专利标题 公开号/公告号 公开日期 摘要 专利状态
支撑机构、支撑装置和薄膜制备设备 CN202410121606.4 2024-04-26 本申请涉及薄膜制备技术领域，尤其涉及一种支撑机构、支撑装置和薄膜制备设备。该支撑机构包括：长条形的支撑件和旋转组件，基体的管状结构套设在支撑件上，旋转组件带动支撑件绕第一轴线旋转，在支撑件旋转的过程中，支撑件的与基体接触的初始表面相对支撑件自身会发生旋转，在基体自身的重力、以及支撑件与管状结构的内壁之间的摩擦力的作用下，支撑件能够相对于基体沿其管状结构的内壁发生滚动，以使支撑件与基体之间的接触位置发生变化，使得基体的表面可以在薄膜制备过程中能够完全裸露，使得薄膜制备设备可以一次性完成对基体的全表面的薄膜制备，简化了基体全表面薄膜制备的过程及工艺，并能够为不同形状的、数量更多的基体提供支撑。 专利权的授权
一种碳化钽化学气相沉积方法及其系统 CN202311842611.6 - 本发明涉及碳化钽化学气相沉积技术领域，具体涉及一种碳化钽化学气相沉积方法及采用该方法制备碳化钽涂层的系统。在升华设备中将钽源粉料升华形成钽源气体，然后在沉积设备中将所述钽源气体进行化学气相沉积形成碳化钽涂层；其中，钽源粉料进入升华设备的流速为V1，钽源气体进入沉积设备的流速为V2，V2/V1＝1.0‑1.2，升华设备中的所述钽源粉料的实时重量W1为W1≤5g。本发明的碳化钽化学气相沉积方法中钽源粉料升华的速度可以精准控制，使钽源气体的浓度较稳定，同时不会受到加热罐体积的限制，从而使制得的碳化钽涂层的强度较高，耐腐蚀性较高以及耐高温性较高。 实质审查
一种大孔径比厚层碳化硅的打孔方法及多孔碳化硅制品 CN202311830666.5 - 本发明涉及微孔加工的技术领域，提供了一种大孔径比厚层碳化硅的打孔方法及多孔碳化硅制品。本发明提供了PCD微孔加工法和电火花微孔加工法结合打孔的方法，以及激光打孔工艺和PCD微孔加工法结合打孔的方法，能够减少产品和钻头的损失，且适合大孔径比厚层碳化硅打孔，工艺简单，成本低，提升了打孔产品良率。 实质审查
一种高导热石墨基体材料及其制备方法和应用 CN202311831725.0 - 本发明提供了一种高导热石墨基体材料，该材料包括石墨粉体和辅助导热填料，所述辅助导热填料为能够与所述石墨粉体形成完整导热体系的材料；相对于100重量份的所述石墨粉体，所述辅助导热填料的含量为1‑8重量份。本发明通过向石墨粉体中引入能够与所述石墨粉体形成完整导热体系的层状辅助导热填料，使得石墨粉体在高温环境下的导热性能得到改善，提升了石墨基体材料的热导率和热寿命，进而明显改善电子器件的散热性能。 实质审查
一种石墨基座及其制备方法 CN202311803812.5 2024-08-16 本发明提供了一种石墨基座，包括石墨基体和依次附着于所述石墨基体表面的石墨烯过渡层和主相涂层；所述石墨烯过渡层中含有石墨烯；所述主相涂层中含有碳化硅。通过这种设置方法，可以解决石墨基产品的SiC涂层和石墨基体结合力不良的问题，避免了产品发生涂层脱落，延长了石墨基产品的使用寿命；并且本发明提供的石墨基座的制备方法工序短、成本低，风险和投入更小，且不会破坏石墨基体本身，影响碳化硅涂层的平整度，更不会引入杂质元素，干扰到碳化硅涂层的纯度，满足半导体行业的需求。 专利权的授权
