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一种潜水浮力装备 CN201910813306.1 - 本发明公开了一种浮力潜水装备，包括浮力装置和推进装置，所述浮力装置为浮力电源背心，包括：浮力背心本体、充放气组件、电源组件和控制系统；所述推进装置包括无轴电机、安装基板、紧固带，所述无轴电机设置于所述安装基板内，所述安装基板通过所述紧固带固定于潜水员身上，所述电源与所述无轴电机电连接；所述电源通过紧固装置固定在潜水员身上；所述推进装置通过防水导线与浮力装置的电源组件连接。本发明的浮力背心可穿戴在人体，浮力背心上带充放气功能，可以根据潜水需要，通过充放气控制背心浮力大小，进而控制下潜的深度。 专利申请的驳回
一种钛合金锲形键合立针及其制备方法 CN201910509520.8 2022-08-16 本发明公开了一种钛合金锲形键合立针及其制备方法。本发明所述钛合金锲形键合立针是以TC4钛合金为基材，整体HRc45度渗碳处理和立针头部出线嘴0~5mm段进行二次氮化工艺处理的一体式钛合金立针。其中，渗碳处理工艺采用整体HRc45度渗碳处理，可以提高钛合金刚度，便于高频传导。前端氮化处理可以提高其耐磨性和高频击点下金属抗疲劳变形能力。本发明解决了普通TC4钛合金无法制备立针的问题，推动我国微电子行业的快速发展。 专利权的授权
一种具有模块化特征的双边直线感应电机 CN201811292728.0 - 本发明公开了一种具有模块化特征的双边直线感应电机，包括电机初级和电机次级，电机初级和电机次级分别划分为初级组成单元和次级组成单元，初级组成单元和次级组成单元的数量均大于三个，一个单元的首端与另一个单元的末端通过机械连接组成一个直线感应电机的初级，本发明还提出了两种用于放置水冷散热管与绕组导线的初级单元散热套管。本发明模块化设计明显提高电机零部件的利用率，使电机生产流程较为方便，节约成产成本，另外，传统直线电机多采用自然散热或者是风冷装置，直线电机初级单元散热套管，具有与绕组以及定子轭部的接触片，增大与产热源的接触面积，另外还可搭载多个水冷管，可以实现对电机的均匀散热。 专利申请的驳回
一种双边直线感应电机的新型复合结构次级装置 CN201811292762.8 - 本发明公开了一种双边直线感应电机的新型复合结构次级装置，包括第一导磁板和第一导电体，所述第一导电体包括第一导电端条和第一导电导条，所述第一导电端条的数量为两个，两个第一导电端条之间设置有第一导电导条。使得次级装置具有导电导条，这为感应电流的流动提供规划路径，使安培力在直线电机推力方向上的贡献最大，且尽可能减小双边直线感应电机的横向拉力；其次，次级装置使用由高性能导磁材料制成的平板作为导磁体，导磁板各处的磁阻大小相对均匀，可最大限度的减小次级装置对气隙磁场的影响，使气隙磁场尽可能按正弦波形分布，进而减小双边直线感应电机运行状态下的推力脉动。 专利申请的驳回
减少直线感应电机横向与纵向端部效应方法 CN201811292763.2 - 本发明公开了减少直线感应电机横向与纵向端部效应方法，具体方法如下：方法一：通过改初级的形状来减小纵向端部效应，初级纵向端部定子齿的形状采用直角三角形，其中直角三角形斜边朝外，两直角边最长的那边朝向次级。本发明解决了直线感应电机的纵向端部效应以及横向端部效应的问题，该减少直线感应电机横向与纵向端部效应方法，能够有效避免初级绕组电流三相不对称、在开断处出现端面磁通、直线感应电机在运动过程初级产生的磁场切割次级产生的磁场的电瞬态现象和绕组端边出现半填充槽等问题的出现，大大减小输出推力的波动，提高了直线感应电机输出效率，降低直线感应电机发热的热量，延长了直线感应电机的使用寿命。 专利申请的驳回
