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一种用于MOCVD设备的硅基托盘及制备方法 CN202011425944.5 2022-08-02 本发明公开了一种用于MOCVD设备的硅基托盘及制备方法，其包括构成托盘基材的Si基体和Si基体表面的复合涂层，所述复合涂层包括热解炭过渡层、Si基体与热解炭过渡层之间界面处的SiC界面层、以及最外层的SiC涂层，所述SiC界面层由热解炭过渡层与Si基体在界面处发生反应形成。高温下热解炭层可与硅基体在界面处通过化学键、强结合作用形成致密的碳化硅界面层，进一步防护托盘基材，同时热解炭层可匹配基体与最外层的热膨胀系数差异。复合涂层中软质C层结构可有效缓解最外层SiC晶体的热膨胀，以降低涂层内的应力峰值。 专利权的授权
一种具有复合涂层结构的MOCVD设备用基座盘及其制备方法 CN202011431664.5 2022-11-01 本发明公开了一种具有复合涂层结构的MOCVD设备用基座盘及其制备方法，其包括基体和基体表面的复合涂层，所述复合涂层由内到外依次包括C‑SiC共沉积层、SiC涂层、SiC‑TaC共沉积梯度层和TaC涂层，所述C‑SiC共沉积层由SiC和热解C组成，所述SiC‑TaC共沉积梯度层从内到外TaC含量从0到100％呈梯度变化分布。C‑SiC共沉积层、纯SiC涂层和SiC‑TaC共沉积梯度层能够有效缓解TaC涂层热膨胀系数大而造成涂层中内应力大的影响，可有效避免TaC涂层在使用过程中出现开裂脱落等问题，延长了使用寿命。 专利权的授权
一种CVD制备碳化硅陶瓷的方法 CN201911370627.5 - 本发明公开了一种CVD制备碳化硅陶瓷的方法，包括以下步骤：(1)用石墨纸将石墨基体包裹起来，只暴露石墨基体的一面；(2)将经步骤(1)处理的石墨基体放入管式炉中，通入三氯甲基硅烷、氩气和氢气进行气相沉积；(3)除掉石墨基体表面包裹的石墨纸；(4)对步骤(3)后得到的材料进行热处理，得到碳化硅陶瓷块体。本发明的制备过程中先用石墨纸将石墨基体包裹起来，只暴露石墨基体的一面，其余各面均采用石墨纸包裹起来，然后进行气相沉积，通过控制沉积的流量和时间，在基体裸露的表面沉积厚厚一层块状碳化硅，再去掉石墨纸，并进行热处理去除石墨基体，从而得到块状碳化硅陶瓷，使碳化硅陶瓷采用化学气相沉积法制备成为可能。 专利申请的驳回
一种两端进气的化学气相沉积炉 CN201911363720.3 2022-08-05 本发明公开了一种两端进气的化学气相沉积炉，包括进气系统、沉积炉、抽气系统和控制装置，沉积炉包括钢体外壳和用于容置待气相沉积的工件的石墨坩埚，钢体外壳罩设于石墨坩埚的外部，沉积炉的两端均设有连通石墨坩埚的进气口和出气口，两个进气口连接进气系统，两个出气口连接抽气系统；分布于沉积炉两端的一进气口和一出气口为一组，控制装置控制进气口和出气口的启闭，使同一时间内有且仅有一组的进气口和出气口开启。本发明的两端进气的化学气相沉积炉具有简单实用、能提高内部气体浓度均匀性和产品涂层厚度均匀性等优点。 专利权的授权
一种化学气相沉积尾气回收装置 CN201911329217.6 - 本发明公开了一种化学气相沉积尾气回收装置，包括活性炭毡过滤器、一级冷却回收器和二级冷却回收器，活性炭毡过滤器的入口通过管道与化学气相沉积炉的排气口连通，活性炭毡过滤器的出口通过管道与一级冷却回收器的入口端相连通，一级冷却回收器的出口通过管道与二级冷却回收器的入口端相连通，二级冷却回收器的出口端与真空泵相连接。本发明可以有效清除化学气相沉积法制备碳化硅涂层或碳化硅纳米线等尾气中的粉尘颗粒，并回收尾气中的四氯化硅和三氯甲基硅烷，降低生产成本，减少对环境的污染的同时，延长了真空泵的使用寿命。 专利申请的驳回