一种清洁方法 CN202311764326.7 - 本发明涉及碳化硅清洁领域，提供了一种清洁方法，该方法包括使用清洁气体清洁位于基材表面的含碳化硅的堆积物；所述基材包括位于基底表面的热解碳涂层；所述热解碳涂层由聚酰亚胺和纳米微晶纤维素热解得到；所述清洁气体为三氟化氯。通过该方法能够使得碳化硅薄膜或颗粒从热解碳表面脱落，实现CVD反应器的清洁，同时，能够减少三氟化氯对反应器和基底的腐蚀，提高反应器的使用寿命。 实质审查
超声波清洗工装和超声波清洗设备 CN202311759188.3 - 本申请涉及超声波清洗技术领域，尤其涉及一种超声波清洗工装和超声波清洗设备。该超声波清洗工装包括：清洗架、清洗篮、以及夹具，通过夹具对石墨制品进行固定，使得石墨制品被限制在较小空间内，位置相对固定，能够避免在清洗过程中产生较大幅度的移动或晃动，从而改善了超声清洗时石墨制品容易产生磕碰、裂纹、断裂等损伤的问题。在多个第二侧板和清洗篮底板形成的第三容纳空间放置石墨制品，使得清洗液可以直接通过清洗篮底板的第一通孔接触石墨制品的表面，有利于提升石墨制品的清洗效果。由于夹具仅与石墨制品的边缘区域接触，使得石墨制品的表面更大限度地被暴露在清洗液中，并且被暴露的表面无侧板遮挡，进一步提升了石墨制品的清洗效果。 实质审查
一种陶瓷材料的提纯方法 CN202311607586.3 - 本发明涉及陶瓷材料提纯的技术领域，提供了一种陶瓷材料的提纯方法。该方法包括以下步骤：步骤S1：将待提纯的陶瓷材料与有机溶剂进行第一接触，去除油性杂质；步骤S2：将步骤S1处理后的陶瓷材料，与温度70℃以上的水溶液进行第二接触；步骤S3：将步骤S2处理后的陶瓷材料，与混合酸溶液进行第三接触，所述混合酸溶液包括有机酸溶液和无机酸溶液；有机酸溶液的含量小于无机酸溶液的含量。该提纯方法能够快速去除陶瓷表面的杂质，提高陶瓷的纯度和外观质量；该方法不会产生有害废气，符合环保法规和标准；该方法具有良好的稳定性和可靠性，适用于多种类型陶瓷制品的表面杂质去除，成本相对较低。 实质审查
调平装置 CN202311452498.0 - 本申请涉及工装夹具技术领域，具体涉及一种调平装置，解决了通过工装对碳化硅工件进行调平时，调平困难，且调平精度低的问题。该调平装置，包括支撑组件、旋转组件、调平组件和承载组件，用于承载并调平工件。旋转组件包括圆盘形的旋转本体，旋转本体的上表面包括凹球面，调平组件包括圆盘形的调平本体，调平本体的下表面包括凸球面，凸球面与凹球面配合形成万向节。通过使凸球面与凹球面配合形成万向节，便于调平组件进行360度转动，无需反复取放工件，调平操作简单，调平精度高。 实质审查
一种制备碳化硅陶瓷材料的方法、应用及碳化硅陶瓷材料 CN202311451516.3 2024-09-10 本发明涉及半导体刻蚀材料技术领域，提供了一种制备碳化硅陶瓷材料的方法、应用及碳化硅陶瓷材料，所述制备碳化硅陶瓷材料的方法包括：提供一基底，将所述基底置于化学气相沉积设备，进行抽真空，然后通入惰性气体并加热；将反应气体和氮源气体通入化学气相沉积设备中，所述反应气体包括碳硅烷烃和还原性气体；设置沉积的工艺参数：沉积温度为1100℃‑1800℃，沉积压力为8000Pa‑90,000Pa，调节碳硅烷烃和还原性气体的流量比为1:（1‑70）；化学气相沉积完成后，停止通入反应气体及氮源气体。该制备方法制得的碳化硅陶瓷材料具有高热导率、高纯度及高致密度等优良特性，能够满足半导体刻蚀需求。 专利权的授权