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一种功率器件的无引线封装结构及封装方法 CN202210847452.8 - 本发明公开了一种功率器件的无引线封装结构及封装方法，封装结构包括芯片、金属构件和衬板，所述芯片的背面连接在所述衬板上，所述金属构件的一端与芯片的正面之间通过烧结工艺连接，所述金属构件的另一端与衬板或外部端子之间通过烧结工艺连接。本发明采用金属构件来代替铝线键合，实现半导体芯片正面到衬板或者外部端子之间的电性连接，达到无引线连接效果，能显著提高芯片的通流能力，极大的发挥碳化硅芯片的优势。 实质审查
一种带场板和场限环的边缘终端及其制造方法和应用 CN202210569994.3 - 本发明公开了一种带场板和场限环的边缘终端及其制造方法和应用，该边缘终端包括衬底和形成于衬底一侧的漂移区，漂移区的外侧形成有主结区和若干个场限环，若干个场限环依次环绕在主结区的外周，在场限环与主结区外侧的同一水平面上形成有钝化层整板，钝化层整板上形成场板整板，场板整板的材质为栅极金属。其制造方法包括采用沉积、光刻和刻蚀工艺在衬底上制备以整片/整板的形式存在的钝化层和场板。本发明带场板和场限环的边缘终端具有终端效率高、阻断电压高等优点，可广泛用于制造MOSFET、IGBT中，使用价值高，应用前景好，其对应的制造方法可以大幅降低操作难度以及简化操作流程，因而更有利于提高性能的可靠性。 实质审查
一种半导体功率器件的边缘终端及其制造方法和半导体功率器件 CN202210259525.1 - 本发明公开了一种半导体功率器件的边缘终端及其制造方法和半导体功率器件，该边缘终端包括：N个浮空场限环，浮空场限环环绕半导体功率器件的主结区，其中第1个至第n个浮空场限环的结深与主结区的结深相同，第n+i个浮空场限环的结深大于第n个浮空场限环的结深，且从第n+1个浮空场限环开始，浮空场限环的结深逐渐增大，N、n、i为正整数，且2≤n＜n+i≤N。本发明边缘终端通过优化浮空场限环的结深和掺杂分布，浮空场限环的曲率半径增大，提升了终端区的电场分布均匀性和面积，进而提升了终端效率和阻断电压。 实质审查
一种碳化硅功率模块封装用低粘度环氧灌封料及其制备方法和应用 CN202111369879.3 2023-06-13 本发明公开了一种碳化硅功率模块封装用低粘度环氧灌封料及其制备方法和应用，该环氧灌封料由A组分和B组分混合而得，A组分为：低粘度脂环族环氧树脂、高纯度双酚A型环氧树脂、纳米核壳增韧剂、偶联剂、硅微粉和炭黑，B组分为：固化剂A、固化剂B、潜伏性促进剂和硅微粉。本发明环氧灌封料，具有很低的粘度和CTE值，操作时间长，工艺性好，可直接灌封碳化硅功率模块，能很好地提高模块的整体性和抗冲击能力，对于更好的满足碳化硅功率模块的封装工艺要求以及扩大环氧灌封料在碳化硅功率模块封装中的推广和应用具有十分重要的意义，使用价值高，应用前景好，其制备方法工艺简单、操作方便等优点，可实现大规模制备，适合于工业化生产。 专利权的授权
一种车用碳化硅功率模块的控制方法及系统 CN202111371788.3 2024-04-02 本发明公开了一种车用碳化硅功率模块的控制方法及系统，此方法包括步骤：获取车用碳化硅功率模块所在的环境温度；当环境温度值低于预设值时，选择低温工作模式，增大驱动板栅极电阻，从而增加碳化硅MOSFET的关断时间，以降低关断电压尖峰；当环境温度值处于预设阈值范围时，选择常温模式，减小驱动板栅极电阻，从而减少碳化硅MOSFET的开通时间和关断时间，以降低开通损耗和关断损耗。本发明能够提高系统低温启动和低温运行的可靠性，防止碳化硅MOSFET在低温下击穿，同时也能在常温下降低电机控制器系统的开关损耗，提高系统寿命。 专利权的授权
