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一种AR膜层表面处理方法 CN202211352093.5 - 本发明公开了一种AR膜层表面处理方法，在离子源区通入惰性气体、O2和刻蚀气体，将镀有AR膜的基片送入所述离子源区，通过控制气体流量、RF功率和刻蚀时间实现对所述AR膜层表面的不同厚度的刻蚀处理。本发明通过对AR膜层表面的微刻蚀对AR膜层表面进行处理，使AR表面由许多不规则的凸起和尖峰被处理为规则一致的表面，便于AR膜层后续工艺的高效和高质量进行，提高了AR膜的性能和质量，处理后的AR膜层的光学性能不受影响，处理工艺简单可靠。 实质审查
一种疏松氧化物薄膜的制备方法 CN202211352353.9 - 本发明公开了一种疏松氧化物薄膜的制备方法，首先以第一靶材和C靶共溅射，所述第一靶材材质为X，在基片上沉积X C薄膜，然后使O2‑氧化X C薄膜，O2‑与X氧化成沉积粒子，O2‑与C氧化生成CO2，CO2逃逸留下空位，生成疏松结构的氧化物薄膜。本发明的目的是提供一种疏松氧化物薄膜的制备方法，利用C共溅射后氧化反应溅射方法制备特殊用途的疏松薄膜，使成型的氧化物薄膜具备疏松多孔的结构，薄膜的疏松程度可调，薄膜的疏松程度可以通过C的比例大小来进行精确控制，氧化物薄膜通过溅射沉积获得，附着力性能优。 实质审查
提高磁控溅射高反铝中铝膜和介质膜层附着力的工艺方法 CN202211352206.1 - 本发明公开了提高磁控溅射高反铝中铝膜和介质膜层附着力的工艺方法，在高反铝的Al膜和介质膜之间制备AlN膜。制备AlN膜的方法为：对已经镀制Al膜的基片的AL膜表面进行氮化处理形成AlN膜层或者在已经镀制Al膜的基片的Al膜表面镀制AlN膜。本发明在高反铝的金属铝膜和介质膜之间设置氮化铝，形成一个衔接层和缓冲层，提高了高反铝各层之间的附着力的同时不影响高反铝的光学性能；制备时可以直接在金属铝膜表面镀制氮化铝或者通过离子源对金属铝膜表面氮化处理形成氮化铝，所需镀制设备可采用已有设备，加工简单成本低。 实质审查
一种提高AR+AF膜耐磨性和寿命的工艺方法 CN202211351213.X - 本发明公开了一种提高AR+AF膜耐磨性和寿命的工艺方法，首先进行刻蚀，在离子源区通入惰性气体、刻蚀气体和O2，将镀有AR膜的基片送入所述离子源区，离化后的气体对AR表面进行刻蚀处理，然后进行后处理，在离子源区通入惰性气体和O2，最后在AR膜表面镀AF膜。本发明先通过对AR膜层表面的微刻蚀对AR膜层表面进行处理，改善AR表面形貌，再通过ICP后处理，改善AR表面的羟基数，增加脱水缩合性能，提高AR和后续AF膜的附着性能；AR+AF的耐磨水平提高到20000次大于100度的水准，提高了AR+AF膜的耐磨性和使用寿命，且不影响膜的光学性能，适用于不同基材的最外层为SiO2的各种材质各种厚度的AR。 实质审查
一种大面积真空镀膜的玻璃基片角度调节装置 CN202210048058.8 2023-04-25 本发明涉及真空镀膜技术领域，具体涉及一种大面积真空镀膜的玻璃基片角度调节装置，包括底板，设置在底板下表面用于支撑整个所述玻璃基片角度调节装置的底座，固定于所述底板的后壁，固定于所述后壁上的顶板，所述底板、后壁和顶板构成开口状，固定于后壁的后壁丝杆导轨机构，所述连接杆的另一端连接所述后壁丝杆导轨机构；固定于顶板的顶部丝杆导轨机构，所述顶部丝杆导轨机构表面固定有上轮辊机构；固定于所述上轮辊机构和所述下轮辊机构之间的基片；其中，所述后壁丝杆导轨机构和所述顶部丝杆导轨机构以预设的行程比使得所述上轮辊机构和所述下轮辊机构以确定角度调节的进行。 专利权的授权
