专利标题 公开号/公告号 公开日期 摘要 专利状态
真空夹具 CN202410479595.7 - 本申请涉及石墨材料加工技术领域，具体涉及一种真空夹具，解决了石墨基座的凹面或凸面不方便夹取的问题。该真空夹具用于夹持具有第一凹面或第一凸面的石墨工件，真空夹具包括底座和吸盘。吸盘的吸附面包括第二凸面或第二凹面，第二凸面的曲率与第一凹面的曲率相同，第二凹面的曲率与第一凸面的曲率相同。在夹持具有第一凹面的石墨工件时，利用具有第二凸面的吸盘进行吸附，在夹持具有第一凸面的石墨工件时，利用具有第二凹面的吸盘进行吸附，从而使吸盘的第二凸面与石墨工件的第一凹面贴合，或者使吸盘的第二凹面与石墨工件的第一凸面贴合，便于对石墨工件的吸附。 实质审查
支撑机构、气相沉积设备以及气相沉积方法 CN202410432808.0 2024-11-19 本申请涉及气相沉积技术领域，尤其涉及一种支撑机构、气相沉积设备以及气相沉积方法，以解决在气相沉积过程中，支撑结构与待沉积件全程在待沉积件的表面的同一区域接触，造成此区域不能被沉积薄膜的问题。该支撑机构的支撑台上设置有至少一组第一支撑柱和至少一组第二支撑柱，第二支撑柱设置于第一斜面滑块的第一斜面上的支撑座上，在第一斜面滑块沿往复滑动的过程中，支撑座可以沿竖直方向升高或者降低，使第二支撑平面高于或者低于第一支撑平面，通过第一支撑柱和第二支撑柱更替支撑待沉积件，使得第一支撑柱和第二支撑柱与待沉积件的接触区域均可以暴露在工艺气体中，从而可以一次性完成对待沉积件的所有表面的薄膜沉积，提高了薄膜沉积效果。 授权
一种碳基材料表面复合涂层及其制备方法和应用 CN202410424266.2 2024-11-12 本发明涉及复合材料技术领域，提供了一种碳基材料表面复合涂层及其制备方法和应用，所述复合涂层包括结合在碳基材料表面的含n层梯度涂层的碳/碳化硅梯度涂层和碳化硅涂层；n＞1；沿碳基材料表面至碳化硅涂层的方向，每层碳/碳化硅梯度涂层中碳元素含量为2～40wt％，并依次降低，第1层梯度涂层和第n层梯度涂层的碳元素含量差不低于3wt％；沿碳基材料表面至碳化硅涂层的方向，每层碳/碳化硅梯度涂层的平均晶粒尺寸小于碳化硅涂层，且依次增加。本发明在石墨基和碳化硅涂层之间引入了碳/碳化硅梯度涂层，提高了两者之间的界面适配性，可以减少应力集中和裂纹的形成，提高产品的稳定性和使用寿命。 授权
响应面法优化沉积SiC涂层的方法 CN202410330267.0 - 本发明涉及半导体材料制备的技术领域，提供了一种响应面法优化沉积SiC涂层的方法。利用响应面法优化CVD沉积SiC涂层，通过设计一系列实验和统计分析，响应面法能够建立起沉积温度、沉积压力和气相前驱体流量比三种试验变量与SiC涂层结合强度之间的关系模型，并通过模型进行参数优化，可以准确预测工艺参数变化对SiC涂层结合强度的影响。相对于传统方法，响应面法能够充分考虑参数之间的相互作用，准确预测和优化工艺参数，节省时间和提高效率。 实质审查
一种制备碳化硅材料的方法及碳化硅材料 CN202410217321.0 2024-08-20 本发明涉及半导体刻蚀材料技术领域，提供了一种制备碳化硅材料的方法及碳化硅材料。该方法包括：（1）将基底放置于化学气相沉积设备中，抽真空，再通入惰性气体；（2）将碳硅源气体、掺杂元素气体、还原气体和稀释气体的混合气体通入化学气相沉积设备中，采用化学气相沉积工艺在基底表面沉积碳化硅；工艺参数包括：沉积温度为1000℃‑1600℃，沉积压力为9kPa‑60kPa；（3）化学气相沉积完成后，去除基底；掺杂元素气体和碳硅源气体的流量比为（0.3～10）:1；碳硅源气体和还原气体的流量比为1:（1‑60）。该制备方法得到的碳化硅材料，兼具低电阻率和高致密度的优良特性。 专利权的授权
