专利标题 公开号/公告号 公开日期 摘要 专利状态
一种功率模块 CN202010278704.0 - 本发明公开了一种功率模块，包括基板、第一基板层和第二基板层，第一基板层、第二基板层、基板依次层叠布置，第一基板层的一侧与第二基板层的一侧相互连接，第一基板层用于配置为输送第一方向的电流，第二基板层用于配置为输送第二方向的电流，第一方向与第二方向相互平行且方向相反，第一方向的电流与第二方向的电流于第一基板层的一侧和第二基板层的一侧相互连通，以使第一方向的电流与第二方向的电流相互连通以形成功率模块的电流回路；第一基板层的另一侧与第二基板层的另一侧分别形成电流回路的正端和负端。本发明具有结构简单、降低电感、提升开关可靠性、焊接锡膏一致性好、降低焊接空洞率等优点。   专利申请的驳回
一种功率模块端子 CN202010278773.1 2021-06-18 本发明公开了一种功率模块端子，包括依次相连的头部、中间部和焊接结构；所述焊接结构包括支撑部、缓冲部和焊接部，所述支撑部的一端与所述中间部相连，另一端与所述焊接部的一端相连，所述焊接部的另一端与所述缓冲部的一端相连，所述缓冲部的另一端与所述中间部之间设置有止口结构；所述焊接结构的支撑部、缓冲部和焊接部整体呈三角形。本发明的功率模块端子具有结构简单、抗振性能好、焊接强度大、通流能力好等优点。 专利权的授权
一种功率模块端子及焊接方法 CN202010279162.9 - 本发明公开了一种功率模块端子及焊接方法,属于功率模块制造技术领域，用于解决目前功率模块端子连接强度低、通电流能力低的技术问题，此端子包括针杆和针帽，所述针帽上设有用于与所述针杆过盈配合的针孔，所述针帽的一端设有翻边，所述翻边于针帽另一端的一侧设有用于与超声焊接头配合的配合面，所述翻边的另一侧则形成焊接面。本发明具有结构简单、连接强度大、生产工艺窗口大、通电流能力强、垂直度好、生产效率高等优点。 专利申请的驳回
一种功率模块封装结构及其封装方法 CN201911420634.1 2021-06-22 本发明提供了一种功率模块封装结构及其封装方法，该封装结构包括衬板，衬板上设置有模块功能单元，模块功能单元上表面覆盖有电路板，电路板用于与衬板、模块功能单元一起构成完整的电流回路。该封装结构利用电路板来代替传统的键合线，减小了回路的杂散电感；同时，在电路板、模块功能单元与衬板构成了叠层电路结构，可以进一步降低功率模块的杂散电感。本发明提供的封装方法仅需对电路板、衬板以及模块功能单元等部件进行连接，而各个部件的相互的连接位置均为固定的，进而可以进行功率模块的快速组装；同时采用面面接触连接代替了键合线的点接触连接，具备更优的温度分布，功率模块可靠性更高。 专利权的授权
一种碳化硅MOSFET驱动电路 CN201911366027.1 2022-06-21 本发明公开了一种碳化硅MOSFET驱动电路，包括抗桥臂串扰电路，所述抗桥臂串扰电路包括驱动芯片U1、电容C5和开关管T1，所述驱动芯片U1的输出端与所述电容C5的一端相连，并与碳化硅MOSFET的栅极相连；所述电容C5的另一端与所述开关管T1的集电极相连，所述开关管T1的发射极与所述碳化硅MOSFET的源极相连且与接地端GND3相连，所述开关管T1的基极与所述碳化硅MOSFET的栅极相连。本发明的碳化硅MOSFET驱动电路具有结构简单、防止桥臂串扰、抑制共模干扰、短路保护及过压保护等优点。 专利权的授权
