专利标题 公开号/公告号 公开日期 摘要 专利状态
一种渐变色彩色镀膜机及其镀膜方法 CN201910676840.2 - 本发明公开了一种渐变色彩色镀膜机及其镀膜方法，所述方法包括：将目标渐变色需求输入至计算机设备得到仿真模拟结果；在镀膜基片桶上贴上待镀膜的镀膜基片，并根据所述仿真模拟结果通过铁片对待工作靶材进行遮挡；控制器启动真空机对所述镀膜机进行抽真空操作，并通过真空电离计检测所述镀膜机中当前真空状态；所述控制器启动基片加热设备对镀膜基片进行加热至预设温度，根据仿真模拟结果按照预设速度向镀膜机中输入预设体积的预设气体；所述控制器启动所述镀膜机的靶材的电源；所述控制器控制所述镀膜基片桶进行匀速转动，以使得所述靶材对所述镀膜基片进行溅射镀膜。采用上述镀膜机和方法能根据用户要求制备不同色彩和视觉效果的渐变颜色膜。   实质审查
FLA镀膜装置 CN201711354891.0 - 本发明公开了一种FLA镀膜装置，其中所述的FLA镀膜装置设有一操作区域，操作区域包括灯箱和冷却背板，冷却背板吸收灯箱中闪光灯发出的热量，使得操作区域的环境温度为70～100℃。本发明采用低温FLA镀膜装置，解决了部分膜系的材料限制无法高温退火的技术难题，并且镀膜效果好，各项指标均优于现有技术退火得到的膜系。 专利申请的撤回
光学多弧离子镀膜机 CN201711353629.4 - 本发明公开了光学多弧离子镀膜机，包括真空室和与真空室连通的抽气组件、充气组件、运输组件、加热组件、冷却组件，所述真空室内设有至少一多弧靶，所述多弧靶包括阴极和引弧电极，所述阴极的一端与引弧电极的一端绝缘连接，所述阴极为一内部设有磁棒和靶背管的靶材，所述磁棒和靶背管相邻设置，所述磁棒为一嵌有一磁性组件的绝缘棒，所述引弧电极通过一电磁阀控制其与阴极不相连的一端与阴极表面接触和分离。与现有技术相比，本发明提供的光学多弧离子镀膜机在阴极中加装了磁性组件，可使金属离化率更高，镀膜刻蚀均匀，基片表面膜层均一性更佳，因此其应用前景十分广阔。 专利申请的驳回
多弧离子镀膜装置 CN201711353637.9 - 本发明公开了多弧离子镀膜装置，包括阴极和引弧电极，所述阴极的一端与引弧电极的一端绝缘连接，所述阴极为一内部设有磁棒和靶背管的靶材，所述磁棒和靶背管相邻设置，所述磁棒为一嵌有一磁性组件的绝缘棒，所述引弧电极通过一电磁阀控制其与阴极不相连的一端与阴极表面接触和分离，所述阴极和引弧电极设于真空室阳极箱体中。与现有技术相比，本发明提供的多弧离子镀膜装置在阴极中加装了磁性组件，可使金属离化率更高，镀膜刻蚀均匀，基片表面膜层均一性更佳，因此其应用前景十分广阔。 专利申请的驳回
光学多弧离子镀方法及其装置 CN201711351721.7 - 本发明公开了光学多弧离子镀方法，包括步骤a)基片传送入真空室；步骤b)在真空室内采用一多弧靶对基片进行光学多弧离子镀；步骤c)基片进行光学多弧离子镀后传送出真空室；所述多弧靶包括阴极和引弧电极，所述阴极的一端与引弧电极的一端绝缘连接，所述阴极为一内部设有磁棒和靶背管的靶材，所述磁棒和靶背管相邻设置，所述磁棒为一嵌有一磁性组件的绝缘棒，所述引弧电极通过一电磁阀控制其与阴极不相连的一端与阴极表面接触和分离。与现有技术相比，本发明提供的光学多弧离子镀方法在阴极中加装了磁性组件，可使金属离化率更高，镀膜刻蚀均匀，基片表面膜层均一性更佳，因此其应用前景十分广阔。 专利申请的驳回
