均分别通过一根单独的支撑梁和锚点相连、通过另一根单独的支撑梁和应力释放结构连接耦合，每一个耦合敏感质量块的质心位于和锚点相连的支撑梁的中点；制备方法采用干法刻蚀制备。本发明具有器件空间利用率高、敏感质量块有效检测面积大、高灵敏度、成品率高、成本低、加工质量高、加工鲁棒性好、应用范围广的优点。 专利权的授权
- 一种立式硅片磁控溅射镀膜机 CN201810448149.4 2023-03-07 本发明公开了一种立式硅片磁控溅射镀膜机，包括：真空室、设置在真空室内用于悬挂和移动硅片的传动装置，以及用于抽真空的真空抽气系统、用于供电和控制工作状态的电源控制系统；所述真空室包括互相密封连接的的清洗室和溅射室，清洗室内设置有离子清洗电极，溅射室内设置有溅射靶；传动装置包括设置在真空室内的硅片挂板、挂板底座、轨道车，硅片挂板与挂板底座可拆卸连接，轨道车顶部开设有凹槽，挂板底座底部设置有凸出部，挂板底座通过凸出部和凹槽的配合与轨道车固定插接。采用本设计可以减少真空室体积、真空效果好，并且取放硅片方便，能够有效去除硅片表面残渣并加热，镀膜后的成片效果好。 专利权的授权
- 一种高精度恒压强闭环控制仪 CN201810448482.5 2023-05-26 本发明公开了一种高精度恒压强闭环控制仪，包括闭环控制仪本体和真空电控系统，闭环控制仪本体包括支架、设置在支架上的真空屏蔽箱、真空屏蔽箱内设置有用于放置芯片的内屏蔽盒；真空电控系统包括与真空屏蔽箱相连的真空泵、设置在真空屏蔽箱内的真空计、流量计，以及与真空泵、真空计、流量计电性连接的控制模块。本设计通过真空屏蔽箱和内屏蔽盒的双层设计，并且在内屏蔽盒外侧和真空屏蔽箱内侧都覆盖有电磁屏蔽层，能够有效屏蔽电磁干扰；控制模块通过监测数据实时控制真空泵的进气量来实现真空屏蔽箱内部压强的闭环控制，能够提供稳定的真空环境，保证了芯片的测试结果的可靠性。 专利权的授权