真空溅射镀膜装置 CN202111664346.8 - 本发明公开一种真空溅射镀膜装置，真空溅射镀膜装置包括进口室、进口缓冲室、进口过渡室、镀膜室、出口过渡室、出口缓冲室以及出片室，所述镀膜室内部设有镀膜腔，所述镀膜腔内设有用于基片通过的移动间隙，所述移动间隙的两侧均设置有溅射阴极，所述镀膜室内设有与用于装载基片的基片架连接的磁导向装置，以通过所述磁导向装置令所述基片架在所述移动间隙流转；所述镀膜腔内设置有阻挡件，所述阻挡件能够阻挡在所述溅射阴极和所述基片之间。本发明提供的真空溅射镀膜装置根本上解决了机械导向磨擦掉灰，机械导向阻力不均匀引起的卡滞、抖动现象，保证了基片架运行的平稳性、连续性，有效提升了所镀膜层的均匀性。 专利申请的驳回
真空磁控溅射镀膜装置、控制方法及计算机可读存储介质 CN202111664237.6 - 本发明公开一种真空磁控溅射镀膜装置、控制方法及计算机可读存储介质，真空磁控溅射镀膜装置的控制方法包括获取用户输入的气体输入数据，根据所述气体输入数据调整第一气体出口、第二气体出口以及第三气体出口的电控阀以改变溅射阴极的氧气、氩气以及氢气的输入比例；根据所述输入比例同时或分别输送氧气、氩气以及氢气。本发明提供的真空磁控溅射镀膜装置的控制方法达到了在不切换气体生成装置的情况下对不同的气体进行输送，明显提高了气体输送的效率以及便利性。 专利申请的驳回
磁控溅镀真空室及其控制方法 CN202111658487.9 - 本发明公开一种磁控溅镀真空室及其控制方法，磁控溅镀真空室包括真空室，所述真空室呈环形，所述真空室内为真空腔，沿所述真空室的周向间隔设置有多个靶位，其中一个所述靶位设有离子源用于离子源轰击，另外所述靶材设有NbOx靶材或In/Cr靶材，所述真空室上设置有抽气口，所述抽气口上连接有用于将所述真空腔抽取为真空的抽真空组件。本发明提供的磁控溅镀真空室及其控制方法确保整个系统内均处于真空，以保证磁控溅射时的真空程度。 专利申请的驳回
真空磁控镀膜生产线及其镀膜方法 CN202111658386.1 - 本发明公开一种真空磁控镀膜生产线及其镀膜方法，真空磁控镀膜生产线包括依次连通的进口室、进口缓冲室、进口过渡室、AR层镀膜室、ITO层镀膜室、出口过渡室、出口缓冲室以及出片室，形成连通的直线通道，真空磁控镀膜生产线还包括基片传送机构以及溅射阴极，基片传送机构用于将待镀膜的基片在直线通道内进行传送，基片传送机构包括多个依次布置在直线通道内的基片框架，相邻基片框架之间设有连接结构以使多个基片框架的表面位于同一平面上。本发明提供的真空磁控镀膜生产线通过设置连接结构令多个基片框架的表面位于同一平面上，基片能够十分平稳地流经各室，以确保不会出现基片抖动的现象。 专利申请的驳回
基材镀膜工艺 CN202111440223.6 - 本发明公开一种基材镀膜工艺，基材镀膜工艺包括鼓式基片架承载的孤型或者平面的载具，装载基材，流入前处理室，抽至真空1*10e‑1pa至1*10e‑6pa；通入氩气和氧气，令基材在前处理室通过石墨基材过氧溅射处理1‑30分钟以提高膜层附着力，同时通过加热装置对基材进行烘烤处理，所述阴极为平面靶或旋转靶；将前处理完毕后的基材流入光学镀膜室进行镀膜；镀膜完毕的基材流入至出片室。本发明提供基材镀膜工艺通过石墨阴极对基材进行前处理，相比于离子源清洗具备清洁度更高以及膜层附着能力更强的优点。 专利申请的驳回