一种制备碳化硅材料的方法、应用及碳化硅材料 CN202410219496.5 2024-10-18 本发明涉及半导体刻蚀材料技术领域，提供了一种制备碳化硅材料的方法、应用及碳化硅材料，所述制备碳化硅材料的方法包括：提供一基底，将所述基底置于真空的化学气相沉积设备中加热；将稀释气体和反应气体通入化学气相沉积设备中，所述反应气体包括碳硅烷烃和/或还原性气体，设置沉积的工艺参数：沉积温度为1000℃‑1500℃，沉积压力为9000Pa‑40,000Pa，碳硅烷烃和还原性气体的流量比为1:（1‑40）；化学气相沉积完成后，停止通入稀释气体和反应气体。由上述方法得到的碳化硅材料兼具高电阻率、高纯度及高致密度等优良特性，可以用于半导体生产中。 授权
一种打磨块及其制备方法及打磨方法 CN202410190123.X - 本发明涉及磨料领域，提供了一种打磨块及其制备方法及打磨方法。所述打磨块包括基座与附着于基座上的碳化硅磨粒层；所述碳化硅磨粒层的粗糙度为2μm‑4.5μm；所述基座的粗糙度为1μm‑3μm。本发明提供的打磨块适用于打磨SiC材料，打磨效率高且在打磨过程中基本不会对待打磨部造成不期望的损伤如较大程度的划痕等，同时不会引入杂质元素。 实质审查
炉体组件、气相沉积设备、以及气相沉积方法 CN202410169856.5 2024-04-09 本申请涉及气相沉积技术领域，尤其涉及一种炉体组件、气相沉积设备、以及气相沉积方法，以解决气相沉积设备通过机械手臂将工件送入子炉体的炉膛中，结构复杂，运送工件时稳定性差，并需要较大的工作空间的问题。该炉体组件中，第一驱动结构和送料平台可以自动运送待沉积件，通过第一驱动单元驱动第一长齿轮旋转，第一长齿轮与第一齿轮组件啮合，使得第一齿轮组件被驱动，从而带动第一滚轮组件滚动，进而将待沉积件送入炉膛中，通过齿轮传动和滚轮滚动的方式进行送料，结构简单、紧凑、可靠性高，传动更加平稳，从而使得缓存的待沉积件可以更加平稳地被送入炉膛中，提高了炉体组件结构的紧凑性、可靠性、运行的稳定性，节省了炉体组件占用的空间。 专利权的授权
真空泵冷却装置和沉积系统 CN202410145283.2 2024-07-26 本申请涉及沉积设备技术领域，具体涉及一种真空泵冷却装置和沉积系统。该沉积系统包括沉积设备、真空泵、液氮气化装置、液氮罐和真空泵冷却装置。该真空泵冷却装置包括：冷却组件、热供应组件和热交换器。冷却组件与真空泵相邻设置，被配置为吸收真空泵的热量，冷却组件与热交换器连通，以将热量从冷却组件传递至热交换器。热供应组件与液氮气化装置相邻设置，为液氮气化装置提供热量，热供应组件与热交换器连通，以将热量从热交换器传递至热供应组件。热供应组件可以持续吸收热交换器的热量，使热交换器可以持续吸收冷却组件的热量，进而使冷却组件可以持续对真空泵进行降温，提高了真空泵冷却装置的降温效果，满足了对真空泵长时间降温的需求。 专利权的授权
石墨产品的膜层制备方法 CN202410137596.3 2024-07-12 本申请涉及气相沉积技术领域，具体涉及一种石墨产品的膜层制备方法，解决了在气相沉积过程中，较高的温度会导致石墨的晶格结构发生变化，进而导致石墨产品发生变形的问题。石墨产品的膜层制备方法包括：制备第一石墨产品，所述第一石墨产品具有上表面和下表面；在所述第一石墨产品的上表面制备应力释放槽，得到第二石墨产品；对所述第二石墨产品进行膜层沉积，得到第三石墨产品；对所述第三石墨产品的上表面进行第二材料去除处理，得到第四石墨产品，其中，所述第四石墨产品的上表面不具有所述应力释放槽。通过在第一石墨产品的上表面制备应力释放槽，可以在膜层沉积的过程中，减少应力集中，从而减小第二石墨产品在膜层沉积过程的形变。 专利权的授权