一种化学气相沉积尾气再利用系统及方法 CN201911327220.4 - 本发明公开了一种化学气相沉积尾气再利用系统及方法，包括一级活性炭毡过滤器、二级活性炭毡过滤器、三氯甲基硅烷供气系统和流量控制系统，一级活性炭毡过滤器的入口通过管道与第一化学气相沉积炉的排气口连通，一级活性炭毡过滤器的出口通过管道与二级活性炭毡过滤器的入口端相连通，二级活性炭毡过滤器的出口通过管道与流量控制系统相连通，三氯甲基硅烷供气系统通过管道与流量控制系统相连通，流量控制系统出口与第二化学气相沉积炉相连通。本发明可以将化学气相沉积法尾气中的四氯化硅、三氯甲基硅烷、氢气和氩气等有效成分再次利用，进行二次沉积，提高三氯甲基硅烷的利用率，降低生产成本，并减少对环境的污染。 专利申请的驳回
一种碳纳米管-碳化硅纳米线复合材料及其制备方法 CN201911318661.8 - 本发明公开了一种碳纳米管‑碳化硅纳米线复合材料，为一维纳米结构，该材料中碳化硅纳米线沿碳纳米管的长度方向生长。该材料的制备方法：将预处理基片放入管式炉中，采用化学气相沉积法在基体上沉积碳纳米管；再采用化学气相沉积法在碳纳米管上沉积碳化硅纳米线，得到碳纳米管‑碳化硅纳米线复合材料。本发明充分利用碳纳米管和碳化硅纳米线在用CVD方式制备时都遵循V‑L‑S生长机制，从而制备出一种全新的一维纳米结构材料，该复合材料中碳化硅纳米线沿碳纳米管的长度方向生长，可以将碳化硅纳米线和碳纳米管的优异性能进行互补，通过控制二者的长度分配而获得需要的导电和导热性能材料，对于新型纳米电子器件的研制具有重要意义。   专利申请的驳回
反应腔及化学气相沉积装置 CN201811167490.9 - 本发明提供了一种反应腔及化学气相沉积装置，反应腔包括腔本体和设置于腔本体内的支撑座和支架组件，支架组件包括第一支架和第二支架，第一支架的第一端和第二支架的第一端设置于支撑座上，第一支架的第二端和第二支架的第二端为自由端，且第一支架的第二端至支撑座的距离大于第二支架的第二端至支撑座的距离，第一支架的第二端用于朝向支撑座移动。本方案避免了样品表面与支架接触面上的沉积盲区，只需进行一次开炉沉积即可完成对整个样品表面的沉积覆盖，而不需要进行二次开炉沉积，很大程度上提高了沉积效率，降低生产消耗。 专利申请的驳回
反应腔及化学气相沉积装置 CN201811167897.1 - 本发明提供了一种反应腔及化学气相沉积装置，反应腔包括腔本体和输送盲管，腔本体内具有腔室，腔本体上设置有连通腔室的进气口，输送盲管的开口端与进气口连接，输送盲管的封闭端延伸至腔室内，输送盲管上设置有若干贯穿输送盲管的管壁的分流嘴，分流嘴内设置有连通输送盲管与腔室的排气孔道，分流嘴沿输送盲管的轴向间隔分布，且分流嘴的横截面大小沿封闭端至开口端的方向逐渐增大。本技术方案，在输送盲管上的多个分流嘴使得腔室内的气体均匀分布，保证各处的样品的沉积厚度的均匀性。另外，分流嘴的横截面大小沿封闭端至开口端的方向逐渐增大，使得更多的反应气体先与样品发生化学反应，提高了反应气体的利用率和沉积效率。 专利申请的驳回
一种陶瓷复合涂层及其制备方法 CN201811167504.7 2021-12-28 本发明公开了一种陶瓷复合涂层及其制备方法。本发明所述陶瓷复合涂层包括二维过渡金属碳化物或碳氮化物陶瓷涂层、碳化硅陶瓷涂层；所述二维过渡金属碳化物或碳氮化物陶瓷涂层的内表面结合在基体表面，所述碳化硅陶瓷涂层结合在所述二维过渡金属碳化物或碳氮化物陶瓷涂层的外表面。本发明所述的陶瓷复合涂层，可以由以下步骤制备得到：处理基体，制备陶瓷浆料，形成二维过渡金属碳化物或碳氮化物陶瓷涂层，沉积碳化硅陶瓷涂层，得到陶瓷复合涂层。现有技术中，传统碳化硅涂层热导率为20‑30W/m·K，本发明所述碳化硅陶瓷涂层的热导率为0.5‑2W/m·K。本发明所述碳化硅陶瓷涂层兼具耐高温抗氧化和低导热率的性能。 专利权的授权