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双面镀膜生产线的镀膜装置 CN201711336448.0 2021-09-28 本发明公开一种双面镀膜生产线的镀膜装置，包括镀膜箱体和磁控溅射装置，所述磁控溅射装置设有箱体内，所述箱体内基片架位置设有磁铁，所述箱体的侧板设有磁场；所述箱体内还设有旋转组件，所述旋转组件包括旋转电机和旋转架，所述旋转架的两侧设有定位盘，所述定位盘通过电机驱动转动，所述旋转电机驱动旋转架转动，所述定位盘上设有凹槽，所述基片架设于凹槽内。本发明的双面镀膜生产线的镀膜装置，该镀膜装置结晶性能好，提高了溅射效果。 专利权的授权
三银LOW-E玻璃真空镀膜生产线 CN201711334379.X - 本发明公开了三银LOW‑E玻璃真空镀膜生产线，依次连接的上片区、进口腔室、进口缓冲腔室、进口传送腔室、溅射腔室、出口传送腔室、出口缓冲腔室、出口腔室、质检腔室和卸片区，所述上片区、进口腔室、进口缓冲腔室、进口传送腔室、溅射腔室、出口传送腔室、出口缓冲腔室、出口腔室和卸片区内均设有依次连接的传动台，所述质检腔室内设有镀膜质检台和质检系统，所述出口腔室内传动台与镀膜质检台相连。本发明提供的三银LOW‑E玻璃真空镀膜生产线能够实现各类镀膜的大批量、低成本生产，而且溅射沉积速率高，工艺通用性强，特别适合大规模工业化生产。 专利申请的驳回
单银LOW-E玻璃镀膜生产线 CN201711333485.6 - 本发明公开了单银LOW‑E玻璃镀膜生产线，包括依次连接的上片区、进口腔室、进口缓冲腔室、进口传送腔室、溅射腔室、出口传送腔室、出口缓冲腔室、出口腔室、质检腔室和卸片区，所述上片区、进口腔室、进口缓冲腔室、进口传送腔室、溅射腔室、出口传送腔室、出口缓冲腔室、出口腔室和卸片区内均设有依次连接的传动台，所述质检腔室内设有镀膜质检台和质检系统，所述出口腔室内传动台与镀膜质检台相连，所述传动台用于传送真空镀膜基片，所述镀膜质检台用于检测基片质量。本发明提供的单银LOW‑E玻璃镀膜生产线能够实现各类镀膜的大批量、低成本生产，而且溅射沉积速率高，工艺通用性强，特别适合大规模工业化生产。 专利申请的驳回
大面积AZO玻璃镀膜生产线 CN201711329398.3 - 本发明公开了大面积AZO玻璃镀膜生产线，包括镀膜线和传送线，所述镀膜线包括依次连接的进口室、进口缓冲室、进口传送室、溅射室、出口传送室、出口缓冲室、出口室和质检室，相邻的室之间设有至少一个阀门，所述传送线包括传动辊和镀膜质检辊，所述进口室、进口缓冲室、进口传送室、溅射室、出口传送室、出口缓冲室和出口室内均设有依次连接的传动辊，所述质检室内设有镀膜质检辊，所述出口室内传动辊与镀膜质检辊相连，所述传动辊与镀膜质检辊用于传送镀膜基片。本发明提供的大面积AZO玻璃镀膜生产线能够实现各类大面积镀膜的大批量、低成本生产，而且溅射沉积速率高，工艺通用性强。素扩散路径短，无中间产物，无元素蒸发，因而制备速度快、效率高，良品率高达95％以上，特别适合大规模工业化生产。 专利申请的驳回
一种改善性能的DLC膜制备方法 CN201711330311.4 - 本发明公开了一种改善性能的DLC膜制备方法，所述方法包括如下几个步骤：喷涂或旋涂散热层，真空蒸镀DLC膜和功能膜，蒸镀完成后进行退火烧结。本发明采用散热层代替原有的桥接层，不仅压缩了整个膜系的厚度，并且大大改善了原有膜系结构散热不好的问题，制备方法根据现有的膜系进行改良，将制备工艺进行压缩，使得本方法在连续镀膜后再进行固化反应，缩短了镀膜时间，膜层间连接更加紧密，使得在膜层层数不减少的情况下，整个膜系的厚度减少。 专利申请的撤回
