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一种双面散热功率模块及其封装方法 CN202011138805.4 2023-09-26 本发明公开了一种双面散热功率模块及其封装方法，包括功率芯片、上衬板、下衬板和垫块组件，所述功率芯片的一侧通过第一连接层与所述下衬板相连，所述功率芯片的另一侧通过第二连接层与所述垫块组件的一端相连，所述垫块组件的另一端通过第三连接层与所述上衬板相连，所述垫块组件包括第一垫块和第二垫块，所述第一垫块的一端通过第二连接层与功率芯片相连，所述第一垫块的另一端与所述第二垫块的一端可拆卸连接，所述第二垫块的另一端通过第三连接层与所述上衬板相连。本发明具有降低工艺难度、方便连接、保证导热能力且降低成本等优点。 专利权的授权
功率半导体器件及其制备方法 CN202011112031.8 - 本公开提供一种功率半导体器件及其制备方法，该功率半导体器件包括设置于所述外延层上的有源区、终端区和位于所述有源区与所述终端区之间的过渡区；所述有源区包括若干间隔设置于所述外延层表面内的第二导电类型阱区、设置于所述阱区表面内的沟槽、位于所述阱区表面内且位于所述沟槽两侧的第一导电类型源区和位于所述阱区内且位于所述沟槽下方的第二导电类型短路区；其中，所述阱区底部于所述沟槽的对应位置设置有凹陷结构。通过在阱区底部于沟槽的对应位置形成凹陷结构，使得雪崩击穿位置由终端区转移至面积更大的有源区，增加了散热面积，且雪崩电流路径避开了寄生npn晶体管基区，缩短了雪崩电流路径，减少了热量的产生，提高了雪崩耐量。   专利申请的驳回
一种碳化硅MOSFET驱动电源 CN202010979319.9 2023-09-22 本发明公开了一种碳化硅MOSFET驱动电源，包括第一隔离变压单元、第一逻辑单元、第二逻辑单元和多路第二隔离变压单元，各所述第二隔离变压单元的输入端均与所述第一隔离变压单元的输出端相连，各所述第二隔离变压单元的输出端用于分别与驱动电路的各桥臂的开关单元连接。本发明具有安全可靠、电压监护、欠压保护、过压保护、短路保护等优点。 专利权的授权
一种功率模块外壳及具有其的功率模块 CN202010879554.9 - 本发明提出了一种功率模块外壳及具有其的功率模块。功率模块外壳包括外壳框架和外壳面；外壳框架顶部设置有多个安装柱，底部设置有定位槽；外壳面包括通过注塑一体成型的面板和安装部；面板上开设有出针孔，出针孔贯穿面板的顶面和底面；面板四周边沿还设置有多个固定环，外壳面通过固定环套设在安装柱上，外壳通过安装柱固定在PCB板上，外壳通过固定部固定在散热器上。与现有技术相比，本发明提供的功率模块外壳具有采用外壳框架和外壳面板相互分离的方案，这样可以降低功率模块外壳的应力，利于提高外壳的抗振性；外壳框架和外壳面均采用塑料制成，消除了金属部件对于外壳较大的应力，避免了外壳壁受拉裂开，降低了生产成本。   专利申请的驳回
一种环氧模塑料及其制备方法和应用 CN202010802113.9 - 本发明提供一种环氧模塑料，其以邻甲酚醛环氧树脂和超支化环氧树脂作为基础树脂，其中，超支化环氧树脂选自式(1)和式(2)所示的化合物中的一种或多种。同时，在制备环氧模塑料时，还加入了固化剂、促进剂、无机填料和偶联剂。环氧树脂、固化剂、促进剂、无机填料和偶联剂互为影响，具有协同效应。环氧树脂和固化剂用于保证环氧模塑料的高玻璃化温度，超支化环氧用来提高树脂的流动性和起到增韧效果，促进剂用于反应胶化时间，填料和偶联剂用来降低固化过程中的收缩率，降低内应力低。通过组分间的协同，使本发明所制备的环氧模塑料具有很低的CTE值。   专利申请的撤回
