专利标题 公开号/公告号 公开日期 摘要 专利状态
固气分离装置和废气处理系统 CN202311352833.X - 本申请涉及废气处理技术领域，具体涉及一种固气分离装置和废气处理系统，解决了废气中的固体颗粒物堵塞真空泵、管道等下游设备，造成下游设备工作异常，甚至损坏下游设备的问题。该固气分离装置包括：主体，主体包括分离腔室、与分离腔室连通的废气入口和气体出口；多个分隔板，被配置为将分离腔室分隔成依次连通的多个子分离腔室；多个分隔板包括第一类分隔板和第二类分隔板，第一类分隔板由分离腔室的第一侧壁向第二侧壁延伸，并与第二侧壁形成第一连接开口，第二类分隔板由分离腔室的第二侧壁向第一侧壁延伸，并与第一侧壁形成第二连接开口，废气从废气入口进入，然后轮流经过第一连接开口和第二连接开口，使废气的流动路径不断转向。 实质审查
一种表面SiC涂层石墨托盘的制备方法及应用 CN202210006672.8 2024-03-15 本发明提供一种表面SiC涂层石墨托盘的制备方法及其应用，包括以下步骤：（1）取石墨托盘作为基体；（2）利用含有NH3的气体对石墨托盘进行刻蚀处理；（3）对刻蚀后的石墨托盘表面进行吹扫，去除刻蚀后的残留粉尘；（4）采用化学气相沉积法在处理后的石墨托盘表面沉积SiC涂层。高温条件下NH3气对石墨具有一定的腐蚀性，本申请利用NH3对石墨托盘表面刻蚀，得到粗糙多孔的刻蚀表面，有利于SiC涂层对托盘基体的机械咬合，提高涂层与基体的结合强度。 专利权的授权
一种石墨表面梯度碳化硅涂层及其制备方法 CN202011480093.4 - 本发明公开了一种石墨表面梯度碳化硅涂层及其制备方法，方法包括以下步骤：S1：将纳米硅粉加入液态聚碳硅烷中，超声震荡混合均匀，得到含有硅粉的液态聚碳硅烷；将石墨试样加压浸渍于含有硅粉的液态聚碳硅烷中，取出后固化、裂解，从而在石墨表面形成初级碳化硅涂层。S2：采用化学气相沉积法在步骤S1的初级碳化硅涂层表面沉积次级碳化硅涂层，从而初级碳化硅涂层和次级碳化硅涂层形成石墨表面的梯度碳化硅涂层。本发明通过在聚碳硅烷中加入硅粉，硅粉随着聚碳硅烷固化分布在石墨表面，在1650℃‑1800℃与表面石墨反应生成碳化硅，既增强了涂层与石墨基体的结合强度，又避免影响后续CVDSiC的生长。 专利申请的驳回
一种在石墨基材表面形成致密TaC涂层的方法 CN202011465963.0 - 本发明公开了一种在石墨基材表面形成致密TaC涂层的方法，包括：(1)、将石墨基材加工、清洗，放入烘箱烘干备用；(2)、将TaC粉末、烧结助剂粉末、无水乙醇和金属盐化物混合搅拌均匀，配制成电泳悬浮液；(3)、将石墨基材放入电泳悬浮液，然后将正极电极材料插入电泳悬浮液，使正极电极材料围绕在石墨基材周围，以石墨基材为负极，插入超声振动棒，进行电泳沉积；(4)、将电泳沉积后的工件取出，放入烘箱进行热处理；(5)、将热处理后的工件放入高温烧结炉，在低压状态下、惰性气氛下进行烧结，烧结完成后将工件冷却至室温，即得。该方法制备的TaC涂层均匀致密，制备工艺简单，生产成本低。   专利申请的驳回
一种用于氢化物气相外延生长氮化镓的蒸发器 CN202011466005.5 2022-05-03 本发明公开了一种用于氢化物气相外延生长氮化镓的蒸发器，包括石墨基材，石墨基材的外表面包覆有硅过渡层，硅过渡层的外表面包覆有TaC涂层，TaC涂层由靠近硅过渡层的一侧至远离硅过渡层的一侧孔隙率逐渐增大。该用于氢化物气相外延生长氮化镓的蒸发器镓源的挥发效率高、蒸发器石墨基材不易受高温腐蚀性气氛侵蚀、使用寿命更长。 专利权的授权