真空磁控溅射镀膜生产线 CN201711327931.2 - 本发明公开了真空磁控溅射镀膜生产线，所述镀膜生产线为立式连续镀膜生产线，由总展开室起，依次包括Mo层磁控溅射子线、CIGS层高温蒸镀子线、Cds层磁控溅射子线和AZO导电层化学气相沉积子线，各子线之间通过过渡腔室连接。本发明采用立式生产线不仅保证了镀膜过程中无杂质污染，并且不与设备接触避免了膜面的破坏，还使得镀膜过程中镀膜更加均匀，磁控溅射和真空蒸镀子线组合装配，不仅给予真空蒸镀的高温高压一个自然的缓冲，节能环保，降低了工艺难度和操作步骤，还提高了CIGS薄膜的整体性能。 专利申请的驳回
金属MO膜连续磁控溅射生产线 CN201711333484.1 - 本发明公开了金属MO膜连续磁控溅射生产线，包括依次连接的进口室、进口缓冲室、进口传送室、溅射室、出口传送室、出口缓冲室、出口室和质检室，所述进口室、进口缓冲室、进口传送室、溅射室、出口传送室、出口缓冲室、出口室内均设有依次连接的传动辊，所述质检室内设有镀膜质检辊和质检系统，所述出口室内传动辊与镀膜质检辊相连，所述传动辊与镀膜质检辊用于传送镀膜基片。本发明提供的金属MO膜连续磁控溅射生产线能够实现各类大面积镀膜的大批量、低成本生产，而且溅射沉积速率高，工艺通用性强。素扩散路径短，无中间产物，无元素蒸发，因而制备速度快、效率高，良品率高达95％以上，特别适合大规模工业化生产。 专利申请的驳回
双银LOW-E玻璃真空镀膜溅射生产线 CN201711334378.5 - 本发明公开了双银LOW‑E玻璃真空镀膜溅射生产线，依次连接的上片区、进口腔室、进口缓冲腔室、进口传送腔室、溅射腔室、出口传送腔室、出口缓冲腔室、出口腔室、质检腔室和卸片区，所述上片区、进口腔室、进口缓冲腔室、进口传送腔室、溅射腔室、出口传送腔室、出口缓冲腔室、出口腔室和卸片区内均设有依次连接的传动台，所述质检腔室内设有镀膜质检区和质检系统，所述出口腔室内传动台与镀膜质检区相连。本发明提供的双银LOW‑E玻璃真空镀膜溅射生产线能够实现各类镀膜的大批量、低成本生产，而且溅射沉积速率高，工艺通用性强，特别适合大规模工业化生产。 专利申请的驳回
手机玻璃盖板实验平台 CN201711332397.4 - 本发明公开了手机玻璃盖板实验平台，设于真空镀膜生产线质检室内，所述手机玻璃盖板实验平台包括平行设置的两侧板、在两侧板上滑动的真空镀膜基片架，和一质检系统，所述侧板上设有导轨，所述真空镀膜基片架底部设有滑动键和传动机构，所述真空镀膜基片架通过滑动键和传动机构在导轨上运动。本发明提供的手机玻璃盖板实验平台可用于真空镀膜基片的质量检测，通过将出口室传送的完成镀膜的基片安装于基片孔内进行光电检测，能够配合生产线各腔室实现镀膜的大批量、低成本生产，特别适合大规模工业化生产。 专利申请的驳回
一种用于制备CIGS薄膜的磁控溅射法 CN201711330312.9 - 本发明公开了一种用于制备CIGS薄膜的磁控溅射法，其中，所述磁控溅射法包括在基材上依次磁控溅射Mo层、高温蒸镀CIGS层，并化学气相沉积法制备AZO层，其中化学气相沉积法的反应温度为400～600℃，反应1～3h，反应气压0.1～1Pa，以氧气为保护气体，以锌源为前驱物，加入铝源掺杂剂，制备AZO层。本发明采用磁控溅射与高温蒸镀结合的方法制备CIGS薄膜，制备的CIGS薄膜在电镜下观察薄膜晶体呈规则的柱状生长，晶粒大小均一，光学性能良好，界面清晰，本方法对制备环境的要求低，无需高压或催化剂，物相和形貌可控性好，成本低，产量大，对环境无危害，适合工业生产。 专利申请的驳回