功率半导体器件及其制造方法 CN202111371762.9 2024-09-17 本发明公开了一种功率半导体器件，包括N型衬底，N型衬底上设有N型外延层下部分，N型外延层下部分上部形成P基区下部分，N型外延层下部分上面设有N型外延层上部分，N型外延层上部分上部设有两个P基区上部分，其中一个P基区上部分中设有N+源区和P+源区，N+源区两侧的P基区上部分形成沟道，另一个P基区上部分设有绝缘介质层，绝缘介质层上设有多晶硅，多晶硅上设有栅极金属，N+源区和P+源区上设有源极金属，N型衬底的背面设有漏极金属；其中非有源区或栅极焊盘靠近有源区的边缘处不存在源极金属。本发明具有减小漏源电容，规避有源区与非有源区边界的位移电流，提高器件dVDS/dt能力等优点。 专利权的授权
一种功率器件、功率器件的制备方法和电子装置 CN202111258084.5 - 本发明提供了一种功率器件、功率器件的制备方法和电子装置，解决了目前双面散热的模块与散热器间的热阻较大，导致散热效率低的问题。所述功率器件包括：至少一个散热单元，所述散热单元包括散热部和至少一个功率器件本体，以及设置在所述散热部和所述功率器件本体之间的固定层；其中，至少一个所述功率器件本体的第一面固定在所述散热部的第二面上。 实质审查
一种功率模块的贴片封装方法及封装结构 CN202111250237.1 - 本发明提供了一种功率模块的贴片封装方法及封装结构，该封装方法包括：保持功率模块的芯片正面朝下；使芯片正面的源极与栅极的表面分别与对应的第一金属薄膜贴合并吸附所述第一金属薄膜；将吸附有所述第一金属薄膜的芯片以正面朝下的姿态贴于下衬板；烧结所述第一金属薄膜，以在所述芯片的源极与栅极和所述下衬板之间分别形成第一金属烧结层。基于本发明的技术方案，封装结构中不存在键合线以及垫块，芯片正反面的源极与栅极以及漏极通过相应的金属薄膜形成的金属烧结层直接连接相应的衬板，进而避免了键合线带来的寄生电感以及垫块所带来的传热效率低问题。 实质审查
一种双面散热功率模块的制造方法及双面散热功率模块 CN202111248269.8 - 本发明提供了一种双面散热功率模块的制造方法及双面散热功率模块，该制造方法包括：在衬板的一侧表面上设置第一连接层，将功率芯片的上下端面通过所述第一连接层分别连接上下对应的所述衬板；在所述衬板的另一侧表面上设置第二连接层；所述第二连接层上直接成型与冷却液直接接触的散热部，所述散热部采用粉末烧结工艺快速成型，所述第二连接层的熔点大于与之接触的所述散热部的制造温度。基于本发明的技术方案，通过散热部直接与冷却液接触的方式，对功率模块进行散热，提高散热效果，利用烧结工艺较强的结合力和致密性，保证功率模块的防水性。 实质审查
一种功率半导体器件及其制造方法 CN202111216204.5 2024-08-13 本发明公开了一种功率半导体器件及其制造方法，此器件包括碳化硅N型衬底，所述碳化硅N型衬底上设有N型外延层，所述N型外延层上设有P基区，所述P基区中形成N+源区和P+源区，以形成中间器件，所述中间器件表面淀积有绝缘介质材料层和栅介质材料层，所述绝缘介质材料层和栅介质材料层上淀积有多晶硅，所述N+源区与P+源区表面形成有欧姆接触层，所述P+源区与P+源区之间的N型外延层表面形成有肖特基接触层，所述欧姆接触层和肖特基接触层上设有源极，所述多晶硅上设有栅极，所述碳化硅N型衬底的背面设有漏极。本发明具有减小栅漏电荷，提高芯片利用率，降低反并联二极管损耗，提高反并联二极管的浪涌能力等优点。 专利权的授权