- 专利标题 公开号/公告号 公开日期 摘要 专利状态
- 一种等离子体发生装置 CN202111650642.2 - 本发明公开了一种等离子体发生装置，包括：微波发生器、水冷法兰、等离子体反应腔和冷却水套，等离子体反应腔两端分别通过水冷法兰与微波发生器连接，水冷法兰用于对微波发生器上的微波能量输出口进行冷却降温；等离子体反应腔内设有铜天线，微波发生器通过铜天线将同轴微波传导进入等离子体反应腔内；等离子体反应腔上开设有多个进气孔和等离子输出孔，进气孔用于向等离子体反应腔内输入待电离的工艺气体，等离子输出孔用于将等离子体反应腔内电离完成的工艺气体导入工艺腔中；冷却水套安装在等离子体反应腔外围，以实现等离子体反应腔冷却降温。本发明具有结构紧凑、操作简单、所产生的等离子密度高等优点，适用于大面积的平板式薄膜沉积设备。 实质审查
- 一种PECVD设备的辉光放电装置 CN202111593571.7 - 本发明公开了一种PECVD设备的辉光放电装置，包括气体导入机构、上电极板和下电极板，上电极板和下电极板间隔设置在PECVD设备的反应室内，反应室包括腔体，上电极板盖合在腔体顶部，下电极板设于腔体内部的底板上；上电极板包括电极背板和喷淋板，电极背板的下端面为喷淋板，电极背板的顶部与气体导入机构的底部密封连接；气体导入机构包括相互独立送气的工艺气体导入通道和清洗气体导入通道，工艺气体导入通道的底部与电极背板的顶部密封连接，清洗气体导入通道沿竖直方向贯穿工艺气体导入通道内部并延伸至上电极板内部。本发明具有结构紧凑、操作简单、制造成本低等优点，实现了工艺、清洗气体独立送入，避免了气体交叉污染，提高了成膜质量。 实质审查
- 一种用于异质结CVD设备的载板传输提升系统 CN202111527141.5 2023-08-08 本发明公开了一种用于异质结CVD设备的载板传输提升系统，包括腔体、喷淋板、载板、加热基板和传输装置，传输装置包括外轴动力、内轴动力和多对磁流体传输机构，磁流体传输机构包括磁流体、内轴、外轴、传输轴和翻转板，外轴套在内轴上且二者可相对转动，磁流体套在外轴上且二者可相对转动，翻转板与内轴固定连接，传输轴可转动的设在翻转板上，传输轴与外轴通过啮合件配合，外轴动力用于驱动外轴转动，内轴动力用于驱动内轴转动，传输轴和翻转板设于腔体内，载板置于各传输轴上。本发明利用同心双轴磁流体结构，同时驱动载板的传输和提升，既能使实现载板传输，又能使载板在镀膜时脱离传输轴并与加热基板接触，简化了结构，降低了设备成本。 专利权的授权
- 一种串联真空腔体内气流场的控制方法及控制系统 CN202111519682.3 2023-08-08 本发明公开了一种串联真空腔体内气流场的控制方法及系统，所述方法包括步骤：S01、预先将其中部分真空腔体的蝶阀设为主蝶阀，并设置为压力控制模式，其它真空腔体的蝶阀设为从蝶阀，并设置为位置控制模式；其中主蝶阀与从蝶阀相互对应；S02、获取主蝶阀对应的真空腔体内的压力，并根据压力调整所述主蝶阀的开度，进入压力控制模式；S03、获取所述主蝶阀的开度，根据所述主蝶阀的开度来实时调整对应各从蝶阀的开度，进入位置控制模式。本发明能够获得稳定均匀的气流场，而且操作简便且成本低。 专利权的授权
- 一种用于载板储存和转运的小车 CN202111486944.0 2024-01-02 本发明公开了一种用于载板储存和转运的小车，包括：密封设置的壳体，所述壳体底部设有移动机构，所述壳体内部设有机架，所述机架上设有动力机构、传送系统、托板机构和加热系统，所述托板机构用于承载载板，所述加热系统用于加热载板，使小车内部保持恒温，所述传送系统与动力机构连接，在动力机构的驱动下，传送系统用于将载板传送至托板机构或带离托板机构，以实现载板在小车上自动装卸。本发明的用于载板储存和转运的小车具有结构紧凑、使用方便、自动化程度高等优点，实现了载板在小车中自动装卸，同时还可以实现载板在小车中密封加热，避免了大气中粉尘颗粒及水汽等杂物对载板的侵入，减少了对硅片的污染，更有利于提升产品质量和性能。 专利权的授权
