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连续镀膜设备自动化上下料系统及控制方法 CN202311842889.3 - 本发明公开了一种连续镀膜设备自动化上下料系统，包括：入料台，用于输入和存放待镀膜玻片；出料台，用于接纳和输出已镀膜玻片；载片架和上下片站，所述上下片站为所述载片架提供上下料位置，并检测是否有载片架进站，所述载片架用于在镀膜设备与上下片站之间传送所述镀膜玻片；机械手，用于将入料台上的待镀膜玻片装载至载片架，将载片架上的已镀膜玻片卸载至出料台。控制方法包括进站检测、玻片卸载、玻片装载、传送镀膜等步骤。该连续镀膜设备自动化上下料系统及控制方法具有可提高工作效率与产品质量、减少人为损耗的优点。 实质审查
一种低阻高透ITO膜 CN202311787769.8 - 本发明公开了一种低阻高透ITO膜，包括SiO2基层，所述SiO2基层上附着低阻高透ITO层，所述低阻高透ITO层包括多层交替设置的ITO层和疏松SiO2层，所述低阻高透ITO层的底层为ITO层且与SiO2基层附着连接，所述低阻高透ITO层的表层为疏松SiO2层。该低阻高透ITO膜具有电阻率低、透光率高的优点。 实质审查
一种HUD高反射膜 CN202311791713.X - 本发明公开了一种HUD高反射膜，包括PC基层、高反介质层以及设于PC基层与高反介质层之间的镀铬层和镀铝层，所述镀铬层与所述PC基层连接，所述镀铝层与高反介质层连接，所述镀铬层和镀铝层之间设有共键过渡叠层。该HUD高反射膜具有结构附着力强的优点。 实质审查
一种基于石墨刻蚀的材料优化方法及装置 CN202311791522.3 - 本发明公开了一种基于石墨刻蚀的材料优化方法，用于基于石墨刻蚀的材料优化装置，装置包括真空泵模块、刻蚀腔、石墨靶材和流量计；真空泵模块和流量计均通过阀门与刻蚀腔连接；石墨靶材安装于刻蚀腔内；方法包括：在刻蚀腔中安装材料基材；通过真空泵模块将刻蚀腔抽至预设真空度；通过流量计向刻蚀腔内输入预设工作气体和预设刻蚀气体；石墨靶材与预设刻蚀气体反应，得到电离子；电离子与基材反应得到第一基材；通过流量计向刻蚀腔内输入氧气和预设工作气体，氧气与第一基材反应，得到第二基材。本发明还提供了一种基于石墨刻蚀的材料优化装置。 实质审查
一种用于真空磁控溅射镀膜设备的洗气方法及装置 CN202311791782.0 - 本发明公开了一种用于真空磁控溅射镀膜设备的洗气方法，基于真空磁控溅射镀膜设备的洗气装置，装置包括真空泵模块、洗气腔、流量计和真空计；真空泵模块、流量计和真空计均通过阀门与洗气腔连接；方法包括以下步骤：步骤一：通过真空泵模块将洗气腔抽至第一预设真空度；步骤二：通过流量计向洗气腔内充入预设气体，使洗气腔达到第二预设真空度；步骤三：通过真空泵模块对处于第二预设真空度的洗气腔进行第一预设时长的抽真空；通过真空计实时测量洗气腔的真空度；当洗气腔真空度未达到第三预设真空度时，进入步骤二；当洗气腔真空度达到第三预设真空度时，完成洗气。本发明还提供了一种用于真空磁控溅射镀膜设备的洗气装置。 实质审查
一种用于制备低阻高透ITO膜的磁控溅射机 CN202311791541.6 - 本发明公开了一种用于制备低阻高透ITO膜的磁控溅射机，包括前处理室、镀膜室和后处理室，所述镀膜室一端与前处理室连接，另一端与后处理室连接，所述镀膜室连接有多组分子泵组，所述分子泵组启动时将所述镀膜室内隔离为多个连续排列的腔室，最靠近前处理室的腔室设为SiO2基层镀膜腔室，之后为依次交替排列的ITO层镀膜腔室和疏松SiO2层镀膜腔室。该用于制备低阻高透ITO膜的磁控溅射机有利于保障产品质量、生产效率高。 实质审查
用于磁控溅射镀膜的等离子发生器及磁控溅射镀膜机 CN202311236523.1 2023-12-26 本发明公开了一种用于磁控溅射镀膜的等离子发生器及磁控溅射镀膜机，用于磁控溅射镀膜的等离子发生器，包括壳体和ICP线圈，所述壳体设有线圈安装腔和等离子激发槽，所述线圈安装腔围绕等离子激发槽设置，所述ICP线圈装设于线圈安装腔内。磁控溅射镀膜机包括镀膜室，所述镀膜室内设有如上所述的用于磁控溅射镀膜的等离子发生器。该用于磁控溅射镀膜的等离子发生器及磁控溅射镀膜机具有可降低热辐射对镀膜质量不良影响、提高镀膜均匀性的优点。 专利权的授权
一种真空磁控溅射卧式双面镀膜系统 CN202310646523.2 - 本发明公开了一种真空磁控溅射卧式双面镀膜系统，包括抽真空机构、入口室、加热室、中转室和镀膜室，入口室、中转室和镀膜室依次连接，加热室和中转室连接，镀膜室上设有磁控溅射系统和可转动的转盘，转盘上环形阵列布置有多个基片安装位，磁控溅射系统包括分别位于转盘上方和下方的上阴极磁控溅射组件和下阴极磁控溅组件，抽真空机构包括低真空泵组、高真空泵组和深冷泵组，镀膜室连接至少一组低真空泵组、至少一组高真空泵组和至少一组深冷泵组。本发明基片两面可实现同步镀膜，制备的膜层附着力强，膜层致密、均匀性好、成膜稳定、效率高，适应导电膜、半导体、超硬AR膜、截止滤光片、车载激光雷达等膜层的镀制。 实质审查
一种膜厚测试和均匀性调节方法 CN202211525105.X 2023-10-20 本发明提供了一种膜厚测试和均匀性调节方法，包括：步骤S1：在待测样品上选定多个测试点；步骤S2：获取多个测试点的反射率或透过率光谱图；步骤S3：选定参考波长、参考光谱和波长点。步骤S4：通过光学模拟软件模拟光谱曲线和光谱曲线对应的膜厚，得出膜厚和选定的波长点对应的反射率或透过率之间的推算公式；步骤S5：根据推算公式计算选定的波长点下所有测试点的膜厚。本发明克服了大批量或大尺寸样品膜厚测试耗时长、膜厚检测时样品破坏性等问题，通过获得的膜厚和波长的推算公式可快速获得所有测试点的膜厚，膜厚测试耗时大大缩短，给膜厚的均匀性调节留出了足够的时间。 专利权的授权
一种具有刻蚀和石墨轰击工艺的AR+AF膜制备方法 CN202211351268.0 - 本发明公开了一种具有刻蚀和石墨轰击工艺的AR+AF膜制备方法，首先在AR膜上进行刻蚀，在离子源区通入惰性气体、刻蚀气体和O2，将镀有AR膜的基片送入所述离子源区，离化后的气体对AR表面进行刻蚀处理，然后进行石墨轰击，同时通入惰性气体和O2，最后在AR膜表面镀AF膜。本发明在AR膜表面通过微刻蚀叠加石墨轰击处理，得到了高耐磨性、高寿命、AR和AF之间附着力强的AR+AF膜，并且产品的光学性能不会受到影响，所述方法适用于不同基材的最外层为SiO2的各种材质各种厚度的AR。 实质审查