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一种多层碳化硅刻蚀体材料的制备方法和应用 CN202411355373.0 2024-11-22 本发明提供了一种多层碳化硅刻蚀体材料的制备方法，该方法制得的多层碳化硅刻蚀体材料具有高纯度、高致密性的特点，避免了多层界面层的影响，使得形成的多界面层多层碳化硅刻蚀体材料的热导率较高，能够在长时间的刻蚀环境中保持高速运行。 授权
一种掺杂型C/C复合材料坩埚的制备方法及其应用 CN202411355359.0 2024-12-03 本发明提供了一种掺杂型C/C复合材料坩埚的制备方法及其应用。本发明的制备方法，在步骤S2中，将步骤S1制得的碳纤维预制坯体，采用含有稀土氧化物粉末、氧化锆粉末和氮化硅粉末的改性酚醛树脂进行浸渍处理；在步骤S5中，利用化学气相沉积工艺在步骤S4经过高温碳化增密处理的碳纤维预制坯体的表面原位反应依次形成第一涂层和第二涂层。本发明的方法制备得到的掺杂型C/C复合材料坩埚具有优异的力学性能和高温稳定性能，能够承受高温下的应力和冷热循环，减少了坩埚破碎的风险，而且该材料坩埚的密实性和抗腐蚀性较高，能够抵抗与硅材料或其他化学物质的反应，降低了化学腐蚀和污染的风险，还具有优异的热传导性能。 授权
一种碳纳米线/多孔玻璃碳复合材料及制备方法 CN202411274011.9 2024-11-15 本发明涉及碳纳米线/多孔玻璃碳领域，提供了一种碳纳米线/多孔玻璃碳复合材料及制备方法，制备方法包括：在碱性条件下，将含第一掺杂元素的苯酚衍生物及含第二掺杂元素的甲醛衍生物混合，并反应得到酚醛树脂；第一掺杂元素包括氮，第二掺杂元素独立地包括硼、氮或硼和氮；对酚醛树脂进行发泡处理，得到发泡酚醛树脂；将热固性树脂与发泡酚醛树脂混合并进行固化，得到固化产物；将金属离子催化剂负载到所述固化产物上，得到前驱体；对前驱体进行碳化处理，得到多孔玻璃碳；通过CVD法在多孔玻璃碳的表面沉积碳纳米线，得到碳纳米线/多孔玻璃碳复合材料。本发明的制备方法所提供的碳纳米线/多孔玻璃碳复合材料具有高导热性及抗压性。 专利权的授权
复合材料及其制备方法和应用 CN202411203928.X - 本发明涉及半导体材料的技术领域，提供了复合材料及其制备方法和应用，其制备方法包括（1）向沉积室中一次性注入Ta源气体、C源气体和还原气体，在自适应控压装置的调控下，在基底上CVD沉积一层TaC子层；（2）待沉积完成后，至少重复一次步骤（1），在步骤（1）中的TaC子层上沉积至少另一层TaC子层，得到所述复合材料。本发明通过脉冲式沉积的方法沉积的TaC涂层能够缓解TaC和碳基基底的热膨胀系数不匹配的问题，提高产品的抗热震性能，且能够提高产品的韧性和涂层间的结合强度。 实质审查
一种超细TaC粉末制备TaC涂层的方法 CN202411203939.8 2024-11-05 本发明提供了一种超细TaC粉末制备TaC涂层的方法，所述方法包括：采用化学气相沉积工艺形成TaC粉末；以所述TaC粉末为原料采用烧结法形成TaC涂层。本发明以TaC粉末为原料采用烧结法形成TaC涂层，工艺路径简单，具有可持续生产和生产效率高等优点；并且通过本发明的方法制得的TaC粉末粒径更为均匀细腻，能够使以TaC粉末形成的TaC涂层的纯度更高，可达到半导体设备零部件的纯度要求，且采用化学气相沉积工艺形成的TaC粉末不易发生团聚，从而提升了TaC涂层对碳基材料的性能改善及其功能性。 专利权的授权