- 一种用于原子层沉积高保形度三维图形的反应室系统 CN202111435618.7 - 本发明公开了一种用于原子层沉积高保形度三维图形的反应室系统，包括反应室腔体和反应室腔盖，反应室腔盖中设有用于输送两种以上前驱气体且各种前驱气体喷出前互不串通的均压腔，反应室腔盖的底面设有分别与不同均压腔单独连通的至少两组喷淋孔，与不同均压腔连通的不同喷淋孔在反应室腔盖的底面上相间布置且呈圆周排列，反应室腔体内设有可旋转工件台，在使用时，与反应室腔盖的底面平行设置。本发明用于原子层沉积高保形度三维图形的反应室系统，具有前驱气体利用率高、操作方便、成本低廉、喷淋均匀性好、沉积过程易于控制、沉积效率高、沉膜均匀性好等优点，可制备得到高保形度三维图形，适合性强，便于工业化利用，使用价值高，应用前景好。 实质审查
- 在线石墨舟翘片检测装置及检测方法 CN202111405832.8 - 本发明公开了一种在线石墨舟翘片检测装置及检测方法，装置包括机架、石墨舟纵向传输机构、石墨舟横向传输机构、检测元件和检测纵向移动机构，所述石墨舟横向传输机构设于机架的底部，石墨舟纵向传输机构设于石墨舟横向传输机构上，石墨舟纵向传输机构用于驱动石墨舟纵向移动，石墨舟横向传输机构用于驱动石墨舟纵向传输机构横向移动，检测纵向移动机构设于机架上且位于石墨舟横向传输机构的上方，检测纵向移动机构用于驱动检测元件纵向移动。本发明通过检测元件自动检测石墨舟内的硅片，不再需要人工对石墨舟进行翘片检测，自动化程度高，效率更高，检测可靠性更高，在减少人工接触带来的污染及碎片，节约设备的运行成本。 实质审查
- 一种多层非晶硅薄膜的制备方法及太阳能电池 CN202111152795.4 2024-03-01 本发明公开了一种多层非晶硅薄膜的制备方法及太阳能电池，该制备方法包括：在低射频功率和低加热温度、高的射频功率和加热温度、更高射频频率的条件下，利用PECVD工艺依次在硅片表面沉积三层非晶硅薄膜。本发明多层非晶硅薄膜的制备方法，通过在硅片表面沉积功能不同的多层非晶硅薄膜，不仅能够减少硅片表面或硅片表面超薄氧化硅薄膜的损伤，有利于提高硅片的少子寿命以及电池的转化效率，而且能够显著提高非晶硅薄膜的沉积速率，减少镀膜时间，有利于提高设备产能，具有产能高、生产工序少、生产能耗低等优点，同时本发明制备方法还具有工艺简单、操作方便、易于控制等优点，能够直接利用现有设备进行制备，适合性强，便于工业化利用。 专利权的授权
- 一种无变压器式电热控制电路、控制方法及管式炉 CN202111088069.0 - 本发明公开了一种无变压器式电热控制电路、控制方法和管式炉，此电路包括第一双向晶闸管和第二双向晶闸管，所述第一双向晶闸管的一个主电极与三相电源中的一相相连，另一个主电极与电热体的一端相连，所述第一双向晶闸并联有第一阻容吸收单元；所述第二双向晶闸管的一个主电极与三相电源中的另一相相连，另一个主电极与电热体的另一端相连，所述第二双向晶闸并联有第二阻容吸收单元；所述第一双向晶闸管的控制端G1和第二双向晶闸管的控制端G2为两个同步输入控制端。本发明具有结构简单、成本低、加热快速且可控等优点。 实质审查
- 一种晶硅太阳能电池选择性发射极的制备方法 CN202111045200.5 2024-10-01 本发明公开了一种晶硅太阳能电池选择性发射极的制备方法，包括以下步骤：在硅基体表面制备硼原子掺杂浓度≥1E21atoms/cm3的硼硅玻璃薄膜；采用激光对硅基体表面金属接触区域的硼硅玻璃薄膜进行局部掺杂；对经过局部掺杂后的硅基体进行高温退火，完成对晶硅太阳能电池选择性发射极的制备。本发明制备方法，通过先在硅基体表面制备高掺杂浓度的硼硅玻璃薄膜，进而通过激光选择性掺杂和高温退火处理制备得到了性能更佳的晶硅太阳能电池选择性发射极，有利于显著提升晶硅太阳能电池的光电转换效率；同时本发明制备方法还具有工艺简单、操作方便、易于控制等优点，能够直接利用现有设备进行制备，适合性强，便于工业化利用。 专利权的授权