消防炮发射用双边直线感应电机动子装置 CN201811292723.8 - 本发明公开了消防炮发射用双边直线感应电机动子装置，包括第一导电板、平行槽和导电板平行槽端部，所述第一导电板的数量为两个，第一导电板的上端面开设有平行槽，平行槽的数量不少于五个，两个第一导电板之间设置有导磁体，导磁体的两侧均贯穿至平行槽的内腔，导电板平行槽端部的一侧设置有导电板齿部，第一导电板的下端面设置有导电板下端面贯通槽。本发明专利的消防炮发射用双边直线感应电机的新型复合结构动子装置中，由于导电板与导磁板互相绝缘处理，有效克服了集肤效应，感应电流将分布于整个次级装置内部，此时每个导电板内的感应电流都将在磁场中产生发射推力，这提高了双边直线感应电机发射弹丸的能力。 专利申请的驳回
一种具有绕组接线板的直线感应电机 CN201811292727.6 2023-08-11 本发明公开了一种具有绕组接线板的直线感应电机，包括直线电机，所述直线电机的初级采用双层绕组结构，其绕组连接有绕组接线板，所述绕组接线板分成第一部分、第二部分和第三部分：第一部分用于引入三相电流进入绕组后端，与绕组后端相连。该具有绕组接线板的直线感应电机，通过初级的双层绕组结构和绕组接线板的配合使用，方便快捷地改变绕组节距以及每极每相槽数，使电枢电流和初级反电动势更加接近正弦波形，减少高次谐波磁场特别是时间谐波和空间谐波对推力波动的影响，具备操作更加简单、方便和快捷的优点，在使用的过程中安全、可靠，效果显著的消除高次谐波，使电机能够平稳地输出推力。 专利权的授权
一种垂直型GaN功率器件的封装方法 CN202410688869.3 - 本发明提供了一种垂直型GaN功率器件的封装方法，在垂直型GaN功率器件的势垒层的四周形成阻挡区域，在阻挡区域内沉积氮化硅形成牺牲层；在牺牲层与源极之间沉积二氧化硅，形成阻挡结构，阻挡结构的顶部高于源极的顶部，阻挡结构顶部的一端与源极相接，阻挡结构顶部的另一端与N型缓冲层的边缘齐平；在阻挡区域通过热浓磷酸湿法去除牺牲层，形成银迁移阻止区；与现有技术相比，本发明设计阻挡结构形成银迁移阻止区，迁移的银离子会在银迁移阻止区内堆积，不会越过阻挡结构搭接上源极，导致源极和漏极短路而失效，提高了垂直型GaN功率器件的使用寿命。 实质审查
防止银迁移失效的肖特基二极管及其制作方法 CN202410671331.1 - 本申请属于功率半导体器件制造领域，尤其涉及一种防止银迁移失效的肖特基二极管及其制作方法，该肖特基二极管通过在半导体层的周向侧壁设置银阻挡结构，利用银阻挡结构中环绕半导体层的周向侧壁设置的凸起，增加银离子的迁移距离，还能使银离子堆积在半导体层的周向侧壁与凸起的连接处，加大银离子由阴极金属层一侧的含银焊料迁移至阳极金属层的难度，不会或者很难发生肖特基二极管阴极和阳极短路失效的问题。该肖特基二极管的制作方法制备的肖特基二极管，通过阻挡层，或半导体衬底和N型外延层未被刻蚀的部分形成凸起，使得银离子很难越过侧壁爬上阳极金属层，不会或者很难发生肖特基二极管阴极和阳极短路失效的问题。 实质审查
一种框架与DBC基板的焊接结构和IPM智能模块 CN202410540545.5 - 本发明公开了一种框架与DBC基板的焊接结构，包括焊片，所述框架的引脚与DBC基板之间设有用于容纳焊片的空腔，所述空腔与所述焊片的形状相适配。本发明实施例还公开了一种I PM智能模块，包括框架和DBC基板，所述框架的引脚与DBC基板之间通过如上所述的框架与DBC基板的焊接结构进行焊接。本发明的焊接结构，通过在框架的引脚与DBC基板之间设有用于容纳焊片的空腔，空腔与焊片的形状相适配，焊点高度一致，焊点质量高，且进行后续塑封工序，不会发生漏胶，DBC基板不会发生翘曲，制作出来的产品的DBC基板是平整的，产品质量高。 实质审查