一种半导体用SiC涂层石墨基座过渡层的制备方法 CN202011461238.6 - 本发明提供了一种半导体用SiC涂层石墨基座过渡层的制备方法，包括：石墨基座以及周向设置在所述石墨基座上的多个凹槽；其中，每个所述凹槽的外圈均周向设置有多个缺口；还包括与每个所述凹槽插接配合的石墨套筒，所述石墨套筒的顶部的外圈周向设置有与所述多个缺口一一配合的卡块。通过在石墨套筒和凹槽分体式设计，便于装配，并在凹槽以及石墨套筒内壁均设置SiC涂层，有效防止氨气腐蚀石墨基座，增强石墨基座的使用寿命。 专利申请的撤回
一种表面具有纳米齿状的半导体用石墨 CN202011461237.1 - 本发明提供了一种表面具有纳米齿状的半导体用石墨，包括石墨体，所述石墨体的表面成型有纳米齿状的凸起结构，所述纳米齿状的凸起结构通过在密闭的金属容器中经高温氧化处理后在所述石墨体表面成型。本发明提供的石墨体表面成型有纳米齿状的凸起结构，这样的结构有助于提高石墨体表面硅的负载量，进而增加其电化学容量。 专利申请的撤回
一种半导体用石墨表面处理方法 CN202011461290.1 - 本发明提供了一种半导体用石墨表面处理方法，包括以下步骤：步骤1：将石墨置于含有氧气的密闭金属容器中，对石墨进行高温氧化处理；其中，所述密闭金属容器的内表面设置有锯齿状或柱状的金属凸起，所述金属凸起与石墨表面接触；步骤2：通过控制所述密闭金属容器中的氧气浓度、反应温度、反应时间并在所述金属凸起热胀冷缩的作用下得到经过表面处理的石墨。本发明提供的半导体用石墨表面处理方法可以方便的对石墨表面进行粗糙化处理，便于后续对石墨表面涂镀金属，与现有技术先比，方法简单合理。 专利申请的撤回
一种具有渗透过渡层的SiC涂层石墨基座 CN202011461289.9 - 本发明提供了一种具有渗透过渡层的SiC涂层石墨基座，包括：石墨基座；所述石墨基座上周向设置有多个凹槽，每个所述凹槽的底部均设置有外凸结构；所述石墨基座上的侧壁沿周向设置有滑槽，所述滑槽的内部等距间隔设置有阻隔块，任意相邻的两个阻隔块之间相距形成滑动腔，每个所述滑动腔的内部滑动设置有平衡装置。本发明中，通过在石墨基座旋转过程中，多个滑动设置的平衡装置随之旋转，将旋转过程中的产生的不协调力传导至外围的平衡装置上使石墨基座保持平衡，使位于凹槽内部的外延片运行稳定，不损坏SiC涂层。 专利申请的撤回
一种Micro-LED用石墨基座加工方法 CN202011461282.7 - 本发明提供了一种Micro‑LED用石墨基座加工方法，包括：石墨基座以及与石墨基座转动连接的石墨盘；石墨基座上周向设置有外圈口袋、内圈口袋；石墨基座上环向间隔设置有与多个外圈口袋位于同一轴线的外圈滑槽以及与多个内圈口袋位于同一轴线的内圈滑槽；外圈滑槽内部滑动设置有用于封堵外圈口袋的开口的第一阻挡块，内圈滑槽内部滑动设置有用于封堵内圈口袋的开口的第二阻挡块，且多个第一阻挡块以及多个第二阻挡块均固定装配在石墨盘上。本发明中，通过石墨盘在顺时针旋转过程中，使对应的阻挡块封堵口袋，并使石墨基座进行旋转；在石墨盘逆时针旋转过程中，对应的阻挡块脱落封堵口袋，使开口外露，便于工作人员进行清理。 专利申请的撤回