防止硅片电阻局部放电失效的方法、结构及功率半导体器件 CN201911368420.4 2024-07-02 本发明公开了一种防止硅片电阻作为门极电阻产生局部放电失效的方法、结构及功率半导体器件，属于高压功率模块技术领域，用于解决由于硅片电阻作为门极电阻产生局部放电失效的问题。采用的技术方案为：通过绑定线或者优化衬板或者优化硅片电阻的方式，使得硅片电阻上下表面的电位处于同一水平，进而使得硅片电阻整体处于同一电位水平。本发明的方法、结构及功率半导体器件具有操作简便、避免硅片电阻作为门极电阻出现局部放电失效、消除电荷积累，提高工作可靠性等优点。 专利权的授权
功率端子、功率模块封装结构及封装方法 CN201911337841.0 2021-08-03 本发明提供一种功率端子、功率模块封装结构及封装方法，涉及功率模块领域，其用于实现应用电路的低电感设计。发明的功率端子，包括输出端子和输入端子，输入端子包括层叠设置的正极端子和负极端子，正极端子和负极端子相互平行且具有相同的宽度。通过将正极端子和负极端子层叠设置，使二者尽量平行对称，从而在功率器件环流中，正负功率端子之间会形成大小相同、方向相反的电流，磁场相消，从而降低回路的杂散电感。 专利权的授权
功率端子及功率模块 CN201911314681.8 - 本申请提供了一种功率端子及功率模块。该功率端子包括柱状的本体及设置在本体顶部的螺纹孔，螺钉穿过外部母排与螺纹孔螺纹连接以连接本体与外部母排。由于采用了柱状的功率端子，横截面面积大且电流路径短，有效地降低了功率端子的杂散电感，从而有利于降低芯片的耗损。该功率模块包括衬板；覆铜层，其设置在衬板上；以及上述功率端子，其通过焊接或烧结工艺固定在覆铜层上。该功率模块由于使用上述功率端子，有利于降低其杂散电感，也有利于其小型化设计，提高其功率密度、使用寿命和可靠度，还有利于降低其的生产成本。 专利申请的驳回
一种碳化硅VDMOS器件的元胞结构及其制作方法 CN201911207080.7 2023-08-08 本发明公开了一种碳化硅VDMOS器件的元胞结构及其制作方法，在第一导电类型衬底上设置第一导电类型漂移区，在其表面上设置有栅极绝缘层及在绝缘层上设置的栅极，在中心部位，第一导电类型漂移区表面向下设置有第一导电类型JFET注入区，在元胞结构的边缘部位，第一导电类型漂移区的表面设置有对称分布的若干栅结构。通过减少第二导电类型屏蔽区覆盖面积，并在JFET区新设置第一导电类型JFET注入区，以及进一步可设置的第一导电类型外延区，降低了第二导电类型屏蔽区/第一导电类型漂移区结的电容CDB，降低了寄生NPN管开启的概率，且不会降低dV/dt的能力，提升了器件的可靠性，还通过提高JFET区域的浓度降低了JFET区的通态电阻，大幅提高器件的导通能力。 专利权的授权
一种耐高温加成型有机硅凝胶及其制备方法 CN201911022758.4 - 本发明公开了一种耐高温加成型有机硅凝胶及其制备方法，该有机硅凝胶中A组分包括：12份～25份含低聚倍半硅氧烷的乙烯基硅油；B组分按照质量份计包括以下原料组分：40份～90份含低聚倍半硅氧烷的乙烯基硅油、10份～35份扩链剂、5份～15份含低聚倍半硅氧烷的交联剂、1份～5份耐高温偶联剂。其制备方法包括：制备A/B组分；将A/B组分混合、固化。本发明有机硅凝胶具有弹性高、应力低、高温耐热性能优异等优点，能够显著提高基材在高温下的可靠性和使用寿命，有着很高的使用价值和很好的应用前景，其制备方法可实现大规模制备，适合于工业化生产，有利于材料的推广应用。 专利申请的驳回