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一种光刻胶薄膜的制备方法和光刻胶薄膜 CN202410673754.7 - 本发明公开了一种光刻胶薄膜的制备方法和光刻胶薄膜，制备原料包括光刻胶聚合物和光刻胶溶剂，本发明的光刻胶薄膜改善了光刻胶的分辨率；此外，该光刻胶还具有抗蚀刻性强，对基板的粘附性佳的优点。 实质审查
一种光刻涂层的制备方法 CN202410661054.6 - 本发明公开了一种光刻涂层的制备方法，包括：S1.将钛白粉、碳酸铯混合，煅烧，得固体；S2.将所述固体酸浸，固液分离，所得固相加入四甲基氢氧化氨溶液中搅拌，剥离得到二氧化钛分散液；S3.向所述二氧化钛分散液中加入偶联剂进行改性，固液分离，球磨，得到改性二氧化钛；S4.将端羟基超支化聚酯溶于溶剂中，加入所述改性二氧化钛，超声分散，加入端乙烯基化合物混合，得混合液；S5.将所述混合液涂布于基板上，加热固化，得光刻涂层。所制得的光刻涂层折射率高，容易经显影去除，可用于制备光掩膜版。 实质审查
一种光刻胶组合物及光刻胶图案化方法 CN202410634906.2 - 本发明公开了一种光刻胶组合物及光刻胶图案化方法，包括感光聚合物、光引发剂、助剂，所述感光聚合物的单体包括具有如式A、B和C所示结构的化合物：式中，R1选自6个碳原子以下烷基或6个碳原子以下烷氧基，R2选自H或6个碳原子以下烷基，R3选自未取代脂肪环烷烃基，R4选自H、6个碳原子以下烷基或呋喃基，a为零以上整数，b为1～8之间的整数。本发明方案的感光聚合物的单体A、B和C中的基团聚合后可协同提升光刻胶的附着力，因此，利用本发明方案的组合物制得的光刻胶具有良好的附着力及稳定性，具有良好的应用前景。 实质审查
一种掩膜版涂胶装置 CN202410639452.8 - 本发明公开了一种掩膜版涂胶装置，涉及光掩膜技术领域，包括：机架、转台、第一驱动组件、抽吸组件；转台水平旋转安装于机架，转台上端设有定位凸台，定位凸台用于将掩膜版定位在安装位上，转台上端边缘环绕设置有收胶凸台，收胶凸台内侧下端开设有收胶孔；第一驱动组件用于驱动转台旋转；抽吸组件连接在机架上，抽吸组件用于在位于安装位的掩膜版下方产生负压，抽吸组件还能在收胶孔中产生负压。本发明减少了多余的光刻胶对涂胶厚度的影响，有效的提高的了掩膜版上光刻胶厚度的均匀性。 实质审查
一种光掩模去胶装置及方法 CN202410628483.3 - 本发明公开了一种光掩模去胶装置及方法，包括：工作箱，内部限定出工作腔；两个夹爪气缸，相对设于工作腔的左右两侧；旋转组件，用于驱动两个夹爪气缸同步转动；喷液组件，包括喷液盒、输液装置、喷头，喷液盒转动设于两个夹爪气缸之间的上侧，喷液盒的转动轴线前后分布，输液装置用于向喷液盒内输送去胶液，多个喷头均设于喷液盒，用于将喷液盒内的去胶液喷出至光掩模的表面；其中，喷液盒转动过程中至少具有第一位置、第二位置和第三位置，在第一位置下，喷头竖直朝下，在第二位置下，喷头倾斜朝向光掩模的左侧边缘，在第三位置下，喷头倾斜朝向光掩模的右侧边缘。本发明能够十分便捷地对光掩模的两个表面进行去胶，并能充分去胶。 实质审查