一种复合材料及其制备方法 CN202411198525.0 2024-11-15 本发明涉及碳纳米管/玻璃碳复合材料技术领域，提供了一种复合材料及其制备方法。所述复合材料的制备方法包括：在含有催化剂的基底上通过CVD法沉积阵列碳纳米管；将石墨、线性树脂、固化剂和偶联剂混合，得到第一混合物；将第一混合物施加到阵列碳纳米管表面并进行模塑处理；对模塑处理后的产物进行微波处理，得到含有玻璃碳的复合材料；所述石墨的平均粒径与所述阵列碳纳米管的密度满足关系：10≤A/B≤120，其中，A为所述石墨的平均粒径，单位为μm，B为所述阵列碳纳米管的密度，单位为g/cm3；本发明提供的复合材料具有较好的导热性能及力学性能。 授权
一种碳纳米管/碳化硅复合纤维及其制备方法 CN202410968731.9 2024-10-01 本发明涉及碳化硅/碳纳米纤维材料技术领域，提供了一种碳纳米管/碳化硅复合纤维及其制备方法，该方法包括：对碳纳米管纤维预制体进行加捻处理，得到加捻处理后的碳纳米管纤维；对加捻处理后的碳纳米管纤维进行均一化处理，得到均一化的碳纳米管纤维；对均一化的碳纳米管纤维在长度方向上进行拉伸处理，得到碳纳米管纤维；在碳纳米管纤维的表面沉积碳化硅壳层，得到碳纳米管/碳化硅复合纤维；所述加捻的条件包括：时间为60s‑240s，加捻转速为120r/min‑350r/min；所述拉伸处理的条件包括：拉伸力为5N‑10N。本发明所述的碳纳米管/碳化硅复合纤维具有优异的力学、电学及热学性能。 专利权的授权
一种复合层及其制备方法和复合材料 CN202410822047.X 2024-09-10 本发明涉及复合材料技术领域，提供了一种复合层及其制备方法和复合材料，该复合层的制备方法包括以下步骤：通过化学气相沉积法，在基体上沉积第一物质，得到第一预制体；然后沉积第二物质，得到第二预制体；然后沉积第三物质，得到复合层；所述第一物质与所述第二物质不同并分别选自硼化锆和石墨烯中的一个，所述第三物质为碳化硅；沉积硼化锆的条件包括：沉积温度为1150‑1350℃，沉积压力为8kPa‑18kPa，沉积时间为30 min‑300min。本发明通过在碳化硅层与石墨基体之间引入硼化锆和石墨烯过渡层，可以极大提高石墨基体与碳化硅层的结合强度，延长产品寿命。 专利权的授权
气浮托盘组件和外延生长设备 CN202410799880.7 - 本申请涉及外延生长技术领域，尤其涉及一种气浮托盘组件和外延生长设备。该气浮托盘组件的气浮托盘的下表面具有中心盲孔，中心柱一端与承载板连接，另一端插接在中心盲孔中，中心柱具有进气孔，气浮托盘下表面的第一圆形凹槽的槽底具有多个导流槽，导流槽沿中心盲孔的周向均布，当气体被输送至进气孔时，气体由进气孔进入中心盲孔，经导流槽均匀地流向第一圆形凹槽、第二圆形凹槽，使得气体均匀地分布在分流腔室，以对气浮托盘下表面的第一圆形凹槽均匀施力，使气浮托盘被托起，避免了单一气孔直接吹向气浮托盘引起的气浮托盘歪斜、气浮托盘旋转时偏磨或振动等问题，从而使气浮托盘受到均匀分布的支撑力，而被平稳、稳定地托起，并保持平稳悬浮。 实质审查
一种半导体基座、半导体基座的制备方法及半导体基座的应用 CN202410756756.2 2024-08-23 本发明涉及半导体制造的技术领域，提供了一种半导体基座、半导体基座的制备方法及半导体基座的应用。所述半导体基座包括基座，设置于基座上表面的第一碳化硅涂层和设置于基座下表面的第二碳化硅涂层；所述第一碳化硅涂层上表面的发射率小于所述第二碳化硅涂层下表面的发射率且所述第一碳化硅涂层上表面的发射率与所述第二碳化硅涂层下表面的发射率的比值为1:（1‑1.2）。本发明通过优化设置于基座上表面和下表面的碳化硅涂层的粗糙度和碳化硅涂层厚度，使半导体基座下表面的热发射率较大，半导体基座上表面的热发射率较小，有利于提高半导体基座整体蓄热能力，使半导体基座形成均匀的温场，最终提高晶圆上的薄膜成膜质量。 专利权的授权