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一种空心SiC针及其制备方法 CN202410714026.6 - 本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种制备空心SiC针的方法和由该方法制备得到的空心SiC针。所述方法包括如下步骤：（1）在石墨基体上沉积SiC涂层；（2）将步骤（1）得到的产品置于加热设备中；（3）将所述加热设备抽真空至10Pa‑100Pa，以3℃/min‑20℃/min的升温速率，升温至温度为600℃‑900℃，保温10min‑60min；（4）在步骤（3）的所述温度下，以100mL/min‑500mL/min的速度向所述加热设备中持续通入第一气氛，控制压力为5000Pa‑20000Pa，时间为10min‑90min，所述第一气氛包括空气和氧气中的至少一种；（5）重复步骤（3）和步骤（4）30次‑50次。本发明的方法流程简单，容易实现大规模生产。由本发明的方法制备得到的空心SiC针石墨残留少，使用寿命长，良率高。 实质审查
改进等静压石墨的方法及其制备得到的等静压石墨 CN202410692785.7 2024-07-26 本发明涉及半导体领域，具体涉及一种改进等静压石墨的方法及其制备得到的等静压石墨。本发明的方法制备得到的等静压石墨具有较高的抗折强度、抗压强度、体积密度和热导率，并具有较低的气孔率。 专利权的授权
复合材料及其制备方法 CN202410692784.2 2024-08-16 本发明涉及复合材料技术领域，具体涉及复合材料及其制备方法，复合材料包括基材和位于基材表面的涂层，涂沿碳基基材侧向远离碳基基材的方向，所述涂层依次包括位于所述碳基基材表面的热解碳层、Ta‑TaC层和TaC层，所述TaC层通过XRD获得的（200）晶面的峰强度I（200）最大，且（200）与（111）晶面的峰强度之比I（200）/I（111）大于2。本发明的复合材料热膨胀系数变化较为缓和，可以缓解因热膨胀系数不匹配引起的涂层开裂的问题，抗热震性能高。而且制备本发明的复合材料的方法，操作简单，容易控制。 专利权的授权
一种碳化硅外延晶片内外圆加工设备 CN202410692782.3 2024-08-16 本申请涉及碳化硅外延晶片加工技术领域，具体涉及一种碳化硅外延晶片内外圆加工设备，解决了对碳化硅外延晶片的外延层边缘超出部分加工时，无法兼顾加工精度和加工效率的问题。该加工设备包括固定座、移动板、第一刀具组、第二刀具组和定位组件，第一刀具组设置于固定座，第二刀具组设置于移动板，第一刀具组包括多个围绕第二轴线均匀分布的第一刀具，第二刀具组包括多个围绕第二轴线均匀分布的第二刀具，定位组件包括第一调节部件、环状的第一夹紧板和第二夹紧板，第一调节部件能够带动被夹紧后的碳化硅外延晶片沿第一轴线转动，以使第一刀具和第二刀具分别对外延层的内圆和外圆进行加工，至外延层的边缘与基底层的边缘对齐。 专利权的授权
一种制备SiC涂层的方法 CN202410629988.1 - 本发明涉及半导体材料制备的技术领域，提供了一种制备SiC涂层的方法。该制备方法通过两次化学气相沉积在基体表面先后沉积SiC内涂层和SiC外涂层两层SiC涂层，并通过调整化学气相沉积工艺中的沉积温度、沉积压力和前驱体流量比调控沉积的SiC晶粒尺寸，使SiC内涂层的晶粒尺寸小，SiC外涂层的晶粒尺寸大，从而使其SiC内涂层与基体结合力更好，SiC外涂层致密性更高、均匀性更好，使SiC内外涂层的晶粒尺寸呈梯度分布，提升SiC涂层的抗氧化烧蚀能力和结合强度，降低SiC涂层开裂和脱落的风险，提高SiC涂层的使用寿命。 实质审查