一种基于机器视觉的掩膜板缺陷定位和分类方法及系统 CN202410451822.5 2024-07-12 本发明公开了一种基于机器视觉的掩膜板缺陷定位和分类方法及系统，包括：S1：获取掩膜板图像，并基于改进的可变步长中值滤波算法对图像进行去噪处理；S2：使用自适应对比度限制法对去噪后的图像进行均衡化，增强掩膜板图像的局部对比度；S3：基于引入注意力机制的目标检测网络构建掩膜板缺陷检测网络，定位掩膜板缺陷位置；S4：采用多尺度纹理特征提取方法提取掩膜板缺陷纹理特征；S5：使用神经网络‑支持向量机方法对各类特征实施分类，获得掩膜板缺陷类别。本发明能够结合改进的图像处理技术、深度学习和支持向量机，提供一种高效、准确、自动化程度高的掩膜板缺陷定位和分类方法，以满足现代半导体制造业对高质量掩膜板的需求。 专利权的授权
一体式掩膜基板脱水干燥设备 CN202410338218.1 2024-06-14 本发明公开了一种一体式掩膜基板脱水干燥设备，包括进料线、出料线和工作台，所述工作台连通进料线和出料线，所述工作台上设置脱水夹持件，所述脱水夹持件的位置与进料线的进料夹持件和出料线的出料夹持件分别对应，所述脱水夹持件的两侧设置IPA气体喷嘴，脱水夹持件的两侧分别设置约束板，所述约束板与工作台在水平和竖直方向均活动连接，本发明中的掩膜版基体脱水干燥设备用于掩膜版基体清洗或者漂洗后的脱水和干燥，其中通过慢提拉完成脱水，然后进行红外干燥，本发明中的脱水夹持件可完成玻璃基板的慢提拉脱水，并在脱水后直接将玻璃基板送至干燥工序，脱水和干燥无缝衔接完成，整个设备结构紧凑。 专利权的授权
一种玻璃基片研磨装置及研磨方法 CN202410251282.6 2024-05-10 本发明涉及研磨装置技术领域，具体涉及一种玻璃基片研磨装置及研磨方法。一种玻璃基片研磨装置，包括操作台、转动环、转动块、第一研磨件和第二研磨件。转动块转动能够带动第一研磨件同步转动，第二研磨件能够绕第一方向转动地安装于操作台上。本发明的一种玻璃基片研磨装置当第二研磨件处于第二区域上时，转动块带动第二研磨件转动，提高对方形玻璃基片研磨的一致性，当第二研磨件转动离开第二区域时，转动环带动第二研磨件转动，最终使得第二研磨件对四个第二区域研磨的程度与第一研磨件对第一区域研磨的程度基本一致，提高对方形玻璃基片研磨的均匀性。 专利权的授权
一种分化零件的整版酸腐工艺制备方法 CN202410161513.4 - 本发明提供了一种分化零件的整版酸腐工艺制备方法。该方法先通过光刻技术进行第一次图形化，在基片带胶状态下进行酸蚀，形成刻蚀凹槽，然后基片去胶，清洗基片表面，之后对处理后的基片表面进行二次涂胶，然后通过CCD定位靶标进行二次曝光，刻蚀出铬图形区域，最后处理后的基片进行去胶和清洗处理。本发明的方法，实现了图形的精准保护，大幅提高了酸腐工艺时间及产品良率。 实质审查
一种光掩模基板涂胶旋风纹改善装置及方法 CN202410161502.6 - 本发明公开了一种光掩模基板涂胶旋风纹改善装置及方法，涉及光掩模基板制造技术领域，光掩模基板涂胶旋风纹改善装置包括涂胶腔体和上盖。涂胶腔体的顶部设有开口，涂胶腔体内设置有承片台，承片台用于放置方形基片，涂胶腔体的侧壁设有多个排风口，排风口外接通风设备。上盖用于开闭开口，上盖的中部设有入气孔，入气孔贯穿上盖。使用时，将与涂胶腔体内部的排风口连通的通风设备打开，涂胶腔体内形成局部负压，外界气体从上盖入气孔进入涂胶腔体，形成由入气孔到排风口的气流，该气流由方形基片中心区域向四周流动，加速光刻胶向四角流动，减小光刻胶在四角处的堆积，同时改善环形流场，减小旋风状纹路，同时提高了胶厚均匀性和工艺稳定性。 实质审查