碳化硅VDMOSFET器件的元胞结构、其制备方法及碳化硅VDMOSFET器件 CN202010712289.5 - 本公开提供一种碳化硅VDMOSFET器件的元胞结构、其制备方法及碳化硅VDMOSFET器件，所述元胞结构包括位于所述漂移层表面内且设置于元胞结构两侧的第二导电类型阱区；位于所述阱区表面内的第一导电类型源区；其中，在所述源区远离所述元胞结构中心的一侧，所述漂移层于其表面向下设置有侧部沟槽；设置于所述阱区内，且位于所述侧部沟槽的底部和侧壁并与所述源区邻接的第二导电类型欧姆接触区；设置于所述源区上方和所述侧部沟槽内的源极金属层；其中，所述源极金属层同时与所述源区和所述欧姆接触区形成欧姆接触。本公开中通过先形成沟槽再倾斜离子注入的方式在阱区内形成与源区邻接的沟槽状的欧姆接触区，提高了器件的UIS耐性，使器件具有更高的动态雪崩可靠性。   专利申请的驳回
一种耐高电压有机硅凝胶及其制备方法和应用 CN202010589148.9 - 本发明公开了一种耐高电压有机硅凝胶及其制备方法和应用，该机硅凝胶包括A组分和B组分，以乙烯基硅油、催化剂、经乙烯基硅油改性的填料A为A组分，以乙烯基硅油、交联剂、抑制剂、经交联剂改性的填料B为B组分，其中改性填料A由填料A经乙烯基硅油改性后获得；所述改性填料B由填料B经交联剂改性后获得。其制备方法包括将A组分与B组分混合制备得到耐高电压有机硅凝胶。本发明耐高电压有机硅凝胶具有高绝缘性、高弹性、低应力等优点，且具有非常强的耐高电压能力，能够防止高电压电流的击穿，能够显著提高电力电子器件的耐电压性能，对于提高电力电子器件的可靠性具有十分重要的意义，有着很高的使用价值和很好的应用前景。 专利申请的驳回
一种功率半导体器件的元胞结构及其制作方法 CN202010561381.6 2024-04-09 本发明公开了一种功率半导体器件的元胞结构、器件及其制作方法，其中所述元胞结构包括：位于衬底表面上的外延层，其中外延层包括设置于衬底表面自下而上的第一外延层、第二外延层、第三外延层；位于第二外延层内两端的第二导电类型埋区；位于第三外延层内两端的掺杂区，掺杂区包括设置于所述第三外延层内自下而上指定结深的第二导电类型第一基区、第二导电类型增强基区、以及第二导电类型第二基区、第一导电类型增强源区和第二导电类型增强短路区；位于外延层上表面中央栅极绝缘层，位于所述栅极绝缘层之上的多晶硅层及栅极；位于所述外延层上表面两端的源极。本发明提供的器件提升了功率半导体器件的短路承受能力，提高了短路承受时间。 专利权的授权
一种功率半导体器件及制作方法 CN202010299189.4 2023-11-28 本发明公开了一种功率半导体器件及其制作方法，所述器件包括：位于公共衬底之上的第一导电类型的公共外延层，外延层包括多个元胞结构；位于外延层上表面的多个栅极结构和多个源极结构，栅极结构和源极结构间隔排列，且相邻的栅极结构和源极结构之间形成有第一介质层；位于栅极结构、源极结构和第一介质层上的第二介质层；位于第二介质层上且分别贯穿第二介质层的源极和栅极；位于栅极及源极之上的保护层；位于公共衬底下表面的漏极金属层。本发明实施例通过采用多层金属、栅极均匀覆盖金属和栅极下方排布元胞来来提高功率半导体器件的输出功率，增强了器件元胞的开关一致性，进而提高其工作频率及可靠性。 专利权的授权
流体状高导热有机硅凝胶及其制备方法和应用 CN202010278850.3 - 本发明公开了一种流体状高导热有机硅凝胶及其制备方法和应用，该有机硅凝胶包括A组分和B组分，其中以乙烯基硅油、催化剂、改性纳米填料为A组分，以乙烯基硅油、扩链剂、交联剂、1‑乙炔基环己醇、改性纳米填料为B组分。其制备方法包括分别制备A/B组分，进而将A/B组分混合制成流体状高导热有机硅凝胶。本发明流体状高导热有机硅凝胶同时具有高导热和低粘度等优点，能够显著提高电力电子器件散热性能，也能够适用于电力电子器件的灌封，有着很高的使用价值和很好的应用前景。本发明制备方法具有工艺简单、操作方便、原料易得、对设备要求低等优点，可实现大规模制备，适合于工业化生产，有利于高导热有机硅凝胶材料的推广和应用。 专利申请的驳回