光学蒸发真空镀膜机 CN201711338190.8 - 本发明公开了光学蒸发真空镀膜机，包括一镀膜腔、一蒸发器和两加热器，所述蒸发器包括一顶面设置喷嘴的壳体，所述壳体中部设有缓冲部，所述缓冲部远离喷嘴的一面连接有与蒸镀原材料室相连的加热管道，所述加热管道向喷嘴方向延伸，所述加热器分别平行的立设于镀膜区两侧，且其中一加热器穿过蒸发器缓冲部，待镀膜基片悬设于另一加热器面向蒸发器一侧。本发明提供的光学蒸发真空镀膜机利用三步共蒸发工艺制备铜铟镓硒薄膜，采用基于线型蒸发器的立式共蒸发系统来实现制备尺寸不小于40×60cm2的铜铟镓硒薄膜，实现二维尺度上大面积薄膜的均匀生长。 专利申请的驳回
TFT-LCD减薄镀膜生产线 CN201711336540.7 - 本发明公开一种TFT‑LCD减薄镀膜生产线，依次包括进口室、进口缓冲室、进口传送室、工艺室、出口传送室、出口缓冲室和出口室，所述工艺室包括多个磁控溅射腔，所述磁控溅射腔设有旋转阴极，多个所述磁控溅射腔的旋转阴极不全位于同一侧；所述生产线还包括传送系统，所述传送系统包括磁导向摩擦传动装置。本发明的TFT‑LCD减薄镀膜生产线，可以适用于各种面积的基片溅射，镀膜效果好。 专利申请的驳回
弧形玻璃真空磁控溅射镀膜生产线 CN201711342043.8 - 本发明公开了弧形玻璃真空磁控溅射镀膜生产线，包括依次连接的上片区、进口腔室、进口缓冲腔室、进口传送腔室、溅射腔室、出口传送腔室、出口缓冲腔室、出口腔室、质检腔室和卸片区，所述上片区、进口腔室、进口缓冲腔室、进口传送腔室、溅射腔室、出口传送腔室、出口缓冲腔室、出口腔室和卸片区内均设有依次连接的传动台，所述质检腔室内设有镀膜质检台和质检系统，所述出口腔室内传动台与镀膜质检台相连。本发明提供的弧形玻璃真空磁控溅射镀膜生产线能够实现各类镀膜的大批量、低成本生产，而且溅射沉积速率高，工艺通用性强，特别适合大规模工业化生产。 专利申请的驳回
汽车玻璃用连续镀膜生产线 CN201711342327.7 - 本发明公开了汽车玻璃用连续镀膜生产线，包括依次连接的上片区、进口腔室、进口缓冲腔室、进口传送腔室、溅射腔室、出口传送腔室、出口缓冲腔室、出口腔室、质检腔室和卸片区，所述溅射腔室包括至少一个镀膜分区，每个镀膜分区设有至少一旋转阴极装置和/或平面阴极装置，所述旋转阴极装置和/或平面阴极装置与一角度调节装置连接，所述角度调节装置通过若干沿着纵向轴线伸展的连接臂与镀膜分区的阳极箱体连接。本发明提供的汽车玻璃用连续镀膜生产线能够实现各类镀膜的大批量、低成本生产，而且溅射沉积速率高，工艺通用性强，特别适合大规模工业化生产。 专利申请的驳回
线性真空镀膜单体蒸发器 CN201711337357.9 - 本发明公开了线性真空镀膜单体蒸发器，包括一顶面设置喷嘴的壳体，所述壳体中部设有缓冲部，所述缓冲部远离喷嘴的一面连接有与蒸镀材料室相连的加热管道，所述加热管道向喷嘴方向延伸。本发明提供的线性真空镀膜单体蒸发器利用三步共蒸发工艺制备铜铟镓硒薄膜，采用基于线型蒸发器的立式共蒸发系统来实现制备尺寸不小于40×60cm2的铜铟镓硒薄膜，实现二维尺度上大面积薄膜的均匀生长。在此基础上配合铜铟鎵硒电池整体工艺开发适合铜铟鎵硒特点的Mo电极，AZO透明导电极磁控溅射制备系统，形成完整的铜铟鎵硒工程化装备。 专利申请的驳回