一种石墨材料及其制备方法和石墨部件 CN202410567524.2 2024-07-26 本发明涉及石墨材料技术领域，具体涉及一种石墨材料及制备该石墨材料的方法和石墨部件。石墨材料包括基材和包覆于基材表面的涂层，涂层包括第一涂层和第二涂层，基材具有多孔结构，第一涂层填充于基材的多孔结构中并外延至基材的表面，第二涂层位于第一涂层的表面，第一涂层包括第一碳化硅，第一碳化硅的中值粒径D50为5nm‑80nm，第二涂层包括第二碳化硅，第二碳化硅的中值粒径D50为100nm‑3000nm。本发明的石墨材料，其涂层与基材的结合强度高，石墨材料的结构一致性好，涂层的耐刻蚀能力强，石墨材料的抗热震性能高；包括本发明的石墨材料的石墨部件的耐刻蚀能力强，使用寿命长。 专利权的授权
一种碳化硅复合材料及其制备方法 CN202410532712.1 - 本发明涉及复合材料领域，提供了一种碳化硅复合材料及其制备方法。所述碳化硅复合材料包括碳基体及沉积于所述碳基体表面的碳化硅复合涂层，所述碳化硅复合涂层包括至少两层碳含量不同的碳化硅内涂层和至少一层碳含量基本不变的碳化硅外涂层；所述碳化硅复合涂层中，碳化硅内涂层的碳含量沿远离碳基体的方向逐渐减少，所述碳化硅内涂层中C/Si摩尔比为（1‑2.5）:1，所述碳化硅外涂层中C/Si摩尔比为（0.9‑1.1）:1。本发明提供的碳化硅复合材料的碳基体与碳化硅复合涂层之间有较好的结合力。 实质审查
一种碳化硅涂层材料及其制备方法 CN202410544329.8 - 本发明涉及半导体材料的技术领域，提供了一种碳化硅材料及其制备方法。该碳化硅涂层材料包括碳基底及设置于碳基体表面的碳化硅复合涂层，碳化硅复合涂层包括至少两层硅含量不同的碳化硅内涂层和至少一层硅含量基本不变的碳化硅外涂层；碳化硅复合涂层中，碳化硅内涂层的硅含量沿碳化硅内涂层的生长方向逐渐提高；所述碳化硅内涂层中C/Si摩尔比为1:（0.4‑1.1）；所述碳化硅外涂层中，C/Si摩尔比为1:（0.9‑1.1）。该碳化硅涂层材料具有梯度分布的碳化硅内涂层，形成梯度界面，减少碳化硅涂层与石墨的界面缺陷，降低涂层开裂和脱落的风险，提高碳化硅涂层的稳定性。 实质审查
清洗剂、使用该清洗剂去除金属离子的方法及应用 CN202410527835.6 - 本发明涉及半导体领域，具体涉及一种清洗剂、使用该清洗剂去除金属离子的方法以及应用。所述清洗剂包括亚砜类物质、碱性化合物和氟化物；所述清洗剂包括元素S和元素N；所述清洗剂中元素S的含量为a，所述清洗剂中元素N的含量为b，所述清洗剂的pH值为c，满足1≤（a+b）*100/c≤5。本发明的清洗剂能够高效去除金属离子，从而提高半导体材料的质量和性能。 实质审查
碳化硅炉管及其制备方法 CN202410508739.7 2024-06-21 本发明涉及碳化硅炉管领域，提供了碳化硅炉管及其制备方法，该方法包括以下步骤：对碳化硅浆料进行成型处理，得到多个能够拼接得到炉管的坯体；对多个坯体分别进行第一渗硅处理，得到多个预制体；使用复合浆料连接多个预制体，得到粘结体；对粘结体进行第二渗硅处理，得到碳化硅炉管。本发明提供的方法能够高效制备碳化硅炉管，良率高，且炉管抗弯强度大，能够用于制备大尺寸的薄壁碳化硅炉管，并解决了难成型以及烧结变形等